ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

Y403464R2000B0W

Y403464R2000B0W

ნაწილი საფონდო: 222

წინააღმდეგობა: 64.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y112138R4000Q9L

Y112138R4000Q9L

ნაწილი საფონდო: 169

წინააღმდეგობა: 38.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y17452K50000A9L

Y17452K50000A9L

ნაწილი საფონდო: 195

წინააღმდეგობა: 2.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y112182R5000T0L

Y112182R5000T0L

ნაწილი საფონდო: 163

წინააღმდეგობა: 82.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y0795100R000Q0W

Y0795100R000Q0W

ნაწილი საფონდო: 215

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.02W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±3ppm/°C,

სასურველი
Y1624825R000A0W

Y1624825R000A0W

ნაწილი საფონდო: 224

წინააღმდეგობა: 825 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y162512K4000A0W

Y162512K4000A0W

ნაწილი საფონდო: 185

წინააღმდეგობა: 12.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y40612K32000Q0W

Y40612K32000Q0W

ნაწილი საფონდო: 201

წინააღმდეგობა: 2.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.12W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2.5ppm/°C,

სასურველი
Y40232K26150B9W

Y40232K26150B9W

ნაწილი საფონდო: 232

წინააღმდეგობა: 2.2615 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y112182R0000T0L

Y112182R0000T0L

ნაწილი საფონდო: 132

წინააღმდეგობა: 82 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y401650R0300A9W

Y401650R0300A9W

ნაწილი საფონდო: 154

წინააღმდეგობა: 50.03 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2.5ppm/°C,

სასურველი
Y16118K80000T9W

Y16118K80000T9W

ნაწილი საფონდო: 247

წინააღმდეგობა: 8.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y16242K60000B9W

Y16242K60000B9W

ნაწილი საფონდო: 205

წინააღმდეგობა: 2.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y149610K0000A9W

Y149610K0000A9W

ნაწილი საფონდო: 258

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y16242K70000B9W

Y16242K70000B9W

ნაწილი საფონდო: 254

წინააღმდეგობა: 2.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y112125K0000C9L

Y112125K0000C9L

ნაწილი საფონდო: 198

წინააღმდეგობა: 25 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.16W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y1745250R000A9L

Y1745250R000A9L

ნაწილი საფონდო: 144

წინააღმდეგობა: 250 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16257K41000Q0W

Y16257K41000Q0W

ნაწილი საფონდო: 178

წინააღმდეგობა: 7.41 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y14962K18000Q0W

Y14962K18000Q0W

ნაწილი საფონდო: 208

წინააღმდეგობა: 2.18 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y11190R30000D9W

Y11190R30000D9W

ნაწილი საფონდო: 151

წინააღმდეგობა: 300 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16244K64000T0W

Y16244K64000T0W

ნაწილი საფონდო: 218

წინააღმდეგობა: 4.64 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y40143K79000T9W

Y40143K79000T9W

ნაწილი საფონდო: 1438

წინააღმდეგობა: 3.79 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2.5ppm/°C,

სასურველი
MQP50R000B

MQP50R000B

ნაწილი საფონდო: 181

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±3ppm/°C,

სასურველი
Y16254K17000Q0W

Y16254K17000Q0W

ნაწილი საფონდო: 231

წინააღმდეგობა: 4.17 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y40214K60000T9W

Y40214K60000T9W

ნაწილი საფონდო: 175

წინააღმდეგობა: 4.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y407325K0000T0W

Y407325K0000T0W

ნაწილი საფონდო: 9580

წინააღმდეგობა: 25 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
MQ250R0TL

MQ250R0TL

ნაწილი საფონდო: 172

წინააღმდეგობა: 250 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
Y16254K70000T9W

Y16254K70000T9W

ნაწილი საფონდო: 179

წინააღმდეგობა: 4.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1625100R000D0W

Y1625100R000D0W

ნაწილი საფონდო: 249

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16254K64000A0W

Y16254K64000A0W

ნაწილი საფონდო: 188

წინააღმდეგობა: 4.64 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1624232R000Q9W

Y1624232R000Q9W

ნაწილი საფონდო: 188

წინააღმდეგობა: 232 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1172499R000Q9W

Y1172499R000Q9W

ნაწილი საფონდო: 161

წინააღმდეგობა: 499 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y162730K1000B0W

Y162730K1000B0W

ნაწილი საფონდო: 237

წინააღმდეგობა: 30.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y4016500R000T9W

Y4016500R000T9W

ნაწილი საფონდო: 743

წინააღმდეგობა: 500 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2.5ppm/°C,

სასურველი
Y16243K09000T0W

Y16243K09000T0W

ნაწილი საფონდო: 196

წინააღმდეგობა: 3.09 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1625100R000F9W

Y1625100R000F9W

ნაწილი საფონდო: 225

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი