ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

Y40142K15000T9W

Y40142K15000T9W

ნაწილი საფონდო: 1422

წინააღმდეგობა: 2.15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2.5ppm/°C,

სასურველი
Y16075R00000D9W

Y16075R00000D9W

ნაწილი საფონდო: 3501

წინააღმდეგობა: 5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16253K40000B0W

Y16253K40000B0W

ნაწილი საფონდო: 178

წინააღმდეგობა: 3.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y08565R60000E9W

Y08565R60000E9W

ნაწილი საფონდო: 239

წინააღმდეგობა: 5.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.2%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y112111R0000B0L

Y112111R0000B0L

ნაწილი საფონდო: 198

წინააღმდეგობა: 11 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y4027125K000T9R

Y4027125K000T9R

ნაწილი საფონდო: 3029

წინააღმდეგობა: 125 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y402325R0000D0W

Y402325R0000D0W

ნაწილი საფონდო: 183

წინააღმდეგობა: 25 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y08503R99000F9W

Y08503R99000F9W

ნაწილი საფონდო: 213

წინააღმდეგობა: 3.99 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y16241K00000C9W

Y16241K00000C9W

ნაწილი საფონდო: 227

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y4033150R000A0W

Y4033150R000A0W

ნაწილი საფონდო: 217

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y112138R4000D9L

Y112138R4000D9L

ნაწილი საფონდო: 167

წინააღმდეგობა: 38.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y162730K9000B0W

Y162730K9000B0W

ნაწილი საფონდო: 207

წინააღმდეგობა: 30.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y11190R40000D9W

Y11190R40000D9W

ნაწილი საფონდო: 221

წინააღმდეგობა: 400 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
MQP10K000A

MQP10K000A

ნაწილი საფონდო: 179

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y14730R00300F9W

Y14730R00300F9W

ნაწილი საფონდო: 9961

წინააღმდეგობა: 3 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
Y16252K32000T0W

Y16252K32000T0W

ნაწილი საფონდო: 251

წინააღმდეგობა: 2.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y407320K0000T9W

Y407320K0000T9W

ნაწილი საფონდო: 3302

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1121487R000B9L

Y1121487R000B9L

ნაწილი საფონდო: 197

წინააღმდეგობა: 487 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y16259K09000B0W

Y16259K09000B0W

ნაწილი საფონდო: 208

წინააღმდეგობა: 9.09 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y162743K2000B0W

Y162743K2000B0W

ნაწილი საფონდო: 231

წინააღმდეგობა: 43.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1626110R000Q39W

Y1626110R000Q39W

ნაწილი საფონდო: 186

წინააღმდეგობა: 110 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y162418R0000C9W

Y162418R0000C9W

ნაწილი საფონდო: 237

წინააღმდეგობა: 18 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y40226R81000D9W

Y40226R81000D9W

ნაწილი საფონდო: 218

წინააღმდეგობა: 6.81 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1624450R000T9W

Y1624450R000T9W

ნაწილი საფონდო: 164

წინააღმდეგობა: 450 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1624909R000T9W

Y1624909R000T9W

ნაწილი საფონდო: 242

წინააღმდეგობა: 909 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y4023136R500B9W

Y4023136R500B9W

ნაწილი საფონდო: 159

წინააღმდეგობა: 136.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y40825R00000D9W

Y40825R00000D9W

ნაწილი საფონდო: 579

წინააღმდეგობა: 5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2.5ppm/°C,

სასურველი
Y1172407R000T0W

Y1172407R000T0W

ნაწილი საფონდო: 225

წინააღმდეგობა: 407 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y162517K5620T9W

Y162517K5620T9W

ნაწილი საფონდო: 260

წინააღმდეგობა: 17.562 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16257K96000B0W

Y16257K96000B0W

ნაწილი საფონდო: 172

წინააღმდეგობა: 7.96 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y174640K0000B9L

Y174640K0000B9L

ნაწილი საფონდო: 195

წინააღმდეგობა: 40 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y406233R0000B0W

Y406233R0000B0W

ნაწილი საფონდო: 247

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2.5ppm/°C,

სასურველი
Y16253K70000Q0W

Y16253K70000Q0W

ნაწილი საფონდო: 224

წინააღმდეგობა: 3.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1636330R000Q9W

Y1636330R000Q9W

ნაწილი საფონდო: 207

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y40214K50000T9W

Y40214K50000T9W

ნაწილი საფონდო: 201

წინააღმდეგობა: 4.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1625650R000B9W

Y1625650R000B9W

ნაწილი საფონდო: 178

წინააღმდეგობა: 650 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი