ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

Y162730K0000B9W

Y162730K0000B9W

ნაწილი საფონდო: 194

წინააღმდეგობა: 30 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y14961K47000Q0W

Y14961K47000Q0W

ნაწილი საფონდო: 204

წინააღმდეგობა: 1.47 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y1624260R000T9W

Y1624260R000T9W

ნაწილი საფონდო: 239

წინააღმდეგობა: 260 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y40235K00000T0W

Y40235K00000T0W

ნაწილი საფონდო: 247

წინააღმდეგობა: 5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16255K11000T9W

Y16255K11000T9W

ნაწილი საფონდო: 202

წინააღმდეგობა: 5.11 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y162516K3320T9W

Y162516K3320T9W

ნაწილი საფონდო: 222

წინააღმდეგობა: 16.332 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y14880R01250B0W

Y14880R01250B0W

ნაწილი საფონდო: 324

წინააღმდეგობა: 12.5 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
Y1624402R000A0W

Y1624402R000A0W

ნაწილი საფონდო: 239

წინააღმდეგობა: 402 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y07765K00000Q0W

Y07765K00000Q0W

ნაწილი საფონდო: 177

წინააღმდეგობა: 5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2.5ppm/°C,

სასურველი
Y408225R0000B9W

Y408225R0000B9W

ნაწილი საფონდო: 676

წინააღმდეგობა: 25 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2.5ppm/°C,

სასურველი
Y40838K25000Q9W

Y40838K25000Q9W

ნაწილი საფონდო: 1254

წინააღმდეგობა: 8.25 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2.5ppm/°C,

სასურველი
Y0796100R000B0W

Y0796100R000B0W

ნაწილი საფონდო: 222

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±3ppm/°C,

სასურველი
Y40212K21000T0W

Y40212K21000T0W

ნაწილი საფონდო: 155

წინააღმდეგობა: 2.21 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1624499R000A0W

Y1624499R000A0W

ნაწილი საფონდო: 219

წინააღმდეგობა: 499 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1624249R000A0W

Y1624249R000A0W

ნაწილი საფონდო: 195

წინააღმდეგობა: 249 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y116912K1000B0L

Y116912K1000B0L

ნაწილი საფონდო: 141

წინააღმდეგობა: 12.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y1626350R000Q0W

Y1626350R000Q0W

ნაწილი საფონდო: 249

წინააღმდეგობა: 350 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y162732K4000B0W

Y162732K4000B0W

ნაწილი საფონდო: 200

წინააღმდეგობა: 32.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y14555K56000T0W

Y14555K56000T0W

ნაწილი საფონდო: 225

წინააღმდეგობა: 5.56 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y0795365R000Q0W

Y0795365R000Q0W

ნაწილი საფონდო: 182

წინააღმდეგობა: 365 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.02W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±3ppm/°C,

სასურველი
Y401610K0000T9W

Y401610K0000T9W

ნაწილი საფონდო: 1127

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2.5ppm/°C,

სასურველი
Y1624291R000Q9W

Y1624291R000Q9W

ნაწილი საფონდო: 178

წინააღმდეგობა: 291 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16241K14500B9W

Y16241K14500B9W

ნაწილი საფონდო: 238

წინააღმდეგობა: 1.145 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16242K00000B0W

Y16242K00000B0W

ნაწილი საფონდო: 190

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y112116R0000A0L

Y112116R0000A0L

ნაწილი საფონდო: 128

წინააღმდეგობა: 16 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y16251K35000C9W

Y16251K35000C9W

ნაწილი საფონდო: 248

წინააღმდეგობა: 1.35 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y079610K0000Q0W

Y079610K0000Q0W

ნაწილი საფონდო: 213

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±3ppm/°C,

სასურველი
Y162515K4000B0W

Y162515K4000B0W

ნაწილი საფონდო: 188

წინააღმდეგობა: 15.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y112124R0000Q0L

Y112124R0000Q0L

ნაწილი საფონდო: 190

წინააღმდეგობა: 24 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y08500R27000F9W

Y08500R27000F9W

ნაწილი საფონდო: 175

წინააღმდეგობა: 270 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y16252K00000Q0W

Y16252K00000Q0W

ნაწილი საფონდო: 162

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1625330R000T9W

Y1625330R000T9W

ნაწილი საფონდო: 179

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1624150R000A9W

Y1624150R000A9W

ნაწილი საფონდო: 218

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16275K00000T9R

Y16275K00000T9R

ნაწილი საფონდო: 3523

წინააღმდეგობა: 5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y112125K0000D9L

Y112125K0000D9L

ნაწილი საფონდო: 182

წინააღმდეგობა: 25 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.16W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y1172291R000Q9W

Y1172291R000Q9W

ნაწილი საფონდო: 185

წინააღმდეგობა: 291 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი