ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

Y079620K0000F0W

Y079620K0000F0W

ნაწილი საფონდო: 150

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±3ppm/°C,

სასურველი
Y40239K50000T9W

Y40239K50000T9W

ნაწილი საფონდო: 177

წინააღმდეგობა: 9.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y162512K9000Q0W

Y162512K9000Q0W

ნაწილი საფონდო: 209

წინააღმდეგობა: 12.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1626174R400B0W

Y1626174R400B0W

ნაწილი საფონდო: 218

წინააღმდეგობა: 174.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y14553K66000T0W

Y14553K66000T0W

ნაწილი საფონდო: 211

წინააღმდეგობა: 3.66 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y4023175R000B9W

Y4023175R000B9W

ნაწილი საფონდო: 182

წინააღმდეგობა: 175 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1168250R000B9L

Y1168250R000B9L

ნაწილი საფონდო: 175

წინააღმდეგობა: 250 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.5ppm/°C,

სასურველი
Y112119R2000C9L

Y112119R2000C9L

ნაწილი საფონდო: 166

წინააღმდეგობა: 19.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y14552K40000T0W

Y14552K40000T0W

ნაწილი საფონდო: 193

წინააღმდეგობა: 2.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y402322R0000D9W

Y402322R0000D9W

ნაწილი საფონდო: 252

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1625360R000T9W

Y1625360R000T9W

ნაწილი საფონდო: 225

წინააღმდეგობა: 360 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y112122R0000Q0L

Y112122R0000Q0L

ნაწილი საფონდო: 146

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
MQP5K0000A

MQP5K0000A

ნაწილი საფონდო: 161

წინააღმდეგობა: 5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y16254K02000Q0W

Y16254K02000Q0W

ნაწილი საფონდო: 180

წინააღმდეგობა: 4.02 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y112115R0000A0L

Y112115R0000A0L

ნაწილი საფონდო: 156

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y1636400R000T0W

Y1636400R000T0W

ნაწილი საფონდო: 256

წინააღმდეგობა: 400 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16060R50000F19W

Y16060R50000F19W

ნაწილი საფონდო: 191

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16251K14000C9W

Y16251K14000C9W

ნაწილი საფონდო: 232

წინააღმდეგობა: 1.14 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y149614K0000Q0W

Y149614K0000Q0W

ნაწილი საფონდო: 197

წინააღმდეგობა: 14 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y4033763R000F0W

Y4033763R000F0W

ნაწილი საფონდო: 189

წინააღმდეგობა: 763 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y079529R4000B0W

Y079529R4000B0W

ნაწილი საფონდო: 185

წინააღმდეგობა: 29.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.02W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±3ppm/°C,

სასურველი
Y1625698R000A0W

Y1625698R000A0W

ნაწილი საფონდო: 232

წინააღმდეგობა: 698 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y07965R00000F0W

Y07965R00000F0W

ნაწილი საფონდო: 207

წინააღმდეგობა: 5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±3ppm/°C,

სასურველი
Y112130R0000Q9L

Y112130R0000Q9L

ნაწილი საფონდო: 105

წინააღმდეგობა: 30 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y407325K0000T9W

Y407325K0000T9W

ნაწილი საფონდო: 9556

წინააღმდეგობა: 25 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16362K55000T9W

Y16362K55000T9W

ნაწილი საფონდო: 224

წინააღმდეგობა: 2.55 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y14963K12000Q0W

Y14963K12000Q0W

ნაწილი საფონდო: 254

წინააღმდეგობა: 3.12 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y112120R0000Q0L

Y112120R0000Q0L

ნაწილი საფონდო: 121

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y402410K0000T0W

Y402410K0000T0W

ნაწილი საფონდო: 253

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y40812K00000T9W

Y40812K00000T9W

ნაწილი საფონდო: 693

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2.5ppm/°C,

სასურველი
Y407640R0000C9W

Y407640R0000C9W

ნაწილი საფონდო: 416

წინააღმდეგობა: 40 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1625240R000Q9W

Y1625240R000Q9W

ნაწილი საფონდო: 189

წინააღმდეგობა: 240 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y11681K00000B9L

Y11681K00000B9L

ნაწილი საფონდო: 115

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.5ppm/°C,

სასურველი
Y1624866R000T9W

Y1624866R000T9W

ნაწილი საფონდო: 164

წინააღმდეგობა: 866 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1745750R000D9L

Y1745750R000D9L

ნაწილი საფონდო: 147

წინააღმდეგობა: 750 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16258K66000T0W

Y16258K66000T0W

ნაწილი საფონდო: 255

წინააღმდეგობა: 8.66 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი