ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

Y1633100K000C9W

Y1633100K000C9W

ნაწილი საფონდო: 251

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1624380R000T9W

Y1624380R000T9W

ნაწილი საფონდო: 186

წინააღმდეგობა: 380 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y14555K9700B0W

Y14555K9700B0W

ნაწილი საფონდო: 215

წინააღმდეგობა: 5.97 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y4016250R000T9W

Y4016250R000T9W

ნაწილი საფონდო: 739

წინააღმდეგობა: 250 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2.5ppm/°C,

სასურველი
Y16258K98000T0W

Y16258K98000T0W

ნაწილი საფონდო: 213

წინააღმდეგობა: 8.98 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y162513K8000Q0W

Y162513K8000Q0W

ნაწილი საფონდო: 248

წინააღმდეგობა: 13.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y4081250R000T9W

Y4081250R000T9W

ნაწილი საფონდო: 627

წინააღმდეგობა: 250 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2.5ppm/°C,

სასურველი
Y16281K00000D9W

Y16281K00000D9W

ნაწილი საფონდო: 236

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16255K00000A9W

Y16255K00000A9W

ნაწილი საფონდო: 241

წინააღმდეგობა: 5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1626909R000A0W

Y1626909R000A0W

ნაწილი საფონდო: 233

წინააღმდეგობა: 909 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16364K16000T9W

Y16364K16000T9W

ნაწილი საფონდო: 192

წინააღმდეგობა: 4.16 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1624140R000B9W

Y1624140R000B9W

ნაწილი საფონდო: 208

წინააღმდეგობა: 140 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y14740R02500B0W

Y14740R02500B0W

ნაწილი საფონდო: 311

წინააღმდეგობა: 25 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
Y14964K17000Q0W

Y14964K17000Q0W

ნაწილი საფონდო: 198

წინააღმდეგობა: 4.17 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y11722K50000A9W

Y11722K50000A9W

ნაწილი საფონდო: 236

წინააღმდეგობა: 2.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y1625120R000A0W

Y1625120R000A0W

ნაწილი საფონდო: 184

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1624640R000T9W

Y1624640R000T9W

ნაწილი საფონდო: 167

წინააღმდეგობა: 640 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y162713R0000D9W

Y162713R0000D9W

ნაწილი საფონდო: 208

წინააღმდეგობა: 13 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y4045763R000F0W

Y4045763R000F0W

ნაწილი საფონდო: 157

წინააღმდეგობა: 763 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y1496511R000Q0W

Y1496511R000Q0W

ნაწილი საფონდო: 177

წინააღმდეგობა: 511 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y1746120R000D9L

Y1746120R000D9L

ნაწილი საფონდო: 118

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1625350R000B9W

Y1625350R000B9W

ნაწილი საფონდო: 194

წინააღმდეგობა: 350 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y112125K0000B9L

Y112125K0000B9L

ნაწილი საფონდო: 200

წინააღმდეგობა: 25 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.16W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y4023197R000B9W

Y4023197R000B9W

ნაწილი საფონდო: 168

წინააღმდეგობა: 197 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1168350R000B9L

Y1168350R000B9L

ნაწილი საფონდო: 148

წინააღმდეგობა: 350 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.5ppm/°C,

სასურველი
Y174548R7000Q9L

Y174548R7000Q9L

ნაწილი საფონდო: 145

წინააღმდეგობა: 48.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1624230R000A9W

Y1624230R000A9W

ნაწილი საფონდო: 219

წინააღმდეგობა: 230 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y112168R0000T0L

Y112168R0000T0L

ნაწილი საფონდო: 123

წინააღმდეგობა: 68 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y162723K7000B0W

Y162723K7000B0W

ნაწილი საფონდო: 259

წინააღმდეგობა: 23.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1121320R000T9L

Y1121320R000T9L

ნაწილი საფონდო: 143

წინააღმდეგობა: 320 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y1636200R000Q0W

Y1636200R000Q0W

ნაწილი საფონდო: 181

წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y162770K0000F9W

Y162770K0000F9W

ნაწილი საფონდო: 230

წინააღმდეგობა: 70 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y11218R20000B0L

Y11218R20000B0L

ნაწილი საფონდო: 150

წინააღმდეგობა: 8.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y14967K50000Q0W

Y14967K50000Q0W

ნაწილი საფონდო: 213

წინააღმდეგობა: 7.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y162579R0000B0W

Y162579R0000B0W

ნაწილი საფონდო: 224

წინააღმდეგობა: 79 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y11219R60000D9L

Y11219R60000D9L

ნაწილი საფონდო: 146

წინააღმდეგობა: 9.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი