ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

Y174617K9400T9L

Y174617K9400T9L

ნაწილი საფონდო: 150

წინააღმდეგობა: 17.94 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y174620R0000Q0L

Y174620R0000Q0L

ნაწილი საფონდო: 125

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y14870R01000D5W

Y14870R01000D5W

ნაწილი საფონდო: 2820

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
Y112130R0000Q9R

Y112130R0000Q9R

ნაწილი საფონდო: 111

წინააღმდეგობა: 30 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y174617K9700T9L

Y174617K9700T9L

ნაწილი საფონდო: 164

წინააღმდეგობა: 17.97 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1746345R000T9L

Y1746345R000T9L

ნაწილი საფონდო: 188

წინააღმდეგობა: 345 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1746400R000T9L

Y1746400R000T9L

ნაწილი საფონდო: 198

წინააღმდეგობა: 400 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y11698K16000T9L

Y11698K16000T9L

ნაწილი საფონდო: 197

წინააღმდეგობა: 8.16 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y11691K58000T0L

Y11691K58000T0L

ნაწილი საფონდო: 202

წინააღმდეგობა: 1.58 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y174662R0000T0L

Y174662R0000T0L

ნაწილი საფონდო: 119

წინააღმდეგობა: 62 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y17462K49950T9L

Y17462K49950T9L

ნაწილი საფონდო: 113

წინააღმდეგობა: 2.4995 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y40624K00000Q0W

Y40624K00000Q0W

ნაწილი საფონდო: 214

წინააღმდეგობა: 4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2.5ppm/°C,

სასურველი
Y1746330R000T0L

Y1746330R000T0L

ნაწილი საფონდო: 202

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y4076562R000T9W

Y4076562R000T9W

ნაწილი საფონდო: 2097

წინააღმდეგობა: 562 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y174582R5000A0R

Y174582R5000A0R

ნაწილი საფონდო: 137

წინააღმდეგობა: 82.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y17453K00000F9R

Y17453K00000F9R

ნაწილი საფონდო: 134

წინააღმდეგობა: 3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1121250R000B9R

Y1121250R000B9R

ნაწილი საფონდო: 145

წინააღმდეგობა: 250 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y174647R0000Q9L

Y174647R0000Q9L

ნაწილი საფონდო: 201

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y0799100R000F0W

Y0799100R000F0W

ნაწილი საფონდო: 140

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±3ppm/°C,

სასურველი
Y162750K0000A9W

Y162750K0000A9W

ნაწილი საფონდო: 217

წინააღმდეგობა: 50 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y14870R20000D5W

Y14870R20000D5W

ნაწილი საფონდო: 2782

წინააღმდეგობა: 200 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
Y174640R0000Q0L

Y174640R0000Q0L

ნაწილი საფონდო: 152

წინააღმდეგობა: 40 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1121430R000B9R

Y1121430R000B9R

ნაწილი საფონდო: 105

წინააღმდეგობა: 430 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y1745750R000D9R

Y1745750R000D9R

ნაწილი საფონდო: 148

წინააღმდეგობა: 750 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y40761K58000T9W

Y40761K58000T9W

ნაწილი საფონდო: 2133

წინააღმდეგობა: 1.58 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y11212K67000A9R

Y11212K67000A9R

ნაწილი საფონდო: 141

წინააღმდეგობა: 2.67 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y402714K0000B9W

Y402714K0000B9W

ნაწილი საფონდო: 252

წინააღმდეგობა: 14 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16304K30000B9R

Y16304K30000B9R

ნაწილი საფონდო: 243

წინააღმდეგობა: 4.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y112116K9000A9R

Y112116K9000A9R

ნაწილი საფონდო: 138

წინააღმდეგობა: 16.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.16W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y1630121R000B9W

Y1630121R000B9W

ნაწილი საფონდო: 241

წინააღმდეგობა: 121 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y40822K00000T9W

Y40822K00000T9W

ნაწილი საფონდო: 1428

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2.5ppm/°C,

სასურველი
MQP20K000A

MQP20K000A

ნაწილი საფონდო: 163

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y16293K60000B9R

Y16293K60000B9R

ნაწილი საფონდო: 177

წინააღმდეგობა: 3.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1121100R000A9R

Y1121100R000A9R

ნაწილი საფონდო: 140

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y112178R2000Q139R

Y112178R2000Q139R

ნაწილი საფონდო: 109

წინააღმდეგობა: 78.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y4076750R000T9W

Y4076750R000T9W

ნაწილი საფონდო: 2160

წინააღმდეგობა: 750 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი