ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

Y16253K60000T0W

Y16253K60000T0W

ნაწილი საფონდო: 192

წინააღმდეგობა: 3.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y08503R99000F0W

Y08503R99000F0W

ნაწილი საფონდო: 217

წინააღმდეგობა: 3.99 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y14966K73000Q0W

Y14966K73000Q0W

ნაწილი საფონდო: 214

წინააღმდეგობა: 6.73 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y16241K35000C9W

Y16241K35000C9W

ნაწილი საფონდო: 253

წინააღმდეგობა: 1.35 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y14740R00500D9W

Y14740R00500D9W

ნაწილი საფონდო: 304

წინააღმდეგობა: 5 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
Y14961K02000Q0W

Y14961K02000Q0W

ნაწილი საფონდო: 225

წინააღმდეგობა: 1.02 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y16257K77000Q0W

Y16257K77000Q0W

ნაწილი საფონდო: 213

წინააღმდეგობა: 7.77 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y4045381R500F0W

Y4045381R500F0W

ნაწილი საფონდო: 170

წინააღმდეგობა: 381.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y17458K00000T0L

Y17458K00000T0L

ნაწილი საფონდო: 119

წინააღმდეგობა: 8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16251K47000Q0W

Y16251K47000Q0W

ნაწილი საფონდო: 211

წინააღმდეგობა: 1.47 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y174525R0000A9L

Y174525R0000A9L

ნაწილი საფონდო: 127

წინააღმდეგობა: 25 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16256K81000T0W

Y16256K81000T0W

ნაწილი საფონდო: 221

წინააღმდეგობა: 6.81 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1625681R000B0W

Y1625681R000B0W

ნაწილი საფონდო: 177

წინააღმდეგობა: 681 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y4081100R000Q9W

Y4081100R000Q9W

ნაწილი საფონდო: 284

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2.5ppm/°C,

სასურველი
Y16242K40000T0W

Y16242K40000T0W

ნაწილი საფონდო: 197

წინააღმდეგობა: 2.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y14740R02500D9W

Y14740R02500D9W

ნაწილი საფონდო: 305

წინააღმდეგობა: 25 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
Y40224K50000T9W

Y40224K50000T9W

ნაწილი საფონდო: 181

წინააღმდეგობა: 4.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1625192R000Q0W

Y1625192R000Q0W

ნაწილი საფონდო: 184

წინააღმდეგობა: 192 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16362K03000T9W

Y16362K03000T9W

ნაწილი საფონდო: 259

წინააღმდეგობა: 2.03 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y4062800R000Q0W

Y4062800R000Q0W

ნაწილი საფონდო: 167

წინააღმდეგობა: 800 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2.5ppm/°C,

სასურველი
Y112125K0000A9L

Y112125K0000A9L

ნაწილი საფონდო: 194

წინააღმდეგობა: 25 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.16W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y112162R0000T0L

Y112162R0000T0L

ნაწილი საფონდო: 199

წინააღმდეგობა: 62 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y1636681R000T0W

Y1636681R000T0W

ნაწილი საფონდო: 241

წინააღმდეგობა: 681 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1625499R000T0W

Y1625499R000T0W

ნაწილი საფონდო: 240

წინააღმდეგობა: 499 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y162561R2000A9W

Y162561R2000A9W

ნაწილი საფონდო: 244

წინააღმდეგობა: 61.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16361K10000T9W

Y16361K10000T9W

ნაწილი საფონდო: 162

წინააღმდეგობა: 1.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y11728K00000T9W

Y11728K00000T9W

ნაწილი საფონდო: 212

წინააღმდეგობა: 8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y1625120R000B9W

Y1625120R000B9W

ნაწილი საფონდო: 214

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1625316R000B0W

Y1625316R000B0W

ნაწილი საფონდო: 166

წინააღმდეგობა: 316 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1625310R000T9W

Y1625310R000T9W

ნაწილი საფონდო: 212

წინააღმდეგობა: 310 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y17451K49820T9L

Y17451K49820T9L

ნაწილი საფონდო: 200

წინააღმდეგობა: 1.4982 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y112175R0000T0L

Y112175R0000T0L

ნაწილი საფონდო: 145

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y14880R08330B9W

Y14880R08330B9W

ნაწილი საფონდო: 273

წინააღმდეგობა: 83.3 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
Y162514K0000A0W

Y162514K0000A0W

ნაწილი საფონდო: 245

წინააღმდეგობა: 14 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y145523K0000T0W

Y145523K0000T0W

ნაწილი საფონდო: 170

წინააღმდეგობა: 23 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y14740R10000E9W

Y14740R10000E9W

ნაწილი საფონდო: 327

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.2%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი