ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

Y1624422R000Q0W

Y1624422R000Q0W

ნაწილი საფონდო: 173

წინააღმდეგობა: 422 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y14963K70000Q0W

Y14963K70000Q0W

ნაწილი საფონდო: 237

წინააღმდეგობა: 3.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y1624549R000T9W

Y1624549R000T9W

ნაწილი საფონდო: 237

წინააღმდეგობა: 549 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y402310R0000D0W

Y402310R0000D0W

ნაწილი საფონდო: 224

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16256K48000T9W

Y16256K48000T9W

ნაწილი საფონდო: 209

წინააღმდეგობა: 6.48 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16251K00000C9W

Y16251K00000C9W

ნაწილი საფონდო: 181

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1625976R000B0W

Y1625976R000B0W

ნაწილი საფონდო: 203

წინააღმდეგობა: 976 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1625499R000T9W

Y1625499R000T9W

ნაწილი საფონდო: 193

წინააღმდეგობა: 499 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y401810K0000T9W

Y401810K0000T9W

ნაწილი საფონდო: 2881

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2.5ppm/°C,

სასურველი
Y162514K7000T99W

Y162514K7000T99W

ნაწილი საფონდო: 225

წინააღმდეგობა: 14.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y162740K0000B9W

Y162740K0000B9W

ნაწილი საფონდო: 238

წინააღმდეგობა: 40 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y40214K99000T0W

Y40214K99000T0W

ნაწილი საფონდო: 229

წინააღმდეგობა: 4.99 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y406610K0000Q0R

Y406610K0000Q0R

ნაწილი საფონდო: 3422

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 1.2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2.5ppm/°C,

სასურველი
Y1625250R000T0W

Y1625250R000T0W

ნაწილი საფონდო: 252

წინააღმდეგობა: 250 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y402310K0000T0W

Y402310K0000T0W

ნაწილი საფონდო: 244

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y112140R0000Q9L

Y112140R0000Q9L

ნაწილი საფონდო: 179

წინააღმდეგობა: 40 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y11698K25000B0L

Y11698K25000B0L

ნაწილი საფონდო: 187

წინააღმდეგობა: 8.25 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y162736K0000B9W

Y162736K0000B9W

ნაწილი საფონდო: 224

წინააღმდეგობა: 36 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1625383R000A9W

Y1625383R000A9W

ნაწილი საფონდო: 217

წინააღმდეგობა: 383 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16253K09000T0W

Y16253K09000T0W

ნაწილი საფონდო: 204

წინააღმდეგობა: 3.09 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16242K50000A9W

Y16242K50000A9W

ნაწილი საფონდო: 216

წინააღმდეგობა: 2.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y112127R0000Q0L

Y112127R0000Q0L

ნაწილი საფონდო: 156

წინააღმდეგობა: 27 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y1624499R000T9W

Y1624499R000T9W

ნაწილი საფონდო: 161

წინააღმდეგობა: 499 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y4083120R000Q9W

Y4083120R000Q9W

ნაწილი საფონდო: 4177

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2.5ppm/°C,

სასურველი
Y16259K60000T9W

Y16259K60000T9W

ნაწილი საფონდო: 173

წინააღმდეგობა: 9.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y4014499R000T9W

Y4014499R000T9W

ნაწილი საფონდო: 1124

წინააღმდეგობა: 499 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2.5ppm/°C,

სასურველი
Y0795499R000Q0W

Y0795499R000Q0W

ნაწილი საფონდო: 152

წინააღმდეგობა: 499 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.02W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±3ppm/°C,

სასურველი
Y112147R0000Q0L

Y112147R0000Q0L

ნაწილი საფონდო: 125

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y16259K53000T9W

Y16259K53000T9W

ნაწილი საფონდო: 248

წინააღმდეგობა: 9.53 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16255K23000A0W

Y16255K23000A0W

ნაწილი საფონდო: 260

წინააღმდეგობა: 5.23 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y08568R00000D9W

Y08568R00000D9W

ნაწილი საფონდო: 171

წინააღმდეგობა: 8 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y1624125R000A9W

Y1624125R000A9W

ნაწილი საფონდო: 231

წინააღმდეგობა: 125 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y40239K60000T9W

Y40239K60000T9W

ნაწილი საფონდო: 221

წინააღმდეგობა: 9.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y11219R60000B9L

Y11219R60000B9L

ნაწილი საფონდო: 134

წინააღმდეგობა: 9.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y1625166R000Q9W

Y1625166R000Q9W

ნაწილი საფონდო: 246

წინააღმდეგობა: 166 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1636250R000T0W

Y1636250R000T0W

ნაწილი საფონდო: 209

წინააღმდეგობა: 250 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი