Menu
საქართველოსაქართველო
0Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

თირისტორები - SCR

VS-25TTS08FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS08FP-M3

ნაწილი საფონდო: 27190

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 45mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.25V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 16A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 25A,

სასურველი
VS-ST1200C20K1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C20K1

ნაწილი საფონდო: 321

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.73V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1650A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 3080A,

სასურველი
VS-ST700C16L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C16L1L

ნაწილი საფონდო: 570

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.8V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 910A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1857A,

სასურველი
VS-40TPS16-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TPS16-M3

ნაწილი საფონდო: 7354

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.85V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 35A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 55A,

სასურველი
VS-111RKI120MPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-111RKI120MPBF

ნაწილი საფონდო: 776

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 120mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.57V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 110A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 172A,

სასურველი
VS-ST083S10PFK0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S10PFK0P

ნაწილი საფონდო: 974

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.15V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 85A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 135A,

სასურველი
VS-ST280S04P0V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST280S04P0V

ნაწილი საფონდო: 733

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.28V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 280A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 440A,

სასურველი
VS-ST730C08L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C08L0

ნაწილი საფონდო: 602

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.62V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 990A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 2000A,

სასურველი
VS-ST330S16P1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S16P1PBF

ნაწილი საფონდო: 483

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.52V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 330A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 520A,

სასურველი
VS-ST180S08P0V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S08P0V

ნაწილი საფონდო: 705

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.75V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 200A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 314A,

სასურველი
VS-ST700C12L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C12L0

ნაწილი საფონდო: 627

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.8V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 910A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1857A,

სასურველი
VS-ST1280C06K0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1280C06K0L

ნაწილი საფონდო: 394

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.44V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 2310A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 4150A,

სასურველი
VS-ST330S16P1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S16P1

ნაწილი საფონდო: 416

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.52V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 330A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 520A,

სასურველი
VS-ST110S12P1VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S12P1VPBF

ნაწილი საფონდო: 1228

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.52V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 110A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 175A,

სასურველი
VS-180RKI100PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-180RKI100PBF

ნაწილი საფონდო: 1106

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.35V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 180A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 285A,

სასურველი
VS-ST1000C16K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C16K0

ნაწილი საფონდო: 380

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.8V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1473A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 2913A,

სასურველი
VS-ST330C12L1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C12L1

ნაწილი საფონდო: 621

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.96V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 720A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1420A,

სასურველი
VS-ST083S10PFK1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S10PFK1

ნაწილი საფონდო: 843

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.15V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 85A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 135A,

სასურველი
VS-ST730C14L1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C14L1

ნაწილი საფონდო: 637

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.62V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 990A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 2000A,

სასურველი
VS-ST183C04CFN0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST183C04CFN0

ნაწილი საფონდო: 1083

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.8V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 370A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 690A,

სასურველი
VS-ST330C16L1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C16L1

ნაწილი საფონდო: 587

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.96V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 720A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1420A,

სასურველი
VS-25RIA120
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA120

ნაწილი საფონდო: 3842

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 25A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 40A,

სასურველი
VS-ST1200C20K0LP
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C20K0LP

ნაწილი საფონდო: 398

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.73V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1650A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 3080A,

სასურველი
VS-ST303C04LFK0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C04LFK0

ნაწილი საფონდო: 491

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.16V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 620A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1180A,

სასურველი
VS-ST330C16C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C16C0

ნაწილი საფონდო: 674

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.96V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 720A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1420A,

სასურველი
VS-ST650C22L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST650C22L0

ნაწილი საფონდო: 480

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 2.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.07V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 790A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1557A,

სასურველი
VS-ST730C14L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C14L1L

ნაწილი საფონდო: 562

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.62V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 990A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 2000A,

სასურველი
VS-ST730C14L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C14L0

ნაწილი საფონდო: 556

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.62V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 990A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 2000A,

სასურველი
VS-ST110S12P0V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S12P0V

ნაწილი საფონდო: 874

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.52V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 110A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 175A,

სასურველი
VS-ST230C16C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C16C0

ნაწილი საფონდო: 984

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.69V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 410A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 780A,

სასურველი
VS-ST230S04P0VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S04P0VPBF

ნაწილი საფონდო: 1068

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.55V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 230A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 360A,

სასურველი
VS-111RKI120M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-111RKI120M

ნაწილი საფონდო: 783

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 120mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.57V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 110A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 172A,

სასურველი
VS-ST1230C16K0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C16K0P

ნაწილი საფონდო: 345

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.62V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1745A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 3200A,

სასურველი
VS-ST110S16P1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S16P1PBF

ნაწილი საფონდო: 1084

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.52V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 110A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 175A,

სასურველი
VS-ST303C08CFN1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C08CFN1

ნაწილი საფონდო: 852

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.16V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 620A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1180A,

სასურველი
VS-ST303C12CFK1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12CFK1L

ნაწილი საფონდო: 719

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.16V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 620A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1180A,

სასურველი