Menu
საქართველოსაქართველო
0Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

თირისტორები - SCR

40TPS12
Vishay Semiconductor Diodes Division

40TPS12

ნაწილი საფონდო: 7524

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.85V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 35A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 55A,

სასურველი
70TPS16
Vishay Semiconductor Diodes Division

70TPS16

ნაწილი საფონდო: 7632

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 100mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.4V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 70A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 75A,

სასურველი
70TPS12
Vishay Semiconductor Diodes Division

70TPS12

ნაწილი საფონდო: 7598

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 100mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.4V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 70A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 75A,

სასურველი
VS-ST330S08P0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S08P0

ნაწილი საფონდო: 466

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.52V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 330A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 520A,

სასურველი
VS-ST110S16M1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S16M1

ნაწილი საფონდო: 751

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.52V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 110A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 175A,

სასურველი
VS-10RIA20
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10RIA20

ნაწილი საფონდო: 8870

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 200V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.75V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 10A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 25A,

სასურველი
VS-ST1230C16K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C16K0

ნაწილი საფონდო: 253

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.62V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1745A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 3200A,

სასურველი
VS-2N687
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N687

ნაწილი საფონდო: 8718

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 300V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 40mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 16A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 25A,

სასურველი
VS-2N5207
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N5207

ნაწილი საფონდო: 4744

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 40mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.3V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 22A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 35A,

სასურველი
VS-10RIA120
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10RIA120

ნაწილი საფონდო: 5163

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.75V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 10A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 25A,

სასურველი
VS-ST230S16P0PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S16P0PBF

ნაწილი საფონდო: 816

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.55V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 230A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 360A,

სასურველი
VS-10RIA60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10RIA60

ნაწილი საფონდო: 6932

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.75V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 10A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 25A,

სასურველი
VS-ST330C14C0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C14C0L

ნაწილი საფონდო: 751

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.96V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 720A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1420A,

სასურველი
VS-ST110S14P0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S14P0

ნაწილი საფონდო: 791

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.52V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 110A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 175A,

სასურველი
VS-2N689
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N689

ნაწილი საფონდო: 8208

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 500V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 40mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 16A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 25A,

სასურველი
VS-25RIA100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA100

ნაწილი საფონდო: 4921

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 25A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 40A,

სასურველი
VS-25RIA80
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA80

ნაწილი საფონდო: 5310

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 25A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 40A,

სასურველი
VS-2N686
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N686

ნაწილი საფონდო: 8703

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 250V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 40mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 16A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 25A,

სასურველი
VS-2N683
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N683

ნაწილი საფონდო: 8778

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 100V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 40mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 16A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 25A,

სასურველი
VS-16RIA80
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA80

ნაწილი საფონდო: 4544

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.75V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 16A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 35A,

სასურველი
VS-25RIA80M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA80M

ნაწილი საფონდო: 4542

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 25A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 40A,

სასურველი
VS-22RIA40M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-22RIA40M

ნაწილი საფონდო: 4593

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 22A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 35A,

სასურველი
VS-ST103S08PFN1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST103S08PFN1

ნაწილი საფონდო: 851

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.73V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 105A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 165A,

სასურველი
VS-16RIA120MS90
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA120MS90

ნაწილი საფონდო: 4592

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.75V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 16A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 35A,

სასურველი
VS-22RIA100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-22RIA100

ნაწილი საფონდო: 5769

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 22A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 35A,

სასურველი
VS-16RIA20M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA20M

ნაწილი საფონდო: 4528

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 200V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.75V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 16A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 35A,

სასურველი
VS-22RIA120M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-22RIA120M

ნაწილი საფონდო: 4586

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 22A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 35A,

სასურველი
VS-ST230S12P0VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S12P0VPBF

ნაწილი საფონდო: 780

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.55V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 230A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 360A,

სასურველი
VS-22RIA100M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-22RIA100M

ნაწილი საფონდო: 4570

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 22A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 35A,

სასურველი
VS-22RIA40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-22RIA40

ნაწილი საფონდო: 6627

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 22A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 35A,

სასურველი
VS-180RKI80PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-180RKI80PBF

ნაწილი საფონდო: 1337

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.35V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 180A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 285A,

სასურველი
VS-ST103S08PFN2
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST103S08PFN2

ნაწილი საფონდო: 830

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.73V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 105A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 165A,

სასურველი
VS-25RIA120MS90
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA120MS90

ნაწილი საფონდო: 4585

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 25A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 40A,

სასურველი
VS-22RIA60M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-22RIA60M

ნაწილი საფონდო: 4575

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 22A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 35A,

სასურველი
VS-16RIA10M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA10M

ნაწილი საფონდო: 4619

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 100V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.75V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 16A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 35A,

სასურველი
VS-ST110S12P2V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S12P2V

ნაწილი საფონდო: 863

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.52V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 110A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 175A,

სასურველი