Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

თირისტორები - SCR

VS-2N682
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N682

ნაწილი საფონდო: 9141

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 50V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 40mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 16A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 25A,

სასურველი
VS-22RIA80
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-22RIA80

ნაწილი საფონდო: 5485

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 22A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 35A,

სასურველი
VS-16RIA100M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA100M

ნაწილი საფონდო: 4523

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.75V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 16A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 35A,

სასურველი
VS-10RIA120M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10RIA120M

ნაწილი საფონდო: 4596

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.75V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 25A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 10A,

სასურველი
VS-10RIA100M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10RIA100M

ნაწილი საფონდო: 4578

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.75V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 25A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 10A,

სასურველი
VS-16RIA40M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA40M

ნაწილი საფონდო: 4567

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.75V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 16A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 35A,

სასურველი
VS-25RIA40M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA40M

ნაწილი საფონდო: 4612

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 25A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 40A,

სასურველი
VS-ST330C16L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C16L0

ნაწილი საფონდო: 581

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.9V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 650A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1230A,

სასურველი
VS-2N5205
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N5205

ნაწილი საფონდო: 5742

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 40mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.3V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 22A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 35A,

სასურველი
VS-10RIA100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10RIA100

ნაწილი საფონდო: 5671

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.75V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 10A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 25A,

სასურველი
VS-ST173S10PFP1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST173S10PFP1

ნაწილი საფონდო: 691

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.07V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 175A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 275A,

სასურველი
VS-ST230S14P0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S14P0

ნაწილი საფონდო: 643

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.55V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 230A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 360A,

სასურველი
VS-ST330S12P0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S12P0

ნაწილი საფონდო: 433

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.52V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 330A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 520A,

სასურველი
VS-ST180S12P0V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S12P0V

ნაწილი საფონდო: 768

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.75V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 200A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 314A,

სასურველი
VS-25RIA10
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA10

ნაწილი საფონდო: 7994

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 100V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 25A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 40A,

სასურველი
VS-ST730C16L0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C16L0L

ნაწილი საფონდო: 612

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.62V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 990A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 2000A,

სასურველი
VS-2N681
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N681

ნაწილი საფონდო: 9171

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 25V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 40mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 16A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 25A,

სასურველი
VS-ST180S12P0VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S12P0VPBF

ნაწილი საფონდო: 999

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.75V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 200A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 314A,

სასურველი
VS-22RIA120S90
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-22RIA120S90

ნაწილი საფონდო: 3993

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 22A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 35A,

სასურველი
VS-16RIA20
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA20

ნაწილი საფონდო: 8847

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 200V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.75V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 16A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 35A,

სასურველი
VS-16RIA80M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA80M

ნაწილი საფონდო: 4617

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.75V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 16A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 35A,

სასურველი
VS-10RIA40M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10RIA40M

ნაწილი საფონდო: 4605

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.75V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 25A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 10A,

სასურველი
VS-25RIA20M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA20M

ნაწილი საფონდო: 4523

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 200V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 25A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 40A,

სასურველი
VS-ST330C12C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C12C0

ნაწილი საფონდო: 800

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.96V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 720A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1420A,

სასურველი
VS-2N691
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N691

ნაწილი საფონდო: 6111

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 700V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 40mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 16A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 25A,

სასურველი
VS-16RIA10
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA10

ნაწილი საფონდო: 8911

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 100V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.75V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 16A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 35A,

სასურველი
VS-ST303C12CFK0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12CFK0

ნაწილი საფონდო: 754

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.16V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 620A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1180A,

სასურველი
VS-22RIA80M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-22RIA80M

ნაწილი საფონდო: 4527

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 22A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 35A,

სასურველი
VS-16RIA120M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA120M

ნაწილი საფონდო: 4556

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.75V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 16A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 35A,

სასურველი
VS-ST110S16P0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S16P0

ნაწილი საფონდო: 685

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.52V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 110A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 175A,

სასურველი
VS-25RIA20
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA20

ნაწილი საფონდო: 7289

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 200V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 25A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 40A,

სასურველი
VS-ST230C12C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C12C0

ნაწილი საფონდო: 1106

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.69V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 410A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 780A,

სასურველი
VS-22RIA60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-22RIA60

ნაწილი საფონდო: 6023

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 22A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 35A,

სასურველი
VS-ST110S04P0V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S04P0V

ნაწილი საფონდო: 1050

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.52V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 110A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 175A,

სასურველი
VS-40TPS12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TPS12-M3

ნაწილი საფონდო: 13041

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.85V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 35A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 55A,

სასურველი
VS-ST110S12P1V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S12P1V

ნაწილი საფონდო: 914

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.52V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 110A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 175A,

სასურველი