Menu
საქართველოსაქართველო
0Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

თირისტორები - SCR

VS-ST733C08LFM1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST733C08LFM1

ნაწილი საფონდო: 594

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.63V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 940A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1900A,

სასურველი
VS-81RIA120
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-81RIA120

ნაწილი საფონდო: 1619

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 120mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.6V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 80A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 125A,

სასურველი
VS-ST1280C06K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1280C06K0

ნაწილი საფონდო: 362

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.44V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 2310A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 4150A,

სასურველი
VS-ST110S12P0VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S12P0VPBF

ნაწილი საფონდო: 1177

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.52V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 110A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 175A,

სასურველი
VS-ST083S12PFK0LP
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S12PFK0LP

ნაწილი საფონდო: 975

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.15V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 85A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 135A,

სასურველი
VS-81RIA80M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-81RIA80M

ნაწილი საფონდო: 857

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 120mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.6V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 80A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 125A,

სასურველი
VS-180RKI40PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-180RKI40PBF

ნაწილი საფონდო: 1501

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.35V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 180A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 285A,

სასურველი
VS-ST330S12Q0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S12Q0

ნაწილი საფონდო: 463

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.52V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 330A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 520A,

სასურველი
VS-ST300C16C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C16C0

ნაწილი საფონდო: 740

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.18V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 650A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1290A,

სასურველი
VS-ST230S16M1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S16M1

ნაწილი საფონდო: 729

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.55V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 230A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 360A,

სასურველი
VS-ST303C10LFJ0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C10LFJ0

ნაწილი საფონდო: 415

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.16V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 515A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 995A,

სასურველი
VS-ST330C12L0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C12L0L

ნაწილი საფონდო: 656

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.96V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 720A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1420A,

სასურველი
VS-ST700C16L0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C16L0L

ნაწილი საფონდო: 635

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.8V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 910A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1857A,

სასურველი
VS-ST730C12L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C12L0

ნაწილი საფონდო: 641

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.62V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 990A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 2000A,

სასურველი
VS-ST333C08CFM0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C08CFM0

ნაწილი საფონდო: 765

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.96V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 720A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1435A,

სასურველი
VS-ST230C16C1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C16C1L

ნაწილი საფონდო: 1023

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.69V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 410A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 780A,

სასურველი
VS-111RKI80
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-111RKI80

ნაწილი საფონდო: 1567

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 120mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.57V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 110A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 172A,

სასურველი
VS-110RKI80PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-110RKI80PBF

ნაწილი საფონდო: 1871

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 120mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.57V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 110A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 172A,

სასურველი
VS-ST1000C24K0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C24K0L

ნაწილი საფონდო: 271

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 2.4kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.8V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1473A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 2913A,

სასურველი
VS-ST083S08MFM1P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S08MFM1P

ნაწილი საფონდო: 757

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.15V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 85A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 135A,

სასურველი
VS-ST110S04P1V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S04P1V

ნაწილი საფონდო: 1072

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.52V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 110A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 175A,

სასურველი
VS-ST1230C16K0LP
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C16K0LP

ნაწილი საფონდო: 312

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.62V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1745A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 3200A,

სასურველი
VS-ST1000C12K1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C12K1

ნაწილი საფონდო: 359

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.8V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1473A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 2913A,

სასურველი
VS-ST333C08CFM1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C08CFM1

ნაწილი საფონდო: 748

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.96V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 720A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1435A,

სასურველი
VS-ST173C10CFK1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST173C10CFK1

ნაწილი საფონდო: 1036

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.07V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 330A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 610A,

სასურველი
VS-ST300C08C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C08C0

ნაწილი საფონდო: 973

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.18V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 650A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1290A,

სასურველი
VS-ST183C08CFN0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST183C08CFN0

ნაწილი საფონდო: 1163

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.8V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 370A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 690A,

სასურველი
VS-ST300C20C0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C20C0L

ნაწილი საფონდო: 526

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.18V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 650A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1290A,

სასურველი
VS-ST330C04C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C04C0

ნაწილი საფონდო: 998

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.96V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 720A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1420A,

სასურველი
VS-40TPS08-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TPS08-M3

ნაწილი საფონდო: 13176

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.85V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 35A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 55A,

სასურველი
VS-ST303C12LFK0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12LFK0L

ნაწილი საფონდო: 399

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.16V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 620A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1180A,

სასურველი
VS-ST083S12MFK2LP
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S12MFK2LP

ნაწილი საფონდო: 713

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.15V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 85A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 135A,

სასურველი
VS-25RIA120S90
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA120S90

ნაწილი საფონდო: 3283

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 25A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 40A,

სასურველი
VS-ST333S08PFL0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333S08PFL0P

ნაწილი საფონდო: 657

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.96V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 330A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 518A,

სასურველი
VS-181RKI80PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-181RKI80PBF

ნაწილი საფონდო: 1382

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.35V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 180A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 285A,

სასურველი
VS-50RIA20M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA20M

ნაწილი საფონდო: 2641

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 200V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 100mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.6V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 50A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 80A,

სასურველი