ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

2312 275 19765

2312 275 19765

ნაწილი საფონდო: 5498

წინააღმდეგობა: 9.76 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
2312 275 18205

2312 275 18205

ნაწილი საფონდო: 2632

წინააღმდეგობა: 8.2 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
2312 275 16195

2312 275 16195

ნაწილი საფონდო: 5421

წინააღმდეგობა: 6.19 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
2312 275 15605

2312 275 15605

ნაწილი საფონდო: 5447

წინააღმდეგობა: 5.6 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
2312 275 15905

2312 275 15905

ნაწილი საფონდო: 1711

წინააღმდეგობა: 5.9 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
MCU08050D3922BP500

MCU08050D3922BP500

ნაწილი საფონდო: 190599

წინააღმდეგობა: 39.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
BCR1000BFMAHWT

BCR1000BFMAHWT

ნაწილი საფონდო: 13216

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
BCR10001FMAHWT

BCR10001FMAHWT

ნაწილი საფონდო: 13228

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
BCR4700BFMAHWT

BCR4700BFMAHWT

ნაწილი საფონდო: 13240

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
BCR4700BFMAHWS

BCR4700BFMAHWS

ნაწილი საფონდო: 20995

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
BCR1000BFMAHWS

BCR1000BFMAHWS

ნაწილი საფონდო: 20926

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
BCR10001FMAHWS

BCR10001FMAHWS

ნაწილი საფონდო: 20959

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
D2TO035CR0680FTE3

D2TO035CR0680FTE3

ნაწილი საფონდო: 4807

წინააღმდეგობა: 68 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±700ppm/°C,

სასურველი
D2TO035CR0500FTE3

D2TO035CR0500FTE3

ნაწილი საფონდო: 4374

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±700ppm/°C,

სასურველი
D2TO035CR0100FTE3

D2TO035CR0100FTE3

ნაწილი საფონდო: 4805

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±1100ppm/°C,

სასურველი
D2TO035CR0220FTE3

D2TO035CR0220FTE3

ნაწილი საფონდო: 4869

წინააღმდეგობა: 22 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±1100ppm/°C,

სასურველი
D2TO035CR1000FTE3

D2TO035CR1000FTE3

ნაწილი საფონდო: 4795

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
D2TO020CR0320FTE3

D2TO020CR0320FTE3

ნაწილი საფონდო: 5427

წინააღმდეგობა: 32 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±1100ppm/°C,

სასურველი
D2TO035CR0370FTE3

D2TO035CR0370FTE3

ნაწილი საფონდო: 5367

წინააღმდეგობა: 37 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±1100ppm/°C,

სასურველი
D2TO020CR0150FTE3

D2TO020CR0150FTE3

ნაწილი საფონდო: 5871

წინააღმდეგობა: 15 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±1100ppm/°C,

სასურველი
D2TO035C1R000FTE3

D2TO035C1R000FTE3

ნაწილი საფონდო: 5743

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
D2TO035C47R00FTE3

D2TO035C47R00FTE3

ნაწილი საფონდო: 5777

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
D2TO035CR4700FTE3

D2TO035CR4700FTE3

ნაწილი საფონდო: 5802

წინააღმდეგობა: 470 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
D2TO020CR0220FTE3

D2TO020CR0220FTE3

ნაწილი საფონდო: 5904

წინააღმდეგობა: 22 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±1100ppm/°C,

სასურველი
D2TO035C2R200FTE3

D2TO035C2R200FTE3

ნაწილი საფონდო: 5757

წინააღმდეგობა: 2.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
D2TO020CR0100FTE3

D2TO020CR0100FTE3

ნაწილი საფონდო: 5869

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±1100ppm/°C,

სასურველი
D2TO035C100R0FTE3

D2TO035C100R0FTE3

ნაწილი საფონდო: 5818

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
D2TO035C15R00FTE3

D2TO035C15R00FTE3

ნაწილი საფონდო: 5761

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
D2TO035C22R00FTE3

D2TO035C22R00FTE3

ნაწილი საფონდო: 5756

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
D2TO035C10R00FTE3

D2TO035C10R00FTE3

ნაწილი საფონდო: 5754

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
D2TO020CR0270FTE3

D2TO020CR0270FTE3

ნაწილი საფონდო: 5918

წინააღმდეგობა: 27 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±1100ppm/°C,

სასურველი
D2TO020CR0160FTE3

D2TO020CR0160FTE3

ნაწილი საფონდო: 5873

წინააღმდეგობა: 16 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±1100ppm/°C,

სასურველი
D2TO020CR0500FTE3

D2TO020CR0500FTE3

ნაწილი საფონდო: 6225

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±700ppm/°C,

სასურველი
D2TO035CR0150FTE3

D2TO035CR0150FTE3

ნაწილი საფონდო: 6865

წინააღმდეგობა: 15 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±1100ppm/°C,

სასურველი
D2TO035CR0160FTE3

D2TO035CR0160FTE3

ნაწილი საფონდო: 6880

წინააღმდეგობა: 16 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±1100ppm/°C,

სასურველი
D2TO020CR0680FTE3

D2TO020CR0680FTE3

ნაწილი საფონდო: 6814

წინააღმდეგობა: 68 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±700ppm/°C,

სასურველი