ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

D2TO020C2R000FTE3

D2TO020C2R000FTE3

ნაწილი საფონდო: 8212

წინააღმდეგობა: 2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
D2TO020CR3300FTE3

D2TO020CR3300FTE3

ნაწილი საფონდო: 8169

წინააღმდეგობა: 330 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
D2TO020C1R000FTE3

D2TO020C1R000FTE3

ნაწილი საფონდო: 8190

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
D2TO020C68R00FTE3

D2TO020C68R00FTE3

ნაწილი საფონდო: 8229

წინააღმდეგობა: 68 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
D2TO035C27000FTE3

D2TO035C27000FTE3

ნაწილი საფონდო: 8186

წინააღმდეგობა: 2.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
D2TO035CR0200KTE3

D2TO035CR0200KTE3

ნაწილი საფონდო: 8520

წინააღმდეგობა: 20 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±1100ppm/°C,

სასურველი
D2TO020CR0150JTE3

D2TO020CR0150JTE3

ნაწილი საფონდო: 8549

წინააღმდეგობა: 15 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±1100ppm/°C,

სასურველი
D2TO035CR0200JTE3

D2TO035CR0200JTE3

ნაწილი საფონდო: 8478

წინააღმდეგობა: 20 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±1100ppm/°C,

სასურველი
D2TO020CR0200KTE3

D2TO020CR0200KTE3

ნაწილი საფონდო: 8593

წინააღმდეგობა: 20 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±1100ppm/°C,

სასურველი
D2TO020CR0320FRE3

D2TO020CR0320FRE3

ნაწილი საფონდო: 8533

წინააღმდეგობა: 32 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±1100ppm/°C,

სასურველი
PFRR1206Y5003WBT

PFRR1206Y5003WBT

ნაწილი საფონდო: 9300

წინააღმდეგობა: 500 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
PFRR1206Y1004WBT

PFRR1206Y1004WBT

ნაწილი საფონდო: 9291

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
PFRR1206Y1001WBT

PFRR1206Y1001WBT

ნაწილი საფონდო: 9361

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
D2TO035C26100JTE3

D2TO035C26100JTE3

ნაწილი საფონდო: 9343

წინააღმდეგობა: 2.61 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
D2TO035C25R00JTE3

D2TO035C25R00JTE3

ნაწილი საფონდო: 9326

წინააღმდეგობა: 25 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
D2TO035C17R00JTE3

D2TO035C17R00JTE3

ნაწილი საფონდო: 9310

წინააღმდეგობა: 17 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
D2TO035C5R000JTE3

D2TO035C5R000JTE3

ნაწილი საფონდო: 9366

წინააღმდეგობა: 5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
D2TO035C124R0JTE3

D2TO035C124R0JTE3

ნაწილი საფონდო: 9310

წინააღმდეგობა: 124 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
D2TO035C5R000KTE3

D2TO035C5R000KTE3

ნაწილი საფონდო: 9312

წინააღმდეგობა: 5 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
D2TO035C34000JTE3

D2TO035C34000JTE3

ნაწილი საფონდო: 9355

წინააღმდეგობა: 3.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
D2TO035C934R0JTE3

D2TO035C934R0JTE3

ნაწილი საფონდო: 9349

წინააღმდეგობა: 934 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
PHT2010Y3004BGTB

PHT2010Y3004BGTB

ნაწილი საფონდო: 9234

წინააღმდეგობა: 3 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
D2TO035C174R0JTE3

D2TO035C174R0JTE3

ნაწილი საფონდო: 9397

წინააღმდეგობა: 174 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
D2TO035C26000JTE3

D2TO035C26000JTE3

ნაწილი საფონდო: 9356

წინააღმდეგობა: 2.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
D2TO020C31200JTE3

D2TO020C31200JTE3

ნაწილი საფონდო: 9422

წინააღმდეგობა: 3.12 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
PHT2010Y1003BGTB

PHT2010Y1003BGTB

ნაწილი საფონდო: 10278

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
D2TO020C26100JTE3

D2TO020C26100JTE3

ნაწილი საფონდო: 9343

წინააღმდეგობა: 2.61 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
D2TO020C24901KTE3

D2TO020C24901KTE3

ნაწილი საფონდო: 9364

წინააღმდეგობა: 24.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
D2TO020C49992KTE3

D2TO020C49992KTE3

ნაწილი საფონდო: 9384

წინააღმდეგობა: 499.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
D2TO020C49R00JTE3

D2TO020C49R00JTE3

ნაწილი საფონდო: 9409

წინააღმდეგობა: 49 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
D2TO020C25R00JTE3

D2TO020C25R00JTE3

ნაწილი საფონდო: 9412

წინააღმდეგობა: 25 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
D2TO020CR5000KTE3

D2TO020CR5000KTE3

ნაწილი საფონდო: 9346

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
D2TO020CR0160FRE3

D2TO020CR0160FRE3

ნაწილი საფონდო: 9409

წინააღმდეგობა: 16 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±1100ppm/°C,

სასურველი
D2TO020C22100KTE3

D2TO020C22100KTE3

ნაწილი საფონდო: 9377

წინააღმდეგობა: 2.21 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
D2TO020C5R000JTE3

D2TO020C5R000JTE3

ნაწილი საფონდო: 9349

წინააღმდეგობა: 5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
MCU0805MD2001BP100

MCU0805MD2001BP100

ნაწილი საფონდო: 154371

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი