თირისტორები - SCRs - მოდულები | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 21

113MT80KB

ნაწილი საფონდო: 9773

სტრუქტურა: Bridge, 3-Phase - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 6 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 110A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT500-16PBF

ნაწილი საფონდო: 158

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 500A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 785A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT41/16

ნაწილი საფონდო: 1864

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 45A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 100A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKN105/06

ნაწილი საფონდო: 1902

სტრუქტურა: Common Anode - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 105A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 235A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT105/08

ნაწილი საფონდო: 1738

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 105A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 235A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKU41/10

ნაწილი საფონდო: 1932

სტრუქტურა: Common Cathode - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 45A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 70A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL136/08PBF

ნაწილი საფონდო: 1166

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 135A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 300A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P124

ნაწილი საფონდო: 2146

სტრუქტურა: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 3), SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, 2 Diodes, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-T70RIA120S90

ნაწილი საფონდო: 2189

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 70A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 110A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH230-12PBF

ნაწილი საფონდო: 527

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 230A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 510A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT320-12PBF

ნაწილი საფონდო: 446

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 320A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 710A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT26/08

ნაწილი საფონდო: 2068

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 27A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 60A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P105

ნაწილი საფონდო: 2114

სტრუქტურა: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, 2 Diodes, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST380C06C0L

ნაწილი საფონდო: 876

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 960A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1900A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL230-16PBF

ნაწილი საფონდო: 443

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 230A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 510A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-T50RIA120

ნაწილი საფონდო: 2414

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 50A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 80A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH170-12PBF

ნაწილი საფონდო: 524

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 170A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 377A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKV71/04

ნაწილი საფონდო: 1806

სტრუქტურა: Common Anode - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 75A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 115A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT170-14PBF

ნაწილი საფონდო: 543

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 170A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 377A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT56/04

ნაწილი საფონდო: 2024

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 60A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 135A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT91/14

ნაწილი საფონდო: 1655

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 95A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 210A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P435

ნაწილი საფონდო: 1790

სტრუქტურა: Bridge, Single Phase - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 4 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 40A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKN56/08

ნაწილი საფონდო: 2027

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 60A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 135A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT170-04PBF

ნაწილი საფონდო: 406

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 170A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 377A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH71/10

ნაწილი საფონდო: 1880

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 75A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 165A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKU56/16

ნაწილი საფონდო: 1970

სტრუქტურა: Common Cathode - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 60A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 95A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH500-14PBF

ნაწილი საფონდო: 250

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 500A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 785A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH162/14PBF

ნაწილი საფონდო: 1076

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 160A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 355A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-T90RIA120S90

ნაწილი საფონდო: 1787

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 90A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 141A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH250-04PBF

ნაწილი საფონდო: 477

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 250A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 555A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P405W

ნაწილი საფონდო: 1786

სტრუქტურა: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, 2 Diodes, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH136/16PBF

ნაწილი საფონდო: 1175

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 135A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 300A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH91/12

ნაწილი საფონდო: 1713

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 95A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 210A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKN56/06

ნაწილი საფონდო: 2036

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 60A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 135A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT26/12

ნაწილი საფონდო: 2066

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 27A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 60A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-T70RIA120

ნაწილი საფონდო: 2345

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 70A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 110A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი