Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

თირისტორები - SCRs - მოდულები

  • სახლი
  •  
  • თირისტორები - SCRs - მოდულები
VS-P101W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P101W

ნაწილი საფონდო: 2150

სტრუქტურა: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, 2 Diodes, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სასურველი
VS-VSKL250-20PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL250-20PBF

ნაწილი საფონდო: 245

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 250A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 555A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
VS-VSKU56/04
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKU56/04

ნაწილი საფონდო: 2077

სტრუქტურა: Common Cathode - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 60A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 95A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-T50RIA60S90
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-T50RIA60S90

ნაწილი საფონდო: 2370

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 50A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 80A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-VSKT136/16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT136/16PBF

ნაწილი საფონდო: 1123

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 135A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 300A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-VSKN105/12
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKN105/12

ნაწილი საფონდო: 1828

სტრუქტურა: Common Anode - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 105A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 235A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-VSKH250-18PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH250-18PBF

ნაწილი საფონდო: 318

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 250A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 555A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
VS-VSKV41/06
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKV41/06

ნაწილი საფონდო: 1982

სტრუქტურა: Common Cathode - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 45A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 70A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-VSKT570-18PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT570-18PBF

ნაწილი საფონდო: 304

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 570A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 895A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
VS-VSKT41/14
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT41/14

ნაწილი საფონდო: 1949

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 45A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 100A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-VSKV105/12
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKV105/12

ნაწილი საფონდო: 1860

სტრუქტურა: Common Anode - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 105A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 165A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-VSKH105/16
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH105/16

ნაწილი საფონდო: 1539

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 105A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 235A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-VSKL105/12
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL105/12

ნაწილი საფონდო: 1814

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 105A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 235A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-VSKH26/10
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH26/10

ნაწილი საფონდო: 2212

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 27A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 60A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-VSKL136/04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL136/04PBF

ნაწილი საფონდო: 1193

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 135A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 300A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-VSKT570-16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT570-16PBF

ნაწილი საფონდო: 263

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 570A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 894A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
VS-VSKH230-08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH230-08PBF

ნაწილი საფონდო: 402

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 230A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 510A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
VS-VSKT71/10
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT71/10

ნაწილი საფონდო: 1769

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 75A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 165A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-P135
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P135

ნაწილი საფონდო: 1806

სტრუქტურა: Bridge, Single Phase - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 4 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სასურველი
VS-VSKN71/12
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKN71/12

ნაწილი საფონდო: 2028

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 75A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 165A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-VSKH71/14
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH71/14

ნაწილი საფონდო: 1911

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 75A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 165A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-VSKT320-14PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT320-14PBF

ნაწილი საფონდო: 229

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 320A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 710A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
VS-VSKU91/06
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKU91/06

ნაწილი საფონდო: 1769

სტრუქტურა: Common Cathode - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 95A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 150A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-VSKU105/06
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKU105/06

ნაწილი საფონდო: 1696

სტრუქტურა: Common Cathode - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 105A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 165A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-VSKL250-18PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL250-18PBF

ნაწილი საფონდო: 313

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 250A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 555A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
VS-P105KW
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P105KW

ნაწილი საფონდო: 1882

სტრუქტურა: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, 2 Diodes, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სასურველი
VS-VSKL136/16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL136/16PBF

ნაწილი საფონდო: 1129

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 135A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 300A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-VSKU105/12
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKU105/12

ნაწილი საფონდო: 1747

სტრუქტურა: Common Cathode - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 105A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 165A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-VSKT170-16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT170-16PBF

ნაწილი საფონდო: 561

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 170A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 377A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
VS-VSKU250-12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKU250-12PBF

ნაწილი საფონდო: 413

სტრუქტურა: Common Cathode - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 250A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 555A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
VS-VSKH71/08
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH71/08

ნაწილი საფონდო: 1837

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 75A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 165A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-VSKV56/04
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKV56/04

ნაწილი საფონდო: 2087

სტრუქტურა: Common Cathode - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 60A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 95A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-VSKL26/06
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL26/06

ნაწილი საფონდო: 2189

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 27A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 60A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-P422
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P422

ნაწილი საფონდო: 2037

სტრუქტურა: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 3), SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, 2 Diodes, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 40A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სასურველი
VS-P405
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P405

ნაწილი საფონდო: 1918

სტრუქტურა: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, 2 Diodes, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 40A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სასურველი
VS-VSKL91/06
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL91/06

ნაწილი საფონდო: 1908

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 95A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 210A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი