Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

თირისტორები - SCRs - მოდულები

  • სახლი
  •  
  • თირისტორები - SCRs - მოდულები
VS-VSKH162/04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH162/04PBF

ნაწილი საფონდო: 1071

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 160A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 355A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-P424
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P424

ნაწილი საფონდო: 1956

სტრუქტურა: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 3), SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, 2 Diodes, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 40A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სასურველი
VS-VSKN105/08
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKN105/08

ნაწილი საფონდო: 1861

სტრუქტურა: Common Anode - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 105A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 235A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-VSKT71/12
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT71/12

ნაწილი საფონდო: 1767

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 75A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 165A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-P103KW
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P103KW

ნაწილი საფონდო: 1764

სტრუქტურა: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, 2 Diodes, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სასურველი
VS-VSKU26/06
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKU26/06

ნაწილი საფონდო: 2165

სტრუქტურა: Common Cathode - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 27A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 60A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-P103W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P103W

ნაწილი საფონდო: 2042

სტრუქტურა: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, 2 Diodes, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სასურველი
VS-VSKT162/12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT162/12PBF

ნაწილი საფონდო: 1127

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 160A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 355A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-P421
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P421

ნაწილი საფონდო: 2097

სტრუქტურა: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 3), SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, 2 Diodes, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 40A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სასურველი
VS-VSKV91/16
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKV91/16

ნაწილი საფონდო: 1732

სტრუქტურა: Common Anode - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 95A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 150A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-VSKL91/16
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL91/16

ნაწილი საფონდო: 1752

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 95A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 210A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-VSKV41/12
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKV41/12

ნაწილი საფონდო: 2022

სტრუქტურა: Common Cathode - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 45A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 70A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-VSKH500-16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH500-16PBF

ნაწილი საფონდო: 214

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 500A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 785A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
VS-VSKL56/14
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL56/14

ნაწილი საფონდო: 2032

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 60A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 135A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-VSKT230-20PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT230-20PBF

ნაწილი საფონდო: 397

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 230A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 510A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
VS-VSKV71/10
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKV71/10

ნაწილი საფონდო: 1820

სტრუქტურა: Common Anode - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 75A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 115A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-VSKU91/14
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKU91/14

ნაწილი საფონდო: 1760

სტრუქტურა: Common Cathode - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 95A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 150A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-VSKU26/08
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKU26/08

ნაწილი საფონდო: 2097

სტრუქტურა: Common Cathode - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 27A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 60A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-VSKLF200-12HJP
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKLF200-12HJP

ნაწილი საფონდო: 371

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 200A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 444A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
VS-VSKL91/12
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL91/12

ნაწილი საფონდო: 1859

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 95A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 210A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-VSKK230-12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKK230-12PBF

ნაწილი საფონდო: 494

სტრუქტურა: Common Cathode - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 230A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 510A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
VS-VSKV162/12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKV162/12PBF

ნაწილი საფონდო: 248

სტრუქტურა: Common Cathode - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 160A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 355A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-VSKT56/06
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT56/06

ნაწილი საფონდო: 1986

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 60A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 135A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-VSKT136/08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT136/08PBF

ნაწილი საფონდო: 1076

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 135A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 300A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-P102
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P102

ნაწილი საფონდო: 2211

სტრუქტურა: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, 2 Diodes, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სასურველი
VS-VSKT136/14PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT136/14PBF

ნაწილი საფონდო: 1241

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 135A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 300A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-VSKT105/16
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT105/16

ნაწილი საფონდო: 1728

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 105A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 235A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-VSKH230-16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH230-16PBF

ნაწილი საფონდო: 474

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 230A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 510A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
VS-VSKT105/12
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT105/12

ნაწილი საფონდო: 1709

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 105A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 235A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-T90RIA20
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-T90RIA20

ნაწილი საფონდო: 2134

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 200V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 90A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 141A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-VSKT105/10
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT105/10

ნაწილი საფონდო: 1777

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 105A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 235A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-P121
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P121

ნაწილი საფონდო: 2104

სტრუქტურა: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 3), SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, 2 Diodes, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სასურველი
VS-VSKU71/04
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKU71/04

ნაწილი საფონდო: 1815

სტრუქტურა: Common Cathode - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 75A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 115A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-P105W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P105W

ნაწილი საფონდო: 1864

სტრუქტურა: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, 2 Diodes, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სასურველი
VS-VSKN26/16
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKN26/16

ნაწილი საფონდო: 2053

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 27A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 60A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
VS-P425
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P425

ნაწილი საფონდო: 1977

სტრუქტურა: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 3), SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, 2 Diodes, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 40A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სასურველი