Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

თირისტორები - SCR

VS-ST1200C16K3P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C16K3P

ნაწილი საფონდო: 239

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.73V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1650A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 3080A,

სასურველი
VS-ST110S14P0PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S14P0PBF

ნაწილი საფონდო: 1122

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.52V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 110A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 175A,

სასურველი
VS-111RKI40PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-111RKI40PBF

ნაწილი საფონდო: 2105

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 120mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.57V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 110A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 172A,

სასურველი
VS-ST1000C20K1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C20K1

ნაწილი საფონდო: 301

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.8V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1473A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 2913A,

სასურველი
VS-ST230S04P1VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S04P1VPBF

ნაწილი საფონდო: 1121

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.55V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 230A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 360A,

სასურველი
VS-ST223C04CFN0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST223C04CFN0

ნაწილი საფონდო: 1134

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.58V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 390A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 745A,

სასურველი
VS-81RIA40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-81RIA40

ნაწილი საფონდო: 2128

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 120mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.6V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 80A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 125A,

სასურველი
VS-ST300C08L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C08L0

ნაწილი საფონდო: 671

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.18V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 560A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1115A,

სასურველი
VS-50RIA100M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA100M

ნაწილი საფონდო: 2663

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 100mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.6V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 50A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 80A,

სასურველი
VS-ST083S10PFK2P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S10PFK2P

ნაწილი საფონდო: 1018

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.15V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 85A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 135A,

სასურველი
VS-ST780C06L1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST780C06L1

ნაწილი საფონდო: 556

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.31V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1350A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 2700A,

სასურველი
VS-110RKI80
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-110RKI80

ნაწილი საფონდო: 1589

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 120mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.57V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 110A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 172A,

სასურველი
VS-ST280CH04C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST280CH04C0

ნაწილი საფონდო: 1110

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.35V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 500A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1130A,

სასურველი
VS-ST333C04LFM1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C04LFM1

ნაწილი საფონდო: 504

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.96V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 720A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1435A,

სასურველი
VS-ST303C12LFH0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12LFH0

ნაწილი საფონდო: 421

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.16V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 620A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1180A,

სასურველი
VS-ST1000C22K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C22K0

ნაწილი საფონდო: 391

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 2.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.8V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1473A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 2913A,

სასურველი
VS-ST733C08LFM0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST733C08LFM0L

ნაწილი საფონდო: 517

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.63V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 940A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1900A,

სასურველი
VS-ST230S04P0V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S04P0V

ნაწილი საფონდო: 828

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.55V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 230A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 360A,

სასურველი
VS-110RKI120MPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-110RKI120MPBF

ნაწილი საფონდო: 809

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 120mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.57V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 110A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 172A,

სასურველი
VS-ST230C20C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C20C1

ნაწილი საფონდო: 981

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.69V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 410A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 780A,

სასურველი
VS-ST730C18L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C18L1L

ნაწილი საფონდო: 547

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.62V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 990A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 2000A,

სასურველი
VS-ST380C04C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST380C04C1

ნაწილი საფონდო: 849

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.6V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 960A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1900A,

სასურველი
VS-25RIA40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA40

ნაწილი საფონდო: 7234

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 25A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 40A,

სასურველი
VS-ST1000C22K1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C22K1L

ნაწილი საფონდო: 311

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 2.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.8V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1473A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 2913A,

სასურველი
VS-ST700C12L0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C12L0L

ნაწილი საფონდო: 635

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.8V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 910A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1857A,

სასურველი
VS-ST303C08LFN0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C08LFN0

ნაწილი საფონდო: 433

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.16V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 515A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 995A,

სასურველი
VS-16RIA60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA60

ნაწილი საფონდო: 5758

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.75V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 16A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 35A,

სასურველი
VS-ST083S04PFN1P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S04PFN1P

ნაწილი საფონდო: 1092

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.15V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 85A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 135A,

სასურველი
VS-ST380CH04C0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST380CH04C0L

ნაწილი საფონდო: 755

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.58V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 960A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 2220A,

სასურველი
VS-ST083S08PFN1P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S08PFN1P

ნაწილი საფონდო: 935

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.15V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 85A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 135A,

სასურველი
VS-ST230C04C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C04C0

ნაწილი საფონდო: 1564

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.69V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 410A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 780A,

სასურველი
VS-ST223C04CFN1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST223C04CFN1

ნაწილი საფონდო: 1059

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.58V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 390A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 745A,

სასურველი
VS-ST300C04C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C04C0

ნაწილი საფონდო: 1061

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.18V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 650A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1290A,

სასურველი
VS-ST333S04PFM0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333S04PFM0

ნაწილი საფონდო: 402

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.96V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 330A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 518A,

სასურველი
VS-ST083S10PFK0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S10PFK0

ნაწილი საფონდო: 749

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.15V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 85A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 135A,

სასურველი
VS-ST700C08L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C08L0

ნაწილი საფონდო: 460

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.8V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 910A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1857A,

სასურველი