Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

თირისტორები - SCR

12TTS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

12TTS08STRR

ნაწილი საფონდო: 4797

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 15mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.2V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 8A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 12.5A,

სასურველი
10TTS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TTS08STRL

ნაწილი საფონდო: 7584

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 15mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.15V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 6.5A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 10A,

სასურველი
10TTS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TTS08STRR

ნაწილი საფონდო: 7614

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 15mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.15V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 6.5A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 10A,

სასურველი
12TTS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

12TTS08

ნაწილი საფონდო: 7644

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 15mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.2V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 8A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 12.5A,

სასურველი
12TTS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division

12TTS08S

ნაწილი საფონდო: 4813

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 15mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.2V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 8A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 12.5A,

სასურველი
10TTS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TTS08S

ნაწილი საფონდო: 7583

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 15mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.15V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 6.5A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 10A,

სასურველი
10TTS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TTS08

ნაწილი საფონდო: 7620

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 15mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.15V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 6.5A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 10A,

სასურველი
16TTS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12STRR

ნაწილი საფონდო: 7665

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.4V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 10A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 16A,

სასურველი
16TTS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12STRL

ნაწილი საფონდო: 7597

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.4V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 10A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 16A,

სასურველი
16TTS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08STRR

ნაწილი საფონდო: 7581

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.4V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 10A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 16A,

სასურველი
112RKI80
Vishay Semiconductor Diodes Division

112RKI80

ნაწილი საფონდო: 7616

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 120mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.57V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 110A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 172A,

სასურველი
16TTS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08STRL

ნაწილი საფონდო: 7605

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.4V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 10A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 16A,

სასურველი
112RKI40
Vishay Semiconductor Diodes Division

112RKI40

ნაწილი საფონდო: 7639

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 120mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.57V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 110A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 172A,

სასურველი
16TTS12FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12FP

ნაწილი საფონდო: 7603

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.4V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 10A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 16A,

სასურველი
16TTS08FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08FP

ნაწილი საფონდო: 7640

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.4V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 10A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 16A,

სასურველი
16TTS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12S

ნაწილი საფონდო: 7612

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.4V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 10A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 16A,

სასურველი
16TTS12
Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12

ნაწილი საფონდო: 7561

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.4V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 10A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 16A,

სასურველი
16TTS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08S

ნაწილი საფონდო: 7567

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.4V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 10A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 16A,

სასურველი
16TTS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08

ნაწილი საფონდო: 7649

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.4V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 10A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 16A,

სასურველი
12TTS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

12TTS08STRL

ნაწილი საფონდო: 7552

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 15mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.2V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 8A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 12.5A,

სასურველი
2N5204
Vishay Semiconductor Diodes Division

2N5204

ნაწილი საფონდო: 6353

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 40mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.3V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 22A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 35A,

სასურველი
25TTS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12STRR

ნაწილი საფონდო: 7636

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 45mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.25V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 16A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 25A,

სასურველი
25TTS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12STRL

ნაწილი საფონდო: 7571

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 45mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.25V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 16A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 25A,

სასურველი
25TTS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08STRR

ნაწილი საფონდო: 7576

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 45mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.25V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 16A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 25A,

სასურველი
25TTS12FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12FP

ნაწილი საფონდო: 7581

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 45mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.25V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 16A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 25A,

სასურველი
25TTS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12S

ნაწილი საფონდო: 7613

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 45mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.25V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 16A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 25A,

სასურველი
25TTS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08STRL

ნაწილი საფონდო: 7660

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 45mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.25V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 16A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 25A,

სასურველი
25TTS12
Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12

ნაწილი საფონდო: 7607

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 45mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.25V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 16A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 25A,

სასურველი
25TTS08FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08FP

ნაწილი საფონდო: 7638

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 45mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.25V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 16A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 25A,

სასურველი
25TTS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08S

ნაწილი საფონდო: 7653

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 45mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.25V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 16A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 25A,

სასურველი
25TTS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08

ნაწილი საფონდო: 7614

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 45mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.25V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 16A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 25A,

სასურველი
30TPS12
Vishay Semiconductor Diodes Division

30TPS12

ნაწილი საფონდო: 7665

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 45mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.3V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 20A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 30A,

სასურველი
30TPS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

30TPS08

ნაწილი საფონდო: 4828

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 45mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.3V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 20A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 30A,

სასურველი
40TPS08A
Vishay Semiconductor Diodes Division

40TPS08A

ნაწილი საფონდო: 4854

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.85V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 35A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 55A,

სასურველი
40TPS12A
Vishay Semiconductor Diodes Division

40TPS12A

ნაწილი საფონდო: 4839

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.85V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 35A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 55A,

სასურველი
40TPS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

40TPS08

ნაწილი საფონდო: 7657

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.85V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 35A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 55A,

სასურველი