Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ

  • სახლი
  •  
  • ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ
TLP185(GB-TPL,E)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(GB-TPL,E)

ნაწილი საფონდო: 5219

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 400% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 9µs, 9µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 5µs, 9µs,

სასურველი
TLP385(GRL-TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(GRL-TPR,E

ნაწილი საფონდო: 5247

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP184(Y-TPL,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP184(Y-TPL,SE

ნაწილი საფონდო: 167431

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 150% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP184(GR,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP184(GR,SE

ნაწილი საფონდო: 5214

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP185(GB-TPR,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(GB-TPR,SE

ნაწილი საფონდო: 5227

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP185(BL-TPL,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(BL-TPL,SE

ნაწილი საფონდო: 139225

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 200% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 400% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP291(SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP291(SE

ნაწილი საფონდო: 5265

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP185(GR,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(GR,SE

ნაწილი საფონდო: 5181

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP131(GB-TPR,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP131(GB-TPR,F)

ნაწილი საფონდო: 5288

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP182(GR-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP182(GR-TPL,E

ნაწილი საფონდო: 184569

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP184(GB,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP184(GB,SE

ნაწილი საფონდო: 106220

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP292-4(4LGBTPE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(4LGBTPE

ნაწილი საფონდო: 151695

არხების რაოდენობა: 4, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 500µA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 500µA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP293-4(MBHATLE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(MBHATLE

ნაწილი საფონდო: 160521

არხების რაოდენობა: 4, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP759(LF1,J,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP759(LF1,J,F)

ნაწილი საფონდო: 5281

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 200ns, 300ns,

სასურველი
TLP331(BV,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP331(BV,F)

ნაწილი საფონდო: 66605

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 200% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 1200% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 10µs, 8µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 8µs, 8µs,

სასურველი
TLP183(GRL-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP183(GRL-TPL,E

ნაწილი საფონდო: 122091

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP290(SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP290(SE

ნაწილი საფონდო: 5293

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP109(V4,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP109(V4,E

ნაწილი საფონდო: 38024

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 800ns, 800ns (Max),

სასურველი
TLP126(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP126(F)

ნაწილი საფონდო: 55569

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 1200% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 10µs, 8µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 8µs, 8µs,

სასურველი
TLP2409(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2409(F)

ნაწილი საფონდო: 38421

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 800ns, 800ns (Max),

სასურველი
TLP293-4(V4-LA,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(V4-LA,E

ნაწილი საფონდო: 53487

არხების რაოდენობა: 4, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 500µA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 500µA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP292-4(V4,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(V4,E

ნაწილი საფონდო: 50532

არხების რაოდენობა: 4, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP292-4(V4-LA,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(V4-LA,E

ნაწილი საფონდო: 50590

არხების რაოდენობა: 4, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 500µA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 500µA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP291-4(V4GBTPE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP291-4(V4GBTPE

ნაწილი საფონდო: 13216

არხების რაოდენობა: 4, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 400% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP124F
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP124F

ნაწილი საფონდო: 77911

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 1200% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 10µs, 8µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 8µs, 8µs,

სასურველი
TLP292-4(LGBTP,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(LGBTP,E

ნაწილი საფონდო: 151709

არხების რაოდენობა: 4, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 500µA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 500µA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP626(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP626(F)

ნაწილი საფონდო: 47627

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 1200% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 10µs, 8µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 8µs, 8µs,

სასურველი
TLP185(Y-TPL,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(Y-TPL,SE

ნაწილი საფონდო: 134050

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 150% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP785(Y,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP785(Y,F)

ნაწილი საფონდო: 107781

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 150% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP292-4(GB,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(GB,E

ნაწილი საფონდო: 50554

არხების რაოდენობა: 4, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP292-4(GBTPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(GBTPR,E

ნაწილი საფონდო: 151711

არხების რაოდენობა: 4, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP292-4(E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(E

ნაწილი საფონდო: 50537

არხების რაოდენობა: 4, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP293-4(LGB,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(LGB,E

ნაწილი საფონდო: 53509

არხების რაოდენობა: 4, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 500µA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 500µA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP109(E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP109(E

ნაწილი საფონდო: 12167

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 800ns, 800ns (Max),

სასურველი
TLP292(GB-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292(GB-TPL,E

ნაწილი საფონდო: 145868

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP292-4(V4-GB,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(V4-GB,E

ნაწილი საფონდო: 50580

არხების რაოდენობა: 4, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი