Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ

  • სახლი
  •  
  • ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ
4N25A(SHORT,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

4N25A(SHORT,F)

ნაწილი საფონდო: 99024

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 200µs,

სასურველი
4N32(SHORT,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

4N32(SHORT,F)

ნაწილი საფონდო: 5832

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 500% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 100µs (Max),

სასურველი
4N36(SHORT,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

4N36(SHORT,F)

ნაწილი საფონდო: 153096

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 40% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
4N38(SHORT,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

4N38(SHORT,F)

ნაწილი საფონდო: 142675

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 10% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
4N26(SHORT,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

4N26(SHORT,F)

ნაწილი საფონდო: 153083

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 200µs,

სასურველი
4N35(SHORT,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

4N35(SHORT,F)

ნაწილი საფონდო: 110956

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 40% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
4N25(SHORT,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

4N25(SHORT,F)

ნაწილი საფონდო: 122076

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 200µs,

სასურველი
6N138F
Toshiba Semiconductor and Storage

6N138F

ნაწილი საფონდო: 5689

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 300% @ 1.6mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 1µs, 4µs,

სასურველი
6N138(TP1,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

6N138(TP1,F)

ნაწილი საფონდო: 132096

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 300% @ 1.6mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 1µs, 4µs,

სასურველი
6N139(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

6N139(F)

ნაწილი საფონდო: 52030

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 500% @ 1.6mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 200ns, 1µs,

სასურველი
6N136F
Toshiba Semiconductor and Storage

6N136F

ნაწილი საფონდო: 51948

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 19% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 200ns, 500ns,

სასურველი
TLP385(D4-GRH,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(D4-GRH,E

ნაწილი საფონდო: 5988

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP624LF1F
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP624LF1F

ნაწილი საფონდო: 61608

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 1200% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 10µs, 8µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 8µs, 8µs,

სასურველი
TLP290(GB-TP,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP290(GB-TP,SE

ნაწილი საფონდო: 170500

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP290(GR,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP290(GR,SE

ნაწილი საფონდო: 5882

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP187(E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP187(E

ნაწილი საფონდო: 5841

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 1000% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 50µs, 15µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 40µs, 15µs,

სასურველი
TLP2403(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2403(F)

ნაწილი საფონდო: 37049

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 500% @ 1.6mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 300ns, 1µs,

სასურველი
TLP387(TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP387(TPR,E

ნაწილი საფონდო: 2609

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 1000% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 50µs, 15µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 40µs, 15µs,

სასურველი
TLP385(D4-BLL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(D4-BLL,E

ნაწილი საფონდო: 5878

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 200% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 400% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP185(GR-TPL,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(GR-TPL,SE

ნაწილი საფონდო: 191882

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP183(BL-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP183(BL-TPL,E

ნაწილი საფონდო: 171777

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 200% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP281-4(GB-TP,J,F
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP281-4(GB-TP,J,F

ნაწილი საფონდო: 5770

არხების რაოდენობა: 4, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP781(GB-LF6,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP781(GB-LF6,F)

ნაწილი საფონდო: 5976

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP183(YH,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP183(YH,E

ნაწილი საფონდო: 2631

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 75% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 150% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP184(GB-TPR,E)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP184(GB-TPR,E)

ნაწილი საფონდო: 5912

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 400% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 9µs, 9µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 5µs, 9µs,

სასურველი
TLP388(D4-TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP388(D4-TPR,E

ნაწილი საფონდო: 5899

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP293-4(V4LATRE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(V4LATRE

ნაწილი საფონდო: 160514

არხების რაოდენობა: 4, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 500µA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 500µA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP183(GRH,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP183(GRH,E

ნაწილი საფონდო: 5733

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 150% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP627-4F
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP627-4F

ნაწილი საფონდო: 21192

არხების რაოდენობა: 4, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 1000% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 50µs, 15µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 40µs, 15µs,

სასურველი
TLP385(BLL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(BLL,E

ნაწილი საფონდო: 2662

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 200% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 400% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP181(GR,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP181(GR,T)

ნაწილი საფონდო: 5911

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP185(TPL,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(TPL,SE

ნაწილი საფონდო: 156609

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP731(D4-GR,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP731(D4-GR,F)

ნაწილი საფონდო: 58603

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP385(GRH-TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(GRH-TPR,E

ნაწილი საფონდო: 5984

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 150% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP504A(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP504A(F)

ნაწილი საფონდო: 5711

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP620(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP620(F)

ნაწილი საფონდო: 133149

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი