Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ

  • სახლი
  •  
  • ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ
TLP785(GRH-TP6,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP785(GRH-TP6,F)

ნაწილი საფონდო: 115313

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 150% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP292-4(V4GBTPE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(V4GBTPE

ნაწილი საფონდო: 151727

არხების რაოდენობა: 4, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP291(GR,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP291(GR,SE

ნაწილი საფონდო: 5750

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 150% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP293(BLL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293(BLL,E

ნაწილი საფონდო: 163619

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 200% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 400% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP281(GB-TP,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP281(GB-TP,F)

ნაწილი საფონდო: 5791

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP385(D4GB-TR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(D4GB-TR,E

ნაწილი საფონდო: 5917

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP383(D4GB-TL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP383(D4GB-TL,E

ნაწილი საფონდო: 5886

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP3906(TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3906(TPR,E

ნაწილი საფონდო: 116411

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 200µs, 300µs,

სასურველი
TLP291(GRL-TP,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP291(GRL-TP,SE

ნაწილი საფონდო: 146803

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP3905(TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3905(TPL,E

ნაწილი საფონდო: 5960

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 300µs, 1ms,

სასურველი
TLP385(D4-BL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(D4-BL,E

ნაწილი საფონდო: 5870

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 200% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP2301(E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2301(E

ნაწილი საფონდო: 5921

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 1mA,

სასურველი
TLP388(TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP388(TPR,E

ნაწილი საფონდო: 2623

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP385(E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(E

ნაწილი საფონდო: 5818

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP385(GRL-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(GRL-TPL,E

ნაწილი საფონდო: 5891

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP291(TP,E)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP291(TP,E)

ნაწილი საფონდო: 5794

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 400% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 7µs, 7µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 7µs,

სასურველი
TLP385(Y,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(Y,E

ნაწილი საფონდო: 5891

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 150% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP385(D4-GB,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(D4-GB,E

ნაწილი საფონდო: 5850

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP183(GRL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP183(GRL,E

ნაწილი საფონდო: 5736

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP2703(TP,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2703(TP,E

ნაწილი საფონდო: 132157

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 900% @ 500µA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 8000% @ 500µA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 330ns, 2.5µs,

სასურველი
TLP385(D4GR-TL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(D4GR-TL,E

ნაწილი საფონდო: 5915

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP785(D4GL-T6,F
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP785(D4GL-T6,F

ნაწილი საფონდო: 5858

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP385(D4-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(D4-TPL,E

ნაწილი საფონდო: 2617

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP2703(E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2703(E

ნაწილი საფონდო: 82240

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 900% @ 500µA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 8000% @ 500µA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 330ns, 2.5µs,

სასურველი
TLP388(D4GB-TR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP388(D4GB-TR,E

ნაწილი საფონდო: 2603

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP626(TP1,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP626(TP1,F)

ნაწილი საფონდო: 132108

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 1200% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 10µs, 8µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 8µs, 8µs,

სასურველი
TLP624-4(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP624-4(F)

ნაწილი საფონდო: 5787

არხების რაოდენობა: 4, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 1200% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 10µs, 8µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 8µs, 8µs,

სასურველი
TLP781(BL,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP781(BL,F)

ნაწილი საფონდო: 5496

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 200% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP759(D4-TP1,J,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP759(D4-TP1,J,F)

ნაწილი საფონდო: 5610

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 200ns, 300ns,

სასურველი
TLP385(D4BLLTL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(D4BLLTL,E

ნაწილი საფონდო: 5590

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 200% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 400% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP293(GRH-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293(GRH-TPL,E

ნაწილი საფონდო: 195548

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 150% @ 500µA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 500µA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP781(GB,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP781(GB,F)

ნაწილი საფონდო: 5676

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP290(GB-TP,E)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP290(GB-TP,E)

ნაწილი საფონდო: 5572

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 400% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 7µs, 7µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 7µs,

სასურველი
TLP590B(C,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP590B(C,F)

ნაწილი საფონდო: 33240

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 200µs, 1ms,

სასურველი
TLP293-4(GBTPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(GBTPR,E

ნაწილი საფონდო: 160482

არხების რაოდენობა: 4, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP3905(E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3905(E

ნაწილი საფონდო: 5636

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 300µs, 1ms,

სასურველი