Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ

  • სახლი
  •  
  • ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ
TLP620-4(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP620-4(F)

ნაწილი საფონდო: 20539

არხების რაოდენობა: 4, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP293-4(V4LGB,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(V4LGB,E

ნაწილი საფონდო: 53459

არხების რაოდენობა: 4, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 500µA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 500µA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP293-4(V4,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(V4,E

ნაწილი საფონდო: 53455

არხების რაოდენობა: 4, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP624F
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP624F

ნაწილი საფონდო: 61598

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 1200% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 10µs, 8µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 8µs, 8µs,

სასურველი
TLP626(BV,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP626(BV,F)

ნაწილი საფონდო: 43947

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 200% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 1200% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 10µs, 8µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 8µs, 8µs,

სასურველი
TLP630(GB,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP630(GB,F)

ნაწილი საფონდო: 66641

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP292-4(V4-TP,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(V4-TP,E

ნაწილი საფონდო: 151764

არხების რაოდენობა: 4, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP2309(E)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2309(E)

ნაწილი საფონდო: 59619

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 15% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 1µs, 1µs (Max),

სასურველი
TLP293-4(4LGBTPE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(4LGBTPE

ნაწილი საფონდო: 160453

არხების რაოდენობა: 4, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 500µA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 500µA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP626-4(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP626-4(F)

ნაწილი საფონდო: 14843

არხების რაოდენობა: 4, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 1200% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 10µs, 8µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 8µs, 8µs,

სასურველი
TLP291(BLL-TP,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP291(BLL-TP,SE

ნაწილი საფონდო: 194121

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 200% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 400% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP383(GR-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP383(GR-TPL,E

ნაწილი საფონდო: 198476

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP290-4(GB-TP,E)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP290-4(GB-TP,E)

ნაწილი საფონდო: 183582

არხების რაოდენობა: 4, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 400% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP188(TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP188(TPL,E

ნაწილი საფონდო: 124079

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP185(GB,E)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(GB,E)

ნაწილი საფონდო: 140864

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 400% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 9µs, 9µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 5µs, 9µs,

სასურველი
TLP137(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP137(F)

ნაწილი საფონდო: 59555

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 1200% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 10µs, 8µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 8µs, 8µs,

სასურველი
TLP183(GR-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP183(GR-TPL,E

ნაწილი საფონდო: 174220

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP291(GB-TP,E)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP291(GB-TP,E)

ნაწილი საფონდო: 21556

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 400% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 7µs, 7µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 7µs,

სასურველი
TLP290-4(TP,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP290-4(TP,E

ნაწილი საფონდო: 183593

არხების რაოდენობა: 4, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 400% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP291(GB-TP,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP291(GB-TP,SE

ნაწილი საფონდო: 192817

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP293(GR-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293(GR-TPL,E

ნაწილი საფონდო: 103158

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP190B(U,C,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP190B(U,C,F)

ნაწილი საფონდო: 27900

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 200µs, 1ms,

სასურველი
TLP387(D4-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP387(D4-TPL,E

ნაწილი საფონდო: 16214

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 1000% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 50µs, 15µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 40µs, 15µs,

სასურველი
TLP291-4(TP,E)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP291-4(TP,E)

ნაწილი საფონდო: 101054

არხების რაოდენობა: 4, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 400% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP124(TPR,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP124(TPR,F)

ნაწილი საფონდო: 180346

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 1200% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 10µs, 8µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 8µs, 8µs,

სასურველი
TLP185(E)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(E)

ნაწილი საფონდო: 140855

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 400% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 9µs, 9µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 5µs, 9µs,

სასურველი
TLP293-4(LGBTP,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(LGBTP,E

ნაწილი საფონდო: 160506

არხების რაოდენობა: 4, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 500µA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 500µA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP183(TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP183(TPL,E

ნაწილი საფონდო: 129073

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP290-4(GB,E)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP290-4(GB,E)

ნაწილი საფონდო: 34934

არხების რაოდენობა: 4, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 400% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP293-4(GB-TP,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(GB-TP,E

ნაწილი საფონდო: 160465

არხების რაოდენობა: 4, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP185(GR,E)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(GR,E)

ნაწილი საფონდო: 140854

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 9µs, 9µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 5µs, 9µs,

სასურველი
TLP185(GRH-TL,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(GRH-TL,SE

ნაწილი საფონდო: 163208

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 150% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP126TPRF
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP126TPRF

ნაწილი საფონდო: 45231

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 1200% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 10µs, 8µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 8µs, 8µs,

სასურველი
TLP785(GB,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP785(GB,F)

ნაწილი საფონდო: 135611

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP785(GR-TP6,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP785(GR-TP6,F)

ნაწილი საფონდო: 133346

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP109(TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP109(TPL,E

ნაწილი საფონდო: 172059

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 800ns, 800ns (Max),

სასურველი