ტრანზისტორები - JFET | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 1

2SK879-Y(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 198791

FET ტიპი: N-Channel, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 400mV @ 100nA,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2145-GR(TE85L,F

ნაწილი საფონდო: 405

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 200mV @ 100nA,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK879-GR(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 389

FET ტიპი: N-Channel, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 400mV @ 100nA,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK208-O(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 342

FET ტიპი: N-Channel, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 600µA @ 10V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 400mV @ 100nA,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK208-GR(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 340

FET ტიპი: N-Channel, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 400mV @ 100nA,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2145-Y(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 123563

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 200mV @ 100nA,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK880-BL(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 403

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 50V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 10V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1.5V @ 100nA,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK880GRTE85LF

ნაწილი საფონდო: 100454

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 50V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1.5V @ 100nA,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK208-Y(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 407

FET ტიპი: N-Channel, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 400mV @ 100nA,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3320-BL(TE85L,F

ნაწილი საფონდო: 9964

FET ტიპი: N-Channel, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 10V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 200mV @ 100nA,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2145-BL(TE85L,F

ნაწილი საფონდო: 177718

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 10V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 200mV @ 100nA,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK208-R(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 9975

FET ტიპი: N-Channel, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 300µA @ 10V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 400mV @ 100nA,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3320-Y(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 3488

FET ტიპი: N-Channel, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 200mV @ 100nA,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK880-Y(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 110749

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 50V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1.5V @ 100nA,

სასურველი