მაგნიტური სენსორები - კონცენტრატორები (მყარი მდგომ | სენსორები, გადამყვანები | 1

TCS11NLU(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 698

ფუნქცია: Unipolar Switch, ტექნოლოგია: Hall Effect, პოლარიზაცია: North Pole, ზონდირების დიაპაზონი: -2.5mT Trip, -0.3mT Release, ტესტის მდგომარეობა: 25°C, ძაბვა - მიწოდება: 2.3V ~ 3.6V,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TCS11SLU(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 701

ფუნქცია: Unipolar Switch, ტექნოლოგია: Hall Effect, პოლარიზაცია: South Pole, ზონდირების დიაპაზონი: 2.5mT Trip, 0.3mT Release, ტესტის მდგომარეობა: 25°C, ძაბვა - მიწოდება: 2.3V ~ 3.6V,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TCS10DLU(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 6363

ფუნქცია: Omnipolar Switch, ტექნოლოგია: Hall Effect, პოლარიზაცია: Either, ზონდირების დიაპაზონი: ±2.5mT Trip, ±0.3mT Release, ტესტის მდგომარეობა: 25°C, ძაბვა - მიწოდება: 2.3V ~ 3.6V,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TCS10SLU(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 6426

ფუნქცია: Unipolar Switch, ტექნოლოგია: Hall Effect, პოლარიზაცია: South Pole, ზონდირების დიაპაზონი: 2.5mT Trip, 0.3mT Release, ტესტის მდგომარეობა: 25°C, ძაბვა - მიწოდება: 2.3V ~ 3.6V,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TCS10SPU(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 6394

ფუნქცია: Unipolar Switch, ტექნოლოგია: Hall Effect, პოლარიზაცია: South Pole, ზონდირების დიაპაზონი: 2.5mT Trip, 0.3mT Release, ტესტის მდგომარეობა: 25°C, ძაბვა - მიწოდება: 2.3V ~ 3.6V,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TCS10DPU(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 653

ფუნქცია: Omnipolar Switch, ტექნოლოგია: Hall Effect, პოლარიზაცია: Either, ზონდირების დიაპაზონი: ±2.5mT Trip, ±0.3mT Release, ტესტის მდგომარეობა: 25°C, ძაბვა - მიწოდება: 2.3V ~ 3.6V,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TCS10NPU(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 702

ფუნქცია: Unipolar Switch, ტექნოლოგია: Hall Effect, პოლარიზაცია: North Pole, ზონდირების დიაპაზონი: -2.5mT Trip, -0.3mT Release, ტესტის მდგომარეობა: 25°C, ძაბვა - მიწოდება: 2.3V ~ 3.6V,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TCS20DPR,LF

ნაწილი საფონდო: 6395

ფუნქცია: Omnipolar Switch, ტექნოლოგია: Hall Effect, პოლარიზაცია: Either, ზონდირების დიაპაზონი: ±4.4mT Trip, ±0.9mT Release, ტესტის მდგომარეობა: 25°C, ძაბვა - მიწოდება: 2.3V ~ 5.5V,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TCS11DLU(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 6382

ფუნქცია: Omnipolar Switch, ტექნოლოგია: Hall Effect, პოლარიზაცია: Either, ზონდირების დიაპაზონი: ±2.5mT Trip, ±0.3mT Release, ტესტის მდგომარეობა: 25°C, ძაბვა - მიწოდება: 2.3V ~ 3.6V,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TCS10NLU(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 6359

ფუნქცია: Unipolar Switch, ტექნოლოგია: Hall Effect, პოლარიზაცია: North Pole, ზონდირების დიაპაზონი: -2.5mT Trip, -0.3mT Release, ტესტის მდგომარეობა: 25°C, ძაბვა - მიწოდება: 2.3V ~ 3.6V,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TCS20DLR,LF

ნაწილი საფონდო: 6325

ფუნქცია: Omnipolar Switch, ტექნოლოგია: Hall Effect, პოლარიზაცია: Either, ზონდირების დიაპაზონი: ±4.4mT Trip, ±0.9mT Release, ტესტის მდგომარეობა: 25°C, ძაბვა - მიწოდება: 2.3V ~ 5.5V,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TCS40DPR,LF

ნაწილი საფონდო: 117776

ფუნქცია: Omnipolar Switch, ტექნოლოგია: Hall Effect, პოლარიზაცია: Either, ზონდირების დიაპაზონი: ±4.4mT Trip, ±0.9mT Release, ტესტის მდგომარეობა: 25°C, ძაბვა - მიწოდება: 2.3V ~ 5.5V,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TCS40DLR,LF

ნაწილი საფონდო: 130729

ფუნქცია: Omnipolar Switch, ტექნოლოგია: Hall Effect, პოლარიზაცია: Either, ზონდირების დიაპაზონი: ±4.4mT Trip, ±0.9mT Release, ტესტის მდგომარეობა: 25°C, ძაბვა - მიწოდება: 2.3V ~ 5.5V,

სასურველი