Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

PMIC - საავტომობილო დრაივერები, კონტროლერები

  • სახლი
  •  
  • PMIC - საავტომობილო დრაივერები, კონტროლერები
TB6674FAG
Toshiba Semiconductor and Storage

TB6674FAG

ნაწილი საფონდო: 6271

ძრავის ტიპი - სტეპერი: Bipolar, ფუნქცია: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, გამოყვანის კონფიგურაცია: Half Bridge (4), ინტერფეისი: Parallel, ტექნოლოგია: Power MOSFET,

სასურველი
TB6584AFNG
Toshiba Semiconductor and Storage

TB6584AFNG

ნაწილი საფონდო: 6235

ძრავის ტიპი - AC, DC: Brushless DC (BLDC), ფუნქცია: Controller - Commutation, Direction Management, გამოყვანის კონფიგურაცია: Pre-Driver - Half Bridge (3), ინტერფეისი: Parallel, ტექნოლოგია: Power MOSFET,

სასურველი
TB6631FNG,EL
Toshiba Semiconductor and Storage

TB6631FNG,EL

ნაწილი საფონდო: 6243

ძრავის ტიპი - AC, DC: Brushless DC (BLDC), ფუნქცია: Controller - Commutation, Direction Management, გამოყვანის კონფიგურაცია: Pre-Driver - Half Bridge (3), ინტერფეისი: Parallel, ტექნოლოგია: Bi-CMOS,

სასურველი
TB6586BFG,EL,DRY
Toshiba Semiconductor and Storage

TB6586BFG,EL,DRY

ნაწილი საფონდო: 6221

ძრავის ტიპი - AC, DC: Brushless DC (BLDC), ფუნქცია: Controller - Commutation, Direction Management, გამოყვანის კონფიგურაცია: Pre-Driver - Half Bridge (3), ინტერფეისი: Parallel, ტექნოლოგია: Bi-CMOS,

სასურველი
TB6560AHQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TB6560AHQ

ნაწილი საფონდო: 6182

ძრავის ტიპი - სტეპერი: Bipolar, ფუნქცია: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, გამოყვანის კონფიგურაცია: Half Bridge (4), ინტერფეისი: Parallel, ტექნოლოგია: Power MOSFET,

სასურველი
TB6604FTG,8,EL
Toshiba Semiconductor and Storage

TB6604FTG,8,EL

ნაწილი საფონდო: 6284

ძრავის ტიპი - AC, DC: Brushless DC (BLDC), ფუნქცია: Controller - Commutation, Direction Management, გამოყვანის კონფიგურაცია: Pre-Driver - Half Bridge (3),

სასურველი
TB6603FTG,8,EL
Toshiba Semiconductor and Storage

TB6603FTG,8,EL

ნაწილი საფონდო: 6183

ძრავის ტიპი - AC, DC: Brushless DC (BLDC), ფუნქცია: Controller - Commutation, Direction Management, გამოყვანის კონფიგურაცია: Pre-Driver - Half Bridge (3),

სასურველი
TC78H620FNG
Toshiba Semiconductor and Storage

TC78H620FNG

ნაწილი საფონდო: 6253

ძრავის ტიპი - სტეპერი: Unipolar, ძრავის ტიპი - AC, DC: Brushed DC, ფუნქცია: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, გამოყვანის კონფიგურაცია: Half Bridge (4), ინტერფეისი: Parallel, ტექნოლოგია: DMOS,

სასურველი
TB62213AHQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TB62213AHQ

ნაწილი საფონდო: 6264

ძრავის ტიპი - სტეპერი: Bipolar, ფუნქცია: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, გამოყვანის კონფიგურაცია: Half Bridge (4), ინტერფეისი: Parallel, ტექნოლოგია: Power MOSFET,

სასურველი
TB6633FNG,EL
Toshiba Semiconductor and Storage

TB6633FNG,EL

ნაწილი საფონდო: 6216

ძრავის ტიპი - AC, DC: Brushless DC (BLDC), ფუნქცია: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, გამოყვანის კონფიგურაცია: Half Bridge (3), ინტერფეისი: Analog, ტექნოლოგია: Power MOSFET,

სასურველი
TB6633AFNG,EL
Toshiba Semiconductor and Storage

TB6633AFNG,EL

ნაწილი საფონდო: 5700

ძრავის ტიპი - AC, DC: Brushless DC (BLDC), ფუნქცია: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, გამოყვანის კონფიგურაცია: Half Bridge (3), ინტერფეისი: Analog, ტექნოლოგია: Power MOSFET,

სასურველი
TB62215AHQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TB62215AHQ

ნაწილი საფონდო: 5636

ძრავის ტიპი - სტეპერი: Bipolar, ფუნქცია: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, გამოყვანის კონფიგურაცია: Half Bridge (4), ინტერფეისი: Parallel, ტექნოლოგია: Power MOSFET,

სასურველი
TB67S269FTG
Toshiba Semiconductor and Storage

TB67S269FTG

ნაწილი საფონდო: 6214

ძრავის ტიპი - სტეპერი: Bipolar, ფუნქცია: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, გამოყვანის კონფიგურაცია: Half Bridge (4), ინტერფეისი: Parallel, ტექნოლოგია: Power MOSFET,

სასურველი
TA7267BP(O)
Toshiba Semiconductor and Storage

TA7267BP(O)

ნაწილი საფონდო: 1875

ძრავის ტიპი - AC, DC: Brushed DC, ფუნქცია: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, გამოყვანის კონფიგურაცია: Half Bridge (2), ინტერფეისი: Parallel, ტექნოლოგია: Bipolar,

სასურველი
TA7291FG(O,EL)
Toshiba Semiconductor and Storage

TA7291FG(O,EL)

ნაწილი საფონდო: 1956

ძრავის ტიპი - AC, DC: Brushed DC, ფუნქცია: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, გამოყვანის კონფიგურაცია: Half Bridge (2), ინტერფეისი: Parallel, ტექნოლოგია: Bipolar,

სასურველი
TB6593FNG(O,EL)
Toshiba Semiconductor and Storage

TB6593FNG(O,EL)

ნაწილი საფონდო: 9037

ძრავის ტიპი - AC, DC: Brushed DC, ფუნქცია: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, გამოყვანის კონფიგურაცია: Half Bridge (2), ინტერფეისი: PWM, ტექნოლოგია: Power MOSFET,

სასურველი
TB62213AFTG,8,EL
Toshiba Semiconductor and Storage

TB62213AFTG,8,EL

ნაწილი საფონდო: 9709

ძრავის ტიპი - სტეპერი: Bipolar, ფუნქცია: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, გამოყვანის კონფიგურაცია: Half Bridge (4), ინტერფეისი: Parallel, ტექნოლოგია: Power MOSFET,

სასურველი
TA8428K(O,S)
Toshiba Semiconductor and Storage

TA8428K(O,S)

ნაწილი საფონდო: 5247

ძრავის ტიპი - AC, DC: Brushed DC, ფუნქცია: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, გამოყვანის კონფიგურაცია: Half Bridge (2), ინტერფეისი: Parallel, ტექნოლოგია: Bipolar,

სასურველი
TB67B000HG
Toshiba Semiconductor and Storage

TB67B000HG

ნაწილი საფონდო: 8012

ძრავის ტიპი - AC, DC: Brushless DC (BLDC), ფუნქცია: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, გამოყვანის კონფიგურაცია: Half Bridge (3), ინტერფეისი: PWM, ტექნოლოგია: IGBT,

სასურველი
TB6549FG(O,EL)
Toshiba Semiconductor and Storage

TB6549FG(O,EL)

ნაწილი საფონდო: 1952

ძრავის ტიპი - AC, DC: Brushed DC, ფუნქცია: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, გამოყვანის კონფიგურაცია: Half Bridge (2), ინტერფეისი: PWM, Serial, ტექნოლოგია: Bi-CMOS,

სასურველი
TB62209FG,EL
Toshiba Semiconductor and Storage

TB62209FG,EL

ნაწილი საფონდო: 2014

ძრავის ტიპი - სტეპერი: Bipolar, ფუნქცია: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, გამოყვანის კონფიგურაცია: Half Bridge (4), ინტერფეისი: Parallel, ტექნოლოგია: DMOS,

სასურველი
TB62208FG,8,EL
Toshiba Semiconductor and Storage

TB62208FG,8,EL

ნაწილი საფონდო: 3764

ძრავის ტიპი - სტეპერი: Bipolar, ფუნქცია: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, გამოყვანის კონფიგურაცია: Half Bridge (4), ინტერფეისი: Parallel, ტექნოლოგია: DMOS,

სასურველი
TB6586AFG,EL,DRY
Toshiba Semiconductor and Storage

TB6586AFG,EL,DRY

ნაწილი საფონდო: 1988

ძრავის ტიპი - AC, DC: Brushless DC (BLDC), ფუნქცია: Controller - Commutation, Direction Management, გამოყვანის კონფიგურაცია: Pre-Driver - Half Bridge (3), ინტერფეისი: Parallel, ტექნოლოგია: Bi-CMOS,

სასურველი
TB6549PG(O)
Toshiba Semiconductor and Storage

TB6549PG(O)

ნაწილი საფონდო: 41442

ძრავის ტიპი - AC, DC: Brushed DC, ფუნქცია: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, გამოყვანის კონფიგურაცია: Half Bridge (2), ინტერფეისი: PWM, Serial, ტექნოლოგია: Bi-CMOS,

სასურველი
TA7291SG(O,J)
Toshiba Semiconductor and Storage

TA7291SG(O,J)

ნაწილი საფონდო: 1952

ძრავის ტიპი - AC, DC: Brushed DC, ფუნქცია: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, გამოყვანის კონფიგურაცია: Half Bridge (2), ინტერფეისი: Parallel, ტექნოლოგია: Bipolar,

სასურველი
TB62214AFTG,8,EL
Toshiba Semiconductor and Storage

TB62214AFTG,8,EL

ნაწილი საფონდო: 9142

ძრავის ტიპი - სტეპერი: Bipolar, ფუნქცია: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, გამოყვანის კონფიგურაცია: Half Bridge (4), ინტერფეისი: Parallel, ტექნოლოგია: DMOS,

სასურველი
TB62214AFG,8,EL
Toshiba Semiconductor and Storage

TB62214AFG,8,EL

ნაწილი საფონდო: 5391

ძრავის ტიპი - სტეპერი: Bipolar, ფუნქცია: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, გამოყვანის კონფიგურაცია: Half Bridge (4), ინტერფეისი: Parallel, ტექნოლოგია: DMOS,

სასურველი
TB6617FNG(O,EL)
Toshiba Semiconductor and Storage

TB6617FNG(O,EL)

ნაწილი საფონდო: 71438

ძრავის ტიპი - AC, DC: Brushed DC, ფუნქცია: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, გამოყვანის კონფიგურაცია: Half Bridge (2), ინტერფეისი: Parallel, ტექნოლოგია: Power MOSFET,

სასურველი
TA7291P(O)
Toshiba Semiconductor and Storage

TA7291P(O)

ნაწილი საფონდო: 1952

ძრავის ტიპი - AC, DC: Brushed DC, ფუნქცია: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, გამოყვანის კონფიგურაცია: Half Bridge (2), ინტერფეისი: Parallel, ტექნოლოგია: Bipolar,

სასურველი
TB6596FLG,EL
Toshiba Semiconductor and Storage

TB6596FLG,EL

ნაწილი საფონდო: 2012

ძრავის ტიპი - სტეპერი: Bipolar, ძრავის ტიპი - AC, DC: Brushed DC, ფუნქცია: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, გამოყვანის კონფიგურაცია: Half Bridge (12), ინტერფეისი: Serial, ტექნოლოგია: Power MOSFET,

სასურველი
TB62218AFTG,8,EL
Toshiba Semiconductor and Storage

TB62218AFTG,8,EL

ნაწილი საფონდო: 9843

ძრავის ტიპი - სტეპერი: Bipolar, ფუნქცია: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, გამოყვანის კონფიგურაცია: Half Bridge (4), ინტერფეისი: Parallel, ტექნოლოგია: DMOS,

სასურველი
TB62216FTG,8,EL
Toshiba Semiconductor and Storage

TB62216FTG,8,EL

ნაწილი საფონდო: 3699

ძრავის ტიპი - AC, DC: Brushed DC, ფუნქცია: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, გამოყვანის კონფიგურაცია: Half Bridge (4), ინტერფეისი: PWM, ტექნოლოგია: Power MOSFET,

სასურველი
TB62216FG,8,EL
Toshiba Semiconductor and Storage

TB62216FG,8,EL

ნაწილი საფონდო: 3731

ძრავის ტიპი - AC, DC: Brushed DC, ფუნქცია: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, გამოყვანის კონფიგურაცია: Half Bridge (4), ინტერფეისი: PWM, ტექნოლოგია: Power MOSFET,

სასურველი
TB62206FG,EL
Toshiba Semiconductor and Storage

TB62206FG,EL

ნაწილი საფონდო: 9676

ძრავის ტიპი - სტეპერი: Bipolar, ფუნქცია: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, გამოყვანის კონფიგურაცია: Half Bridge (4), ინტერფეისი: Parallel, ტექნოლოგია: DMOS,

სასურველი
TB6556FG,8,EL,DRY
Toshiba Semiconductor and Storage

TB6556FG,8,EL,DRY

ნაწილი საფონდო: 2031

ძრავის ტიპი - AC, DC: Brushless DC (BLDC), ფუნქცია: Controller - Commutation, Direction Management, გამოყვანის კონფიგურაცია: Pre-Driver - Half Bridge (3), ინტერფეისი: Parallel, ტექნოლოგია: Bi-CMOS,

სასურველი
TB62215AFTG,8,EL
Toshiba Semiconductor and Storage

TB62215AFTG,8,EL

ნაწილი საფონდო: 9725

ძრავის ტიპი - სტეპერი: Bipolar, ფუნქცია: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, გამოყვანის კონფიგურაცია: Half Bridge (4), ინტერფეისი: Parallel, ტექნოლოგია: Power MOSFET,

სასურველი