Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ

  • სახლი
  •  
  • ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ
TLP183(BL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP183(BL,E

ნაწილი საფონდო: 5723

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 200% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP385(GRL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(GRL,E

ნაწილი საფონდო: 5613

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP182(BL-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP182(BL-TPL,E

ნაწილი საფონდო: 124068

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 200% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP785(D4GH-T6,F
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP785(D4GH-T6,F

ნაწილი საფონდო: 5681

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP130GBF
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP130GBF

ნაწილი საფონდო: 78972

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP291(E)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP291(E)

ნაწილი საფონდო: 110995

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 400% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 7µs, 7µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 7µs,

სასურველი
TLP759(D4-LF1,J,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP759(D4-LF1,J,F)

ნაწილი საფონდო: 2583

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 200ns, 300ns,

სასურველი
TLP385(BL-TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(BL-TPR,E

ნაწილი საფონდო: 5547

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 200% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP371(TP1,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP371(TP1,F)

ნაწილი საფონდო: 2630

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 1000% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 50µs, 15µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 40µs, 15µs,

სასურველი
TLP759(TP1,J,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP759(TP1,J,F)

ნაწილი საფონდო: 5684

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 200ns, 300ns,

სასურველი
TLP385(D4,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(D4,E

ნაწილი საფონდო: 5636

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP3906(E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3906(E

ნაწილი საფონდო: 5607

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 200µs, 300µs,

სასურველი
TLP385(D4Y-TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(D4Y-TPR,E

ნაწილი საფონდო: 5611

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 150% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP759(J,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP759(J,F)

ნაწილი საფონდო: 5619

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 200ns, 300ns,

სასურველი
TLP512(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP512(F)

ნაწილი საფონდო: 2556

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 15% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 800ns, 800ns (Max),

სასურველი
TLP182(Y,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP182(Y,E

ნაწილი საფონდო: 5717

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 150% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP184(SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP184(SE

ნაწილი საფონდო: 5551

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP385(GRH,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(GRH,E

ნაწილი საფონდო: 5555

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 150% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP183(E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP183(E

ნაწილი საფონდო: 5560

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP3902(TPR,U,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3902(TPR,U,F)

ნაწილი საფონდო: 102432

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 600µs, 2ms,

სასურველი
TLP293(GRL-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293(GRL-TPL,E

ნაწილი საფონდო: 193004

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 500µA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 500µA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP291(BLL,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP291(BLL,SE

ნაწილი საფონდო: 5568

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP504A(GB,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP504A(GB,F)

ნაწილი საფონდო: 5385

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP292(E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292(E

ნაწილი საფონდო: 5483

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP385(D4GH-TR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(D4GH-TR,E

ნაწილი საფონდო: 5305

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP182(BL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP182(BL,E

ნაწილი საფონდო: 5479

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 200% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP182(GB,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP182(GB,E

ნაწილი საფონდო: 2570

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP385(GB,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(GB,E

ნაწილი საფონდო: 5495

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP3914(TP15,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3914(TP15,F)

ნაწილი საფონდო: 37988

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 300µs, 600µs,

სასურველი
TLP781(GB-TP6,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP781(GB-TP6,F)

ნაწილი საფონდო: 5419

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP626-2(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP626-2(F)

ნაწილი საფონდო: 5473

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 1200% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 10µs, 8µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 8µs, 8µs,

სასურველი
TLP292(GR-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292(GR-TPL,E

ნაწილი საფონდო: 158414

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP109(V4-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP109(V4-TPL,E

ნაწილი საფონდო: 156465

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 800ns, 800ns (Max),

სასურველი
TLP280-4(GB,J,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP280-4(GB,J,F)

ნაწილი საფონდო: 5407

არხების რაოდენობა: 4, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
TLP719(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP719(F)

ნაწილი საფონდო: 66617

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 800ns, 800ns (Max),

სასურველი
TLP183(BLL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP183(BLL,E

ნაწილი საფონდო: 5373

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 200% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი