რეზისტორული ქსელები, მასივები

RACF164DJT1K80

RACF164DJT1K80

ნაწილი საფონდო: 184602

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.8k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF102DJT910R

RAVF102DJT910R

ნაწილი საფონდო: 137657

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 910, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RAVF104DJT4K30

RAVF104DJT4K30

ნაწილი საფონდო: 168117

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT2R00

RAVF104DJT2R00

ნაწილი საფონდო: 149878

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT68R0

RAVF104DJT68R0

ნაწილი საფონდო: 164990

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 68, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT200K

RAVF104DJT200K

ნაწილი საფონდო: 128009

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 200k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF104DJT390R

RACF104DJT390R

ნაწილი საფონდო: 159625

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 390, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF104DJT33K0

RACF104DJT33K0

ნაწილი საფონდო: 164268

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT6R80

RAVF104DJT6R80

ნაწილი საფონდო: 163496

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.8, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT750R

RAVF104DJT750R

ნაწილი საფონდო: 123164

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 750, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DJT6K20

RACF164DJT6K20

ნაწილი საფონდო: 148593

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF104DJT220R

RACF104DJT220R

ნაწილი საფონდო: 128839

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF102DJT56R0

RAVF102DJT56R0

ნაწილი საფონდო: 175594

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RACF104DJT47K0

RACF104DJT47K0

ნაწილი საფონდო: 198111

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT510K

RAVF104DJT510K

ნაწილი საფონდო: 140282

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 510k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF102DJT3R00

RAVF102DJT3R00

ნაწილი საფონდო: 172090

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RAVF104DJT33R0

RAVF104DJT33R0

ნაწილი საფონდო: 172762

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF104DJT180R

RACF104DJT180R

ნაწილი საფონდო: 192283

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 180, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DJT36R0

RACF164DJT36R0

ნაწილი საფონდო: 132820

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 36, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT220K

RAVF104DJT220K

ნაწილი საფონდო: 139629

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT180K

RAVF104DJT180K

ნაწილი საფონდო: 148264

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 180k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DJT27R0

RACF164DJT27R0

ნაწილი საფონდო: 110256

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF104DJT27R0

RACF104DJT27R0

ნაწილი საფონდო: 124684

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT110R

RAVF104DJT110R

ნაწილი საფონდო: 196441

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 110, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT160K

RAVF104DJT160K

ნაწილი საფონდო: 167082

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 160k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT910R

RAVF104DJT910R

ნაწილი საფონდო: 151848

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 910, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT36R0

RAVF104DJT36R0

ნაწილი საფონდო: 103394

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 36, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT390K

RAVF164DJT390K

ნაწილი საფონდო: 197451

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 390k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT910K

RAVF164DJT910K

ნაწილი საფონდო: 175014

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 910k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT36R0

RAVF164DJT36R0

ნაწილი საფონდო: 21585

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 36, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT27R0

RAVF164DJT27R0

ნაწილი საფონდო: 163981

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT62K0

RAVF164DJT62K0

ნაწილი საფონდო: 162358

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 62k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT750R

RAVF164DJT750R

ნაწილი საფონდო: 161826

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 750, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT4K30

RAVF164DJT4K30

ნაწილი საფონდო: 186310

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT180K

RAVF164DJT180K

ნაწილი საფონდო: 112401

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 180k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT200R

RAVF164DJT200R

ნაწილი საფონდო: 159572

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 200, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი