რეზისტორული ქსელები, მასივები

RAVF164DJT3R60

RAVF164DJT3R60

ნაწილი საფონდო: 179287

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.6, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT150R

RAVF164DJT150R

ნაწილი საფონდო: 106514

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT6R80

RAVF164DJT6R80

ნაწილი საფონდო: 162492

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.8, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT43R0

RAVF164DJT43R0

ნაწილი საფონდო: 124745

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 43, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT1R60

RAVF164DJT1R60

ნაწილი საფონდო: 157189

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.6, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT5K60

RAVF164DJT5K60

ნაწილი საფონდო: 107185

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.6k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT3K30

RAVF164DJT3K30

ნაწილი საფონდო: 155784

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT22K0

RAVF164DJT22K0

ნაწილი საფონდო: 119909

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT1R50

RAVF104DJT1R50

ნაწილი საფონდო: 197462

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT1K10

RAVF164DJT1K10

ნაწილი საფონდო: 150949

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT56K0

RAVF164DJT56K0

ნაწილი საფონდო: 175984

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT62R0

RAVF164DJT62R0

ნაწილი საფონდო: 185364

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 62, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT330K

RAVF164DJT330K

ნაწილი საფონდო: 132673

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT120R

RAVF164DJT120R

ნაწილი საფონდო: 114662

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT18R0

RAVF164DJT18R0

ნაწილი საფონდო: 198058

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 18, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT6K20

RAVF164DJT6K20

ნაწილი საფონდო: 131870

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT91R0

RAVF164DJT91R0

ნაწილი საფონდო: 106569

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 91, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT24K0

RAVF164DJT24K0

ნაწილი საფონდო: 187667

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 24k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT1R30

RAVF164DJT1R30

ნაწილი საფონდო: 159297

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.3, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT7K60

RAVF164DJT7K60

ნაწილი საფონდო: 109522

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 7.6k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT13R0

RAVF164DJT13R0

ნაწილი საფონდო: 109852

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 13, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT4R30

RAVF164DJT4R30

ნაწილი საფონდო: 192360

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.3, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT11K0

RAVF164DJT11K0

ნაწილი საფონდო: 196589

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 11k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT240K

RAVF164DJT240K

ნაწილი საფონდო: 183477

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 240k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT910R

RAVF164DJT910R

ნაწილი საფონდო: 135161

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 910, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT360R

RAVF104DJT360R

ნაწილი საფონდო: 152944

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 360, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT620K

RAVF164DJT620K

ნაწილი საფონდო: 107318

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 620k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT15K0

RAVF164DJT15K0

ნაწილი საფონდო: 182017

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT27K0

RAVF164DJT27K0

ნაწილი საფონდო: 198609

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT3R90

RAVF164DJT3R90

ნაწილი საფონდო: 181417

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.9, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT9K10

RAVF164DJT9K10

ნაწილი საფონდო: 156580

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 9.1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT620R

RAVF164DJT620R

ნაწილი საფონდო: 160624

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 620, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT20R0

RAVF164DJT20R0

ნაწილი საფონდო: 143481

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 20, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT8R20

RAVF164DJT8R20

ნაწილი საფონდო: 114124

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 8.2, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT1K60

RAVF164DJT1K60

ნაწილი საფონდო: 115289

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.6k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT68R0

RAVF164DJT68R0

ნაწილი საფონდო: 116350

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 68, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი