რეზისტორული ქსელები, მასივები

RAVF164DJT330R

RAVF164DJT330R

ნაწილი საფონდო: 132067

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT1R00

RAVF164DJT1R00

ნაწილი საფონდო: 161604

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT16R0

RAVF164DJT16R0

ნაწილი საფონდო: 119092

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 16, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT200K

RAVF164DJT200K

ნაწილი საფონდო: 134917

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 200k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT1K50

RAVF164DJT1K50

ნაწილი საფონდო: 114715

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT39K0

RAVF164DJT39K0

ნაწილი საფონდო: 103980

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT36K0

RAVF164DJT36K0

ნაწილი საფონდო: 187972

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 36k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT240R

RAVF164DJT240R

ნაწილი საფონდო: 127664

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 240, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT270R

RAVF164DJT270R

ნაწილი საფონდო: 137450

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT2R70

RAVF104DJT2R70

ნაწილი საფონდო: 131427

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.7, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT43K0

RAVF164DJT43K0

ნაწილი საფონდო: 164624

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 43k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT51R0

RAVF164DJT51R0

ნაწილი საფონდო: 109877

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 51, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT100K

RAVF164DJT100K

ნაწილი საფონდო: 145851

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT3R00

RAVF104DJT3R00

ნაწილი საფონდო: 178954

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT680R

RAVF164DJT680R

ნაწილი საფონდო: 178618

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 680, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT430K

RAVF104DJT430K

ნაწილი საფონდო: 181081

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 430k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT300R

RAVF164DJT300R

ნაწილი საფონდო: 170242

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 300, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT160R

RAVF164DJT160R

ნაწილი საფონდო: 183219

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 160, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT5K10

RAVF164DJT5K10

ნაწილი საფონდო: 128492

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT560R

RAVF164DJT560R

ნაწილი საფონდო: 110776

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 560, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT360K

RAVF164DJT360K

ნაწილი საფონდო: 199912

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 360k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT1R50

RAVF164DJT1R50

ნაწილი საფონდო: 113911

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT270K

RAVF164DJT270K

ნაწილი საფონდო: 113424

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT30R0

RAVF164DJT30R0

ნაწილი საფონდო: 194090

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 30, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT390R

RAVF164DJT390R

ნაწილი საფონდო: 175777

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 390, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT7R50

RAVF164DJT7R50

ნაწილი საფონდო: 185521

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 7.5, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT100R

RAVF164DJT100R

ნაწილი საფონდო: 126698

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT2K00

RAVF164DJT2K00

ნაწილი საფონდო: 166506

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT33R0

RAVF164DJT33R0

ნაწილი საფონდო: 160124

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT510K

RAVF164DJT510K

ნაწილი საფონდო: 199968

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 510k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT75R0

RAVF164DJT75R0

ნაწილი საფონდო: 190643

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 75, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT11R0

RAVF164DJT11R0

ნაწილი საფონდო: 104483

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 11, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT3K00

RAVF164DJT3K00

ნაწილი საფონდო: 111585

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT2R00

RAVF164DJT2R00

ნაწილი საფონდო: 180655

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT150K

RAVF164DJT150K

ნაწილი საფონდო: 186218

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT300K

RAVF164DJT300K

ნაწილი საფონდო: 118557

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 300k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი