რეზისტორული ქსელები, მასივები

RAVF104DJT16R0

RAVF104DJT16R0

ნაწილი საფონდო: 108586

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 16, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DJT36K0

RACF164DJT36K0

ნაწილი საფონდო: 194532

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 36k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF102DJT470R

RAVF102DJT470R

ნაწილი საფონდო: 152911

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RAVF102DJT5R10

RAVF102DJT5R10

ნაწილი საფონდო: 141270

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.1, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RAVF102DJT2K40

RAVF102DJT2K40

ნაწილი საფონდო: 143530

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.4k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RAVF104DJT7R50

RAVF104DJT7R50

ნაწილი საფონდო: 168249

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 7.5, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT560R

RAVF104DJT560R

ნაწილი საფონდო: 175831

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 560, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT6R20

RAVF104DJT6R20

ნაწილი საფონდო: 169262

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.2, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT8R20

RAVF104DJT8R20

ნაწილი საფონდო: 195362

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 8.2, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DJT680R

RACF164DJT680R

ნაწილი საფონდო: 101818

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 680, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DJT120K

RACF164DJT120K

ნაწილი საფონდო: 136423

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT200R

RAVF104DJT200R

ნაწილი საფონდო: 183190

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 200, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF104DJT22R0

RACF104DJT22R0

ნაწილი საფონდო: 185372

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT300R

RAVF104DJT300R

ნაწილი საფონდო: 192013

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 300, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF102DJT47K0

RAVF102DJT47K0

ნაწილი საფონდო: 129821

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RAVF104DJT56R0

RAVF104DJT56R0

ნაწილი საფონდო: 178375

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT1K80

RAVF104DJT1K80

ნაწილი საფონდო: 196699

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.8k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF104DJT12R0

RACF104DJT12R0

ნაწილი საფონდო: 146840

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT47R0

RAVF104DJT47R0

ნაწილი საფონდო: 179036

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DJT1K60

RACF164DJT1K60

ნაწილი საფონდო: 158403

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.6k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT51K0

RAVF104DJT51K0

ნაწილი საფონდო: 117755

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 51k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF102DJT39R0

RAVF102DJT39R0

ნაწილი საფონდო: 130186

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RAVF102DJT10R0

RAVF102DJT10R0

ნაწილი საფონდო: 143572

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RACF104DJT470R

RACF104DJT470R

ნაწილი საფონდო: 147983

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT3R90

RAVF104DJT3R90

ნაწილი საფონდო: 137100

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.9, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DJT180K

RACF164DJT180K

ნაწილი საფონდო: 105950

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 180k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT150K

RAVF104DJT150K

ნაწილი საფონდო: 177603

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DJT3K00

RACF164DJT3K00

ნაწილი საფონდო: 118780

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT1R80

RAVF104DJT1R80

ნაწილი საფონდო: 152904

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.8, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT76K0

RAVF104DJT76K0

ნაწილი საფონდო: 125522

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 76k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DJT20R0

RACF164DJT20R0

ნაწილი საფონდო: 135573

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 20, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT270R

RAVF104DJT270R

ნაწილი საფონდო: 192093

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DJT470R

RACF164DJT470R

ნაწილი საფონდო: 164563

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT330R

RAVF104DJT330R

ნაწილი საფონდო: 127466

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT180R

RAVF104DJT180R

ნაწილი საფონდო: 182412

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 180, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF104DJT33R0

RACF104DJT33R0

ნაწილი საფონდო: 112489

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი