რეზისტორული ქსელები, მასივები

RAVF164DJT430R

RAVF164DJT430R

ნაწილი საფონდო: 108618

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 430, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT160R

RAVF104DJT160R

ნაწილი საფონდო: 126515

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 160, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT75R0

RAVF104DJT75R0

ნაწილი საფონდო: 180701

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 75, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF102DJT240R

RAVF102DJT240R

ნაწილი საფონდო: 191052

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 240, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RAVF104DJT130R

RAVF104DJT130R

ნაწილი საფონდო: 144556

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 130, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT1K30

RAVF104DJT1K30

ნაწილი საფონდო: 165734

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DJT11R0

RACF164DJT11R0

ნაწილი საფონდო: 132618

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 11, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DJT47K0

RACF164DJT47K0

ნაწილი საფონდო: 135091

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT7K50

RAVF104DJT7K50

ნაწილი საფონდო: 180442

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 7.5k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT2R20

RAVF104DJT2R20

ნაწილი საფონდო: 178174

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT510R

RAVF104DJT510R

ნაწილი საფონდო: 106223

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 510, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF102DJT11K0

RAVF102DJT11K0

ნაწილი საფონდო: 141399

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 11k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RACF164DJT750R

RACF164DJT750R

ნაწილი საფონდო: 148182

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 750, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT12K0

RAVF104DJT12K0

ნაწილი საფონდო: 192575

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF102DJT30R0

RAVF102DJT30R0

ნაწილი საფონდო: 121911

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 30, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RAVF104DJT11R0

RAVF104DJT11R0

ნაწილი საფონდო: 192947

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 11, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT240K

RAVF104DJT240K

ნაწილი საფონდო: 147351

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 240k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT3R30

RAVF104DJT3R30

ნაწილი საფონდო: 105913

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF102DJT330R

RAVF102DJT330R

ნაწილი საფონდო: 185130

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RAVF104DJT8K20

RAVF104DJT8K20

ნაწილი საფონდო: 179781

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 8.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DJT680K

RACF164DJT680K

ნაწილი საფონდო: 171953

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 680k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT15R0

RAVF104DJT15R0

ნაწილი საფონდო: 154254

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF104DJT82R0

RACF104DJT82R0

ნაწილი საფონდო: 194968

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 82, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT1R00

RAVF104DJT1R00

ნაწილი საფონდო: 198332

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT6K20

RAVF104DJT6K20

ნაწილი საფონდო: 153364

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DJT150R

RACF164DJT150R

ნაწილი საფონდო: 164446

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT13R0

RAVF104DJT13R0

ნაწილი საფონდო: 157912

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 13, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DJT51K0

RACF164DJT51K0

ნაწილი საფონდო: 162921

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 51k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT470R

RAVF104DJT470R

ნაწილი საფონდო: 106344

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF104DJT15R0

RACF104DJT15R0

ნაწილი საფონდო: 126562

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT1K50

RAVF104DJT1K50

ნაწილი საფონდო: 114840

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF104DJT56K0

RACF104DJT56K0

ნაწილი საფონდო: 153276

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT2K70

RAVF104DJT2K70

ნაწილი საფონდო: 199997

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT3K60

RAVF104DJT3K60

ნაწილი საფონდო: 120322

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.6k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT75K0

RAVF104DJT75K0

ნაწილი საფონდო: 181687

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 75k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF102DJT2K70

RAVF102DJT2K70

ნაწილი საფონდო: 156149

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი