რეზისტორული ქსელები, მასივები

RAVF164DFT10K0

RAVF164DFT10K0

ნაწილი საფონდო: 118099

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT13K0

RAVF164DFT13K0

ნაწილი საფონდო: 192948

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 13k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT62K0

RAVF164DFT62K0

ნაწილი საფონდო: 116768

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 62k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT91R0

RAVF164DFT91R0

ნაწილი საფონდო: 116934

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 91, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DJT220R

RACF164DJT220R

ნაწილი საფონდო: 174101

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF162DJT300R

RAVF162DJT300R

ნაწილი საფონდო: 126730

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 300, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RAVF164DFT110R

RAVF164DFT110R

ნაწილი საფონდო: 112042

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 110, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT130R

RAVF164DFT130R

ნაწილი საფონდო: 130520

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 130, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT39K0

RAVF164DFT39K0

ნაწილი საფონდო: 124020

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT4K30

RAVF164DFT4K30

ნაწილი საფონდო: 181883

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.3k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT560R

RAVF164DFT560R

ნაწილი საფონდო: 190373

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 560, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT910K

RAVF164DFT910K

ნაწილი საფონდო: 112995

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 910k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT1K00

RAVF164DFT1K00

ნაწილი საფონდო: 157777

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT3K60

RAVF164DFT3K60

ნაწილი საფონდო: 111764

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.6k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT200R

RAVF164DFT200R

ნაწილი საფონდო: 129882

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 200, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT11K0

RAVF164DFT11K0

ნაწილი საფონდო: 123742

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 11k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT390R

RAVF164DFT390R

ნაწილი საფონდო: 186641

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 390, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT1K50

RAVF164DFT1K50

ნაწილი საფონდო: 124721

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT24K0

RAVF164DFT24K0

ნაწილი საფონდო: 173285

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 24k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT78R7

RAVF164DFT78R7

ნაწილი საფონდო: 135226

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 78.7, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF162DJT47R0

RAVF162DJT47R0

ნაწილი საფონდო: 197298

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RAVF164DGT100K

RAVF164DGT100K

ნაწილი საფონდო: 162807

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT620R

RAVF164DFT620R

ნაწილი საფონდო: 182235

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 620, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT27K0

RAVF164DFT27K0

ნაწილი საფონდო: 158162

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT160K

RAVF164DFT160K

ნაწილი საფონდო: 170947

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 160k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT330K

RAVF164DFT330K

ნაწილი საფონდო: 100181

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT43K0

RAVF164DFT43K0

ნაწილი საფონდო: 131104

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 43k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT22K0

RAVF164DFT22K0

ნაწილი საფონდო: 101850

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT30R0

RAVF164DFT30R0

ნაწილი საფონდო: 167761

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 30, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT7K60

RAVF164DFT7K60

ნაწილი საფონდო: 194098

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 7.6k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT62R0

RAVF164DFT62R0

ნაწილი საფონდო: 120870

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 62, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT332R

RAVF164DFT332R

ნაწილი საფონდო: 122036

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 332, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT10R0

RAVF164DFT10R0

ნაწილი საფონდო: 123497

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT36K0

RAVF164DFT36K0

ნაწილი საფონდო: 198918

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 36k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF162DJT2K40

RAVF162DJT2K40

ნაწილი საფონდო: 117734

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.4k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RAVF164DFT910R

RAVF164DFT910R

ნაწილი საფონდო: 106503

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 910, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი