რეზისტორული ქსელები, მასივები

RAVF164DFT750R

RAVF164DFT750R

ნაწილი საფონდო: 71

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 750, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT1K82

RAVF164DFT1K82

ნაწილი საფონდო: 165945

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.82k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT430K

RAVF164DFT430K

ნაწილი საფონდო: 195755

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 430k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF162DJT56R0

RAVF162DJT56R0

ნაწილი საფონდო: 165830

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RAVF164DFT3K30

RAVF164DFT3K30

ნაწილი საფონდო: 107695

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT220R

RAVF164DFT220R

ნაწილი საფონდო: 152749

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF162DJT270R

RAVF162DJT270R

ნაწილი საფონდო: 192962

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RAVF162DJT330R

RAVF162DJT330R

ნაწილი საფონდო: 120862

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RAVF164DFT82K0

RAVF164DFT82K0

ნაწილი საფონდო: 191633

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 82k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT120R

RAVF164DFT120R

ნაწილი საფონდო: 112297

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT56R2

RAVF164DFT56R2

ნაწილი საფონდო: 144423

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56.2, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT1K60

RAVF164DFT1K60

ნაწილი საფონდო: 154759

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.6k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT115R

RAVF164DFT115R

ნაწილი საფონდო: 140547

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 115, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT51R0

RAVF164DFT51R0

ნაწილი საფონდო: 174178

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 51, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT240K

RAVF164DFT240K

ნაწილი საფონდო: 192365

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 240k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT150K

RAVF164DFT150K

ნაწილი საფონდო: 189861

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT220K

RAVF164DFT220K

ნაწილი საფონდო: 155917

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT120K

RAVF164DFT120K

ნაწილი საფონდო: 193668

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF162DJT510R

RAVF162DJT510R

ნაწილი საფონდო: 162473

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 510, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RAVF164DFT160R

RAVF164DFT160R

ნაწილი საფონდო: 168508

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 160, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT22R0

RAVF164DFT22R0

ნაწილი საფონდო: 118485

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF162DJT100K

RAVF162DJT100K

ნაწილი საფონდო: 168164

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RAVF162DJT27R0

RAVF162DJT27R0

ნაწილი საფონდო: 166408

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RAVF164DFT3K32

RAVF164DFT3K32

ნაწილი საფონდო: 110483

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.32k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT18K0

RAVF164DFT18K0

ნაწილი საფონდო: 141393

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 18k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT47K0

RAVF164DFT47K0

ნაწილი საფონდო: 198228

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT5K60

RAVF164DFT5K60

ნაწილი საფონდო: 172905

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.6k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT49K9

RAVF164DFT49K9

ნაწილი საფონდო: 151319

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 49.9k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT110K

RAVF164DFT110K

ნაწილი საფონდო: 182245

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 110k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT760K

RAVF164DFT760K

ნაწილი საფონდო: 153467

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 760k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT270R

RAVF164DFT270R

ნაწილი საფონდო: 108941

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT330R

RAVF164DFT330R

ნაწილი საფონდო: 185568

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT24R0

RAVF164DFT24R0

ნაწილი საფონდო: 161232

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 24, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DGT39R0

RAVF104DGT39R0

ნაწილი საფონდო: 165880

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT56K0

RAVF164DFT56K0

ნაწილი საფონდო: 100383

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT1K10

RAVF164DFT1K10

ნაწილი საფონდო: 135856

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.1k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი