რეზისტორული ქსელები, მასივები

RACF164DGT22R1

RACF164DGT22R1

ნაწილი საფონდო: 104560

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22.1, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF168DJT68R0

RAVF168DJT68R0

ნაწილი საფონდო: 138203

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 68, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF168DJT4K70

RAVF168DJT4K70

ნაწილი საფონდო: 176829

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF328NJT10K0

RAVF328NJT10K0

ნაწილი საფონდო: 177745

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RACF164DGT100R

RACF164DGT100R

ნაწილი საფონდო: 106214

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF168DJT43R0

RAVF168DJT43R0

ნაწილი საფონდო: 174294

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 43, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF168DJT270R

RAVF168DJT270R

ნაწილი საფონდო: 121380

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF052DJT10R0

RAVF052DJT10R0

ნაწილი საფონდო: 179961

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RACF164DGT5K10

RACF164DGT5K10

ნაწილი საფონდო: 163583

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF328NJT1M00

RAVF328NJT1M00

ნაწილი საფონდო: 199064

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1M, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF328RJT330R

RAVF328RJT330R

ნაწილი საფონდო: 117801

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF102DJT47R0

RAVF102DJT47R0

ნაწილი საფონდო: 189364

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RAVF168DJT100R

RAVF168DJT100R

ნაწილი საფონდო: 119263

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RACF164DGT33K0

RACF164DGT33K0

ნაწილი საფონდო: 162434

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF168DJT2K20

RAVF168DJT2K20

ნაწილი საფონდო: 190172

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF168DJT10K0

RAVF168DJT10K0

ნაწილი საფონდო: 177824

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF328RJT1K50

RAVF328RJT1K50

ნაწილი საფონდო: 186260

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF168DJT15R0

RAVF168DJT15R0

ნაწილი საფონდო: 100473

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF168DJT160R

RAVF168DJT160R

ნაწილი საფონდო: 129173

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 160, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RACF164DGT43R2

RACF164DGT43R2

ნაწილი საფონდო: 111930

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 43.2, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF328RJT2K20

RAVF328RJT2K20

ნაწილი საფონდო: 144232

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF168DZT0R00

RAVF168DZT0R00

ნაწილი საფონდო: 186974

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 0.0, ტოლერანტობა: Jumper, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RACF164DGT150R

RACF164DGT150R

ნაწილი საფონდო: 141053

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF168DJT1K00

RAVF168DJT1K00

ნაწილი საფონდო: 165787

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF328NJT47K0

RAVF328NJT47K0

ნაწილი საფონდო: 105503

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF168DJT33R0

RAVF168DJT33R0

ნაწილი საფონდო: 171507

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF168DJT20R0

RAVF168DJT20R0

ნაწილი საფონდო: 108254

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 20, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF052DJT100R

RAVF052DJT100R

ნაწილი საფონდო: 143550

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RAVF328NJT100K

RAVF328NJT100K

ნაწილი საფონდო: 168739

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF328RJT4K70

RAVF328RJT4K70

ნაწილი საფონდო: 135334

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF052DJT22R0

RAVF052DJT22R0

ნაწილი საფონდო: 132481

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RAVF328RJT1K00

RAVF328RJT1K00

ნაწილი საფონდო: 169235

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF328RJT100K

RAVF328RJT100K

ნაწილი საფონდო: 103078

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF168DJT100K

RAVF168DJT100K

ნაწილი საფონდო: 144094

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF168DJT330R

RAVF168DJT330R

ნაწილი საფონდო: 128253

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF168DJT22R0

RAVF168DJT22R0

ნაწილი საფონდო: 179771

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი