რეზისტორული ქსელები, მასივები

RAVF328RJT470R

RAVF328RJT470R

ნაწილი საფონდო: 138589

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF328RJT560R

RAVF328RJT560R

ნაწილი საფონდო: 198818

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 560, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF328RJT47K0

RAVF328RJT47K0

ნაწილი საფონდო: 106812

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF168DFT10K0

RAVF168DFT10K0

ნაწილი საფონდო: 126256

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF168DFT47R0

RAVF168DFT47R0

ნაწილი საფონდო: 104393

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF168DFT4K70

RAVF168DFT4K70

ნაწილი საფონდო: 170766

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF328RJT75R0

RAVF328RJT75R0

ნაწილი საფონდო: 136391

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 75, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF328RZT0R00

RAVF328RZT0R00

ნაწილი საფონდო: 159285

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 0.0, ტოლერანტობა: Jumper, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF168DFT1K00

RAVF168DFT1K00

ნაწილი საფონდო: 191868

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF328RJT56R0

RAVF328RJT56R0

ნაწილი საფონდო: 190126

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 56, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF328RJT390R

RAVF328RJT390R

ნაწილი საფონდო: 131029

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 390, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF328RJT680R

RAVF328RJT680R

ნაწილი საფონდო: 133191

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 680, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF168DFT130R

RAVF168DFT130R

ნაწილი საფონდო: 148383

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 130, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF328RJT750R

RAVF328RJT750R

ნაწილი საფონდო: 137823

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 750, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF324DJT56R0

RAVF324DJT56R0

ნაწილი საფონდო: 181979

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF324DJT470R

RAVF324DJT470R

ნაწილი საფონდო: 145566

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF324DJT12K0

RAVF324DJT12K0

ნაწილი საფონდო: 149068

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DFT20K0

RACF164DFT20K0

ნაწილი საფონდო: 144328

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 20k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF324DJT10K0

RAVF324DJT10K0

ნაწილი საფონდო: 153539

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DFT39K2

RACF164DFT39K2

ნაწილი საფონდო: 148009

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39.2k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF324DJT3K30

RACF324DJT3K30

ნაწილი საფონდო: 108669

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF324DJT150R

RAVF324DJT150R

ნაწილი საფონდო: 173662

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DFT8K25

RACF164DFT8K25

ნაწილი საფონდო: 174283

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 8.25k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF324DJT47K0

RACF324DJT47K0

ნაწილი საფონდო: 110981

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DFT3K01

RACF164DFT3K01

ნაწილი საფონდო: 169612

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.01k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF324DJT4K70

RACF324DJT4K70

ნაწილი საფონდო: 172160

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF324DJT1M00

RACF324DJT1M00

ნაწილი საფონდო: 141383

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1M, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF324DJT1K80

RACF324DJT1K80

ნაწილი საფონდო: 190467

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.8k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DFT49R9

RACF164DFT49R9

ნაწილი საფონდო: 113205

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 49.9, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF324DJT22R0

RACF324DJT22R0

ნაწილი საფონდო: 193040

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF324DJT47K0

RAVF324DJT47K0

ნაწილი საფონდო: 169957

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DFT100R

RACF164DFT100R

ნაწილი საფონდო: 150090

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF324DJT27R0

RACF324DJT27R0

ნაწილი საფონდო: 100774

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DFT38K3

RACF164DFT38K3

ნაწილი საფონდო: 188097

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 38.3k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF324DJT120K

RAVF324DJT120K

ნაწილი საფონდო: 135948

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF324DJT100K

RACF324DJT100K

ნაწილი საფონდო: 104335

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი