რეზისტორული ქსელები, მასივები

RACF324DJT220R

RACF324DJT220R

ნაწილი საფონდო: 194275

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF324DJT33R0

RACF324DJT33R0

ნაწილი საფონდო: 174041

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF324DJT100K

RAVF324DJT100K

ნაწილი საფონდო: 178762

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF324DJT10K0

RACF324DJT10K0

ნაწილი საფონდო: 189944

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF324DJT120R

RAVF324DJT120R

ნაწილი საფონდო: 194166

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF324DJT1K80

RAVF324DJT1K80

ნაწილი საფონდო: 130195

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.8k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF324DJT150R

RACF324DJT150R

ნაწილი საფონდო: 199789

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF324DJT75R0

RAVF324DJT75R0

ნაწილი საფონდო: 170676

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 75, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF324DJT5K10

RACF324DJT5K10

ნაწილი საფონდო: 113214

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF324DJT330R

RAVF324DJT330R

ნაწილი საფონდო: 134219

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF324DJT330R

RACF324DJT330R

ნაწილი საფონდო: 138027

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF324DJT100R

RACF324DJT100R

ნაწილი საფონდო: 115088

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF324DJT10R0

RACF324DJT10R0

ნაწილი საფონდო: 147042

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DFT1K30

RACF164DFT1K30

ნაწილი საფონდო: 128731

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.3k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DFT4K02

RACF164DFT4K02

ნაწილი საფონდო: 107278

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.02k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF324DJT2K20

RACF324DJT2K20

ნაწილი საფონდო: 161214

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF324DZT0R00

RAVF324DZT0R00

ნაწილი საფონდო: 168998

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 0.0, ტოლერანტობა: Jumper, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF324DJT51R0

RAVF324DJT51R0

ნაწილი საფონდო: 127459

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 51, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF324DJT4K70

RAVF324DJT4K70

ნაწილი საფონდო: 154290

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF102DFT22R0

RAVF102DFT22R0

ნაწილი საფონდო: 158589

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RACF324DJT510R

RACF324DJT510R

ნაწილი საფონდო: 108134

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 510, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF324DJT51R0

RACF324DJT51R0

ნაწილი საფონდო: 141572

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 51, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF324DJT33R0

RAVF324DJT33R0

ნაწილი საფონდო: 124135

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF324DJT10R0

RAVF324DJT10R0

ნაწილი საფონდო: 105900

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF324DJT200K

RAVF324DJT200K

ნაწილი საფონდო: 121059

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 200k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF324DJT68K0

RACF324DJT68K0

ნაწილი საფონდო: 176275

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 68k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF324DJT33K0

RACF324DJT33K0

ნაწილი საფონდო: 121923

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF324DJT1K00

RAVF324DJT1K00

ნაწილი საფონდო: 165427

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DFT68K1

RACF164DFT68K1

ნაწილი საფონდო: 142990

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 68.1k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DFT61R9

RACF164DFT61R9

ნაწილი საფონდო: 111199

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 61.9, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF324DJT680R

RACF324DJT680R

ნაწილი საფონდო: 123435

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 680, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF324DJT5K60

RACF324DJT5K60

ნაწილი საფონდო: 146445

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.6k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF324DJT6K80

RAVF324DJT6K80

ნაწილი საფონდო: 196183

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.8k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF324DJT390R

RAVF324DJT390R

ნაწილი საფონდო: 168397

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 390, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF324DJT82R0

RAVF324DJT82R0

ნაწილი საფონდო: 172427

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 82, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF324DJT1K50

RACF324DJT1K50

ნაწილი საფონდო: 108135

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი