რეზისტორული ქსელები, მასივები

RAVF102DJT4K70

RAVF102DJT4K70

ნაწილი საფონდო: 175149

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RAVF328NJT1K00

RAVF328NJT1K00

ნაწილი საფონდო: 181058

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF168DJT1M00

RAVF168DJT1M00

ნაწილი საფონდო: 179850

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1M, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF328RJT10K0

RAVF328RJT10K0

ნაწილი საფონდო: 157796

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF168DJT8K20

RAVF168DJT8K20

ნაწილი საფონდო: 183733

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 8.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RACF164DGT20K0

RACF164DGT20K0

ნაწილი საფონდო: 170088

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 20k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DFT10K0

RACF164DFT10K0

ნაწილი საფონდო: 116784

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DFT499R

RACF164DFT499R

ნაწილი საფონდო: 162047

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 499, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DFT100K

RACF164DFT100K

ნაწილი საფონდო: 160138

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DFT2K00

RACF164DFT2K00

ნაწილი საფონდო: 157388

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DGT100K

RACF164DGT100K

ნაწილი საფონდო: 178276

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF162DFT1K00

RAVF162DFT1K00

ნაწილი საფონდო: 100241

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RACF164DGT10K0

RACF164DGT10K0

ნაწილი საფონდო: 151915

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DFT470K

RACF164DFT470K

ნაწილი საფონდო: 140139

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DGT56K0

RACF164DGT56K0

ნაწილი საფონდო: 171252

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF162DFT10K0

RAVF162DFT10K0

ნაწილი საფონდო: 158149

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RACF164DFT15K0

RACF164DFT15K0

ნაწილი საფონდო: 116343

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DFT11K0

RACF164DFT11K0

ნაწილი საფონდო: 191057

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 11k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DFT75R0

RACF164DFT75R0

ნაწილი საფონდო: 145764

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 75, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DGT15K0

RACF164DGT15K0

ნაწილი საფონდო: 142181

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DFT360K

RAVF104DFT360K

ნაწილი საფონდო: 148415

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 360k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DFT51R0

RAVF104DFT51R0

ნაწილი საფონდო: 109893

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 51, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DFT100R

RAVF104DFT100R

ნაწილი საფონდო: 182092

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DFT6K80

RAVF104DFT6K80

ნაწილი საფონდო: 121867

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.8k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DFT1M00

RAVF104DFT1M00

ნაწილი საფონდო: 157903

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1M, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DFT270R

RAVF104DFT270R

ნაწილი საფონდო: 162427

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DFT43K0

RAVF104DFT43K0

ნაწილი საფონდო: 187406

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 43k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DFT200K

RAVF104DFT200K

ნაწილი საფონდო: 171091

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 200k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DFT1K80

RAVF104DFT1K80

ნაწილი საფონდო: 150855

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.8k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DFT22K0

RAVF104DFT22K0

ნაწილი საფონდო: 178604

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DFT68K0

RAVF104DFT68K0

ნაწილი საფონდო: 103408

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 68k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DFT160R

RAVF104DFT160R

ნაწილი საფონდო: 163262

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 160, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DFT16R0

RAVF104DFT16R0

ნაწილი საფონდო: 143049

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 16, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DFT150R

RAVF104DFT150R

ნაწილი საფონდო: 144985

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DFT620K

RAVF104DFT620K

ნაწილი საფონდო: 109625

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 620k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DFT11K0

RAVF104DFT11K0

ნაწილი საფონდო: 133509

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 11k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი