რეზისტორული ქსელები, მასივები

RAVF324DJT2K20

RAVF324DJT2K20

ნაწილი საფონდო: 166771

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF324DJT100R

RAVF324DJT100R

ნაწილი საფონდო: 126836

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DFT22R0

RAVF104DFT22R0

ნაწილი საფონდო: 163778

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF324DJT560R

RACF324DJT560R

ნაწილი საფონდო: 184674

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 560, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DFT56R2

RACF164DFT56R2

ნაწილი საფონდო: 162619

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56.2, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF324DJT120R

RACF324DJT120R

ნაწილი საფონდო: 175959

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DFT40K2

RACF164DFT40K2

ნაწილი საფონდო: 118906

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 40.2k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DFT5K11

RACF164DFT5K11

ნაწილი საფონდო: 120018

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.11k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF324DJT470R

RACF324DJT470R

ნაწილი საფონდო: 197200

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DFT76K8

RACF164DFT76K8

ნაწილი საფონდო: 126227

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 76.8k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF324DZT0R00

RACF324DZT0R00

ნაწილი საფონდო: 152955

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 0.0, ტოლერანტობა: Jumper, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF324DFT100K

RAVF324DFT100K

ნაწილი საფონდო: 154003

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DFT39R2

RACF164DFT39R2

ნაწილი საფონდო: 178630

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39.2, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF324DJT22K0

RAVF324DJT22K0

ნაწილი საფონდო: 175593

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DFT64K9

RACF164DFT64K9

ნაწილი საფონდო: 187604

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 64.9k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF324DJT300R

RACF324DJT300R

ნაწილი საფონდო: 194401

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 300, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF324DJT300R

RAVF324DJT300R

ნაწილი საფონდო: 121891

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 300, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF324DJT470K

RAVF324DJT470K

ნაწილი საფონდო: 157930

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF324DJT56R0

RACF324DJT56R0

ნაწილი საფონდო: 134060

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF324DJT270R

RACF324DJT270R

ნაწილი საფონდო: 113277

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF324DJT390R

RACF324DJT390R

ნაწილი საფონდო: 114895

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 390, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF324DJT13R0

RAVF324DJT13R0

ნაწილი საფონდო: 105132

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 13, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF324DJT3K30

RAVF324DJT3K30

ნაწილი საფონდო: 170033

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF324DJT15R0

RACF324DJT15R0

ნაწილი საფონდო: 136963

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DFT33K2

RACF164DFT33K2

ნაწილი საფონდო: 184681

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33.2k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF324DJT22K0

RACF324DJT22K0

ნაწილი საფონდო: 128174

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF324DJT1K00

RACF324DJT1K00

ნაწილი საფონდო: 187556

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF324DJT56K0

RAVF324DJT56K0

ნაწილი საფონდო: 113816

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF324DJT12K0

RACF324DJT12K0

ნაწილი საფონდო: 148342

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF168DJT220R

RAVF168DJT220R

ნაწილი საფონდო: 139099

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF168DJT47R0

RAVF168DJT47R0

ნაწილი საფონდო: 156712

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF328RJT1M00

RAVF328RJT1M00

ნაწილი საფონდო: 138385

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1M, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF328NJT4K70

RAVF328NJT4K70

ნაწილი საფონდო: 128947

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RAVF328RJT130R

RAVF328RJT130R

ნაწილი საფონდო: 194760

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 130, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RACF164DGT330R

RACF164DGT330R

ნაწილი საფონდო: 118208

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF102DJT36R0

RAVF102DJT36R0

ნაწილი საფონდო: 189188

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 36, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი