რეზისტორული ქსელები, მასივები

RAVF162DJT43R0

RAVF162DJT43R0

ნაწილი საფონდო: 100645

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 43, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RAVF164DFT560K

RAVF164DFT560K

ნაწილი საფონდო: 136250

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 560k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT240R

RAVF164DFT240R

ნაწილი საფონდო: 101481

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 240, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT680R

RAVF164DFT680R

ნაწილი საფონდო: 176966

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 680, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT16R0

RAVF164DFT16R0

ნაწილი საფონდო: 149806

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 16, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT1M00

RAVF164DFT1M00

ნაწილი საფონდო: 170103

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1M, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT1K30

RAVF164DFT1K30

ნაწილი საფონდო: 193726

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.3k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF162DJT2R00

RAVF162DJT2R00

ნაწილი საფონდო: 149369

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RAVF162DJT1K10

RAVF162DJT1K10

ნაწილი საფონდო: 116848

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RAVF164DFT510R

RAVF164DFT510R

ნაწილი საფონდო: 173963

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 510, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT36R0

RAVF164DFT36R0

ნაწილი საფონდო: 172816

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 36, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT68R0

RAVF164DFT68R0

ნაწილი საფონდო: 178975

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 68, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT360K

RAVF164DFT360K

ნაწილი საფონდო: 107261

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 360k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT3K90

RAVF164DFT3K90

ნაწილი საფონდო: 145649

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.9k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DJT330R

RACF164DJT330R

ნაწილი საფონდო: 183917

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF162DJT51R0

RAVF162DJT51R0

ნაწილი საფონდო: 193292

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 51, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RAVF164DFT9K10

RAVF164DFT9K10

ნაწილი საფონდო: 168595

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 9.1k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT2K20

RAVF164DFT2K20

ნაწილი საფონდო: 124251

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DJT2R00

RACF164DJT2R00

ნაწილი საფონდო: 186965

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT270K

RAVF164DFT270K

ნაწილი საფონდო: 119821

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT27R0

RAVF164DFT27R0

ნაწილი საფონდო: 163117

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT121R

RAVF164DFT121R

ნაწილი საფონდო: 128456

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 121, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT820R

RAVF164DFT820R

ნაწილი საფონდო: 109645

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 820, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DFT39R0

RAVF164DFT39R0

ნაწილი საფონდო: 154544

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF162DZT0R00

RAVF162DZT0R00

ნაწილი საფონდო: 123534

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 0.0, ტოლერანტობა: Jumper, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RAVF164DFT787R

RAVF164DFT787R

ნაწილი საფონდო: 153725

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 787, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DJT360R

RACF164DJT360R

ნაწილი საფონდო: 149949

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 360, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DJT10R0

RACF164DJT10R0

ნაწილი საფონდო: 143610

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DJT16R0

RACF164DJT16R0

ნაწილი საფონდო: 131244

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 16, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DJT620R

RACF164DJT620R

ნაწილი საფონდო: 175668

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 620, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DJT7K50

RACF164DJT7K50

ნაწილი საფონდო: 192927

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 7.5k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DJT6K80

RACF164DJT6K80

ნაწილი საფონდო: 129263

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.8k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DJT13K0

RACF164DJT13K0

ნაწილი საფონდო: 168351

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 13k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DJT300R

RACF164DJT300R

ნაწილი საფონდო: 190130

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 300, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DJT30R0

RACF164DJT30R0

ნაწილი საფონდო: 199847

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 30, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DJT43R0

RACF164DJT43R0

ნაწილი საფონდო: 180675

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 43, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი