რეზისტორული ქსელები, მასივები

RAVF104DJT390R

RAVF104DJT390R

ნაწილი საფონდო: 163928

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 390, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT4R30

RAVF104DJT4R30

ნაწილი საფონდო: 140016

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.3, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT13K0

RAVF104DJT13K0

ნაწილი საფონდო: 161595

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 13k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT82K0

RAVF104DJT82K0

ნაწილი საფონდო: 139463

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 82k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT33K0

RAVF104DJT33K0

ნაწილი საფონდო: 176291

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT4K70

RAVF104DJT4K70

ნაწილი საფონდო: 154800

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT120K

RAVF104DJT120K

ნაწილი საფონდო: 123419

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF102DJT51R0

RAVF102DJT51R0

ნაწილი საფონდო: 195519

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 51, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RACF164DJT20K0

RACF164DJT20K0

ნაწილი საფონდო: 179381

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 20k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT560K

RAVF104DJT560K

ნაწილი საფონდო: 199278

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 560k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF104DJT560R

RACF104DJT560R

ნაწილი საფონდო: 192336

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 560, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT18K0

RAVF104DJT18K0

ნაწილი საფონდო: 158030

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 18k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT30K0

RAVF104DJT30K0

ნაწილი საფონდო: 174198

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 30k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT5R10

RAVF104DJT5R10

ნაწილი საფონდო: 118376

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.1, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF102DZT0R00

RAVF102DZT0R00

ნაწილი საფონდო: 193829

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 0.0, ტოლერანტობა: Jumper, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RACF104DJT39K0

RACF104DJT39K0

ნაწილი საფონდო: 117395

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT51R0

RAVF104DJT51R0

ნაწილი საფონდო: 147601

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 51, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT910K

RAVF104DJT910K

ნაწილი საფონდო: 130821

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 910k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF102DJT270R

RAVF102DJT270R

ნაწილი საფონდო: 193759

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RACF104DJT100R

RACF104DJT100R

ნაწილი საფონდო: 183273

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DJT1K20

RACF164DJT1K20

ნაწილი საფონდო: 156844

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT300K

RAVF104DJT300K

ნაწილი საფონდო: 189329

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 300k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT18R0

RAVF104DJT18R0

ნაწილი საფონდო: 129310

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 18, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT1K00

RAVF104DJT1K00

ნაწილი საფონდო: 138136

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT47K0

RAVF104DJT47K0

ნაწილი საფონდო: 138713

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF104DJT18K0

RACF104DJT18K0

ნაწილი საფონდო: 107559

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 18k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DJT12R0

RACF164DJT12R0

ნაწილი საფონდო: 131253

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT1R60

RAVF104DJT1R60

ნაწილი საფონდო: 147995

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.6, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT2K00

RAVF104DJT2K00

ნაწილი საფონდო: 170787

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF104DJT270R

RACF104DJT270R

ნაწილი საფონდო: 105835

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF102DJT27R0

RAVF102DJT27R0

ნაწილი საფონდო: 159663

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RACF104DJT680R

RACF104DJT680R

ნაწილი საფონდო: 161191

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 680, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT27R0

RAVF104DJT27R0

ნაწილი საფონდო: 152733

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT1K60

RAVF104DJT1K60

ნაწილი საფონდო: 183499

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.6k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DJT3K30

RACF164DJT3K30

ნაწილი საფონდო: 120765

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT2R40

RAVF104DJT2R40

ნაწილი საფონდო: 111229

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.4, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი