რეზისტორული ქსელები, მასივები

RACF164DJT51R0

RACF164DJT51R0

ნაწილი საფონდო: 109445

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 51, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF104DJT10K0

RACF104DJT10K0

ნაწილი საფონდო: 162535

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT220R

RAVF104DJT220R

ნაწილი საფონდო: 125657

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DJT2K70

RACF164DJT2K70

ნაწილი საფონდო: 147962

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT30R0

RAVF104DJT30R0

ნაწილი საფონდო: 159556

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 30, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DJT910R

RACF164DJT910R

ნაწილი საფონდო: 118851

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 910, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF104DJT82K0

RACF104DJT82K0

ნაწილი საფონდო: 146395

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 82k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF102DJT22R0

RAVF102DJT22R0

ნაწილი საფონდო: 184824

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RAVF104DJT2K40

RAVF104DJT2K40

ნაწილი საფონდო: 128361

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.4k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT24K0

RAVF104DJT24K0

ნაწილი საფონდო: 132471

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 24k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF102DJT9K10

RAVF102DJT9K10

ნაწილი საფონდო: 138404

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 9.1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RAVF104DJT11K0

RAVF104DJT11K0

ნაწილი საფონდო: 187210

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 11k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF104DJT120R

RACF104DJT120R

ნაწილი საფონდო: 146718

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT680K

RAVF104DJT680K

ნაწილი საფონდო: 164072

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 680k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT620K

RAVF104DJT620K

ნაწილი საფონდო: 130987

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 620k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DJT750K

RACF164DJT750K

ნაწილი საფონდო: 147643

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 750k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DJT68K0

RACF164DJT68K0

ნაწილი საფონდო: 106033

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 68k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT39R0

RAVF104DJT39R0

ნაწილი საფონდო: 176572

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF102DJT15R0

RAVF102DJT15R0

ნაწილი საფონდო: 117877

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RAVF104DJT3K00

RAVF104DJT3K00

ნაწილი საფონდო: 153358

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT760K

RAVF104DJT760K

ნაწილი საფონდო: 127146

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 760k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF102DJT1K10

RAVF102DJT1K10

ნაწილი საფონდო: 179023

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RAVF104DJT9R10

RAVF104DJT9R10

ნაწილი საფონდო: 197357

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 9.1, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF102DJT1K00

RAVF102DJT1K00

ნაწილი საფონდო: 114437

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RAVF104DJT82R0

RAVF104DJT82R0

ნაწილი საფონდო: 139791

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 82, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF102DJT27K0

RAVF102DJT27K0

ნაწილი საფონდო: 196239

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RAVF104DJT43K0

RAVF104DJT43K0

ნაწილი საფონდო: 187800

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 43k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF104DJT150R

RACF104DJT150R

ნაწილი საფონდო: 157195

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT330K

RAVF104DJT330K

ნაწილი საფონდო: 128703

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT430R

RAVF104DJT430R

ნაწილი საფონდო: 135244

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 430, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF104DJT39R0

RACF104DJT39R0

ნაწილი საფონდო: 161297

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF104DJT15K0

RACF104DJT15K0

ნაწილი საფონდო: 127987

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT130K

RAVF104DJT130K

ნაწილი საფონდო: 150618

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 130k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT270K

RAVF104DJT270K

ნაწილი საფონდო: 124152

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT470K

RAVF104DJT470K

ნაწილი საფონდო: 148190

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT5K10

RAVF104DJT5K10

ნაწილი საფონდო: 184064

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი