რეზისტორული ქსელები, მასივები

RAVF104DJT1R20

RAVF104DJT1R20

ნაწილი საფონდო: 183761

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.2, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT820K

RAVF104DJT820K

ნაწილი საფონდო: 186416

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 820k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF102DJT33R0

RAVF102DJT33R0

ნაწილი საფონდო: 179025

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RAVF104DJT110K

RAVF104DJT110K

ნაწილი საფონდო: 116142

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 110k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT39K0

RAVF104DJT39K0

ნაწილი საფონდო: 173146

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT22K0

RAVF104DJT22K0

ნაწილი საფონდო: 141974

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DJT130K

RACF164DJT130K

ნაწილი საფონდო: 186648

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 130k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF102DJT100R

RAVF102DJT100R

ნაწილი საფონდო: 138033

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RAVF104DJT56K0

RAVF104DJT56K0

ნაწილი საფონდო: 195256

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT5K60

RAVF104DJT5K60

ნაწილი საფონდო: 151656

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.6k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT22R0

RAVF104DJT22R0

ნაწილი საფონდო: 116098

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DZT0R00

RAVF104DZT0R00

ნაწილი საფონდო: 167027

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 0.0, ტოლერანტობა: Jumper, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF102DJT18R0

RAVF102DJT18R0

ნაწილი საფონდო: 179738

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 18, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RACF164DJT33K0

RACF164DJT33K0

ნაწილი საფონდო: 185099

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF104DJT27K0

RACF104DJT27K0

ნაწილი საფონდო: 161877

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT360K

RAVF104DJT360K

ნაწილი საფონდო: 107916

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 360k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT62R0

RAVF104DJT62R0

ნაწილი საფონდო: 176797

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 62, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT1M00

RAVF104DJT1M00

ნაწილი საფონდო: 126507

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1M, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT6K80

RAVF104DJT6K80

ნაწილი საფონდო: 110520

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.8k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT1R10

RAVF104DJT1R10

ნაწილი საფონდო: 145495

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.1, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DJT820R

RACF164DJT820R

ნაწილი საფონდო: 198498

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 820, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT390K

RAVF104DJT390K

ნაწილი საფონდო: 115871

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 390k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT62K0

RAVF104DJT62K0

ნაწილი საფონდო: 113314

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 62k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DJT27K0

RACF164DJT27K0

ნაწილი საფონდო: 103216

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT36K0

RAVF104DJT36K0

ნაწილი საფონდო: 106513

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 36k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF102DJT510R

RAVF102DJT510R

ნაწილი საფონდო: 154069

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 510, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RACF164DJT620K

RACF164DJT620K

ნაწილი საფონდო: 145008

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 620k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT7K60

RAVF104DJT7K60

ნაწილი საფონდო: 104163

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 7.6k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT91K0

RAVF104DJT91K0

ნაწილი საფონდო: 190805

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 91k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF104DJT100K

RACF104DJT100K

ნაწილი საფონდო: 114636

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT100R

RAVF104DJT100R

ნაწილი საფონდო: 168901

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT100K

RAVF104DJT100K

ნაწილი საფონდო: 152

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF102DJT13R0

RAVF102DJT13R0

ნაწილი საფონდო: 130232

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 13, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RACF164DJT3K60

RACF164DJT3K60

ნაწილი საფონდო: 167505

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.6k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RACF164DJT82K0

RACF164DJT82K0

ნაწილი საფონდო: 157109

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 82k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT10K0

RAVF104DJT10K0

ნაწილი საფონდო: 100602

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი