რეზისტორული ქსელები, მასივები

RAVF164DJT4K70

RAVF164DJT4K70

ნაწილი საფონდო: 158216

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT470K

RAVF164DJT470K

ნაწილი საფონდო: 184914

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT22R0

RAVF164DJT22R0

ნაწილი საფონდო: 111621

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT75K0

RAVF164DJT75K0

ნაწილი საფონდო: 116369

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 75k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT10K0

RAVF164DJT10K0

ნაწილი საფონდო: 193517

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT68K0

RAVF164DJT68K0

ნაწილი საფონდო: 177982

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 68k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT76K0

RAVF164DJT76K0

ნაწილი საფონდო: 135202

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 76k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT180R

RAVF164DJT180R

ნაწილი საფონდო: 133456

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 180, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT39R0

RAVF164DJT39R0

ნაწილი საფონდო: 166104

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT3K90

RAVF164DJT3K90

ნაწილი საფონდო: 185120

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.9k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT510R

RAVF164DJT510R

ნაწილი საფონდო: 177008

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 510, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT20K0

RAVF164DJT20K0

ნაწილი საფონდო: 131846

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 20k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF104DJT240R

RAVF104DJT240R

ნაწილი საფონდო: 199651

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 240, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT2K20

RAVF164DJT2K20

ნაწილი საფონდო: 143423

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT10R0

RAVF164DJT10R0

ნაწილი საფონდო: 158897

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT1R80

RAVF164DJT1R80

ნაწილი საფონდო: 110691

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.8, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT1R20

RAVF164DJT1R20

ნაწილი საფონდო: 190881

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.2, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT220K

RAVF164DJT220K

ნაწილი საფონდო: 107002

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT5R60

RAVF164DJT5R60

ნაწილი საფონდო: 147667

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.6, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT2R20

RAVF164DJT2R20

ნაწილი საფონდო: 114820

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT3R30

RAVF164DJT3R30

ნაწილი საფონდო: 175867

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT120K

RAVF164DJT120K

ნაწილი საფონდო: 163315

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT82R0

RAVF164DJT82R0

ნაწილი საფონდო: 151058

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 82, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT3R00

RAVF164DJT3R00

ნაწილი საფონდო: 128107

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT680K

RAVF164DJT680K

ნაწილი საფონდო: 112687

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 680k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT5R10

RAVF164DJT5R10

ნაწილი საფონდო: 138896

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.1, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT2K40

RAVF164DJT2K40

ნაწილი საფონდო: 187851

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.4k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT160K

RAVF164DJT160K

ნაწილი საფონდო: 132018

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 160k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT130K

RAVF164DJT130K

ნაწილი საფონდო: 167212

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 130k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT13K0

RAVF164DJT13K0

ნაწილი საფონდო: 189732

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 13k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT56R0

RAVF164DJT56R0

ნაწილი საფონდო: 142001

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT6R20

RAVF164DJT6R20

ნაწილი საფონდო: 155596

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.2, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT12R0

RAVF164DJT12R0

ნაწილი საფონდო: 183216

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT110K

RAVF164DJT110K

ნაწილი საფონდო: 168840

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 110k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT820K

RAVF164DJT820K

ნაწილი საფონდო: 152121

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 820k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RAVF164DJT15R0

RAVF164DJT15R0

ნაწილი საფონდო: 125059

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი