ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

HVCB1206BTE10M0

HVCB1206BTE10M0

ნაწილი საფონდო: 14045

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FTC50M0

HVCB2512FTC50M0

ნაწილი საფონდო: 17464

წინააღმდეგობა: 50 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB2010FDC100M

HVCB2010FDC100M

ნაწილი საფონდო: 30287

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB0805FDC250M

HVCB0805FDC250M

ნაწილი საფონდო: 2654

წინააღმდეგობა: 250 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206FDC47M0

HVCB1206FDC47M0

ნაწილი საფონდო: 2723

წინააღმდეგობა: 47 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FDD24K9

HVCB2512FDD24K9

ნაწილი საფონდო: 16718

წინააღმდეგობა: 24.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FDD30M0

HVCB2512FDD30M0

ნაწილი საფონდო: 19783

წინააღმდეგობა: 30 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206DDC10M0

HVCB1206DDC10M0

ნაწილი საფონდო: 17985

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FDD200M

HVCB2512FDD200M

ნაწილი საფონდო: 17977

წინააღმდეგობა: 200 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206FDC250M

HVCB1206FDC250M

ნაწილი საფონდო: 2728

წინააღმდეგობა: 250 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206FDC75M0

HVCB1206FDC75M0

ნაწილი საფონდო: 4367

წინააღმდეგობა: 75 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB2010JDL1G00

HVCB2010JDL1G00

ნაწილი საფონდო: 17078

წინააღმდეგობა: 1 GOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FKC50M0

HVCB2512FKC50M0

ნაწილი საფონდო: 17438

წინააღმდეგობა: 50 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FDD20K0

HVCB2512FDD20K0

ნაწილი საფონდო: 16808

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FTC100M

HVCB2512FTC100M

ნაწილი საფონდო: 17432

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FDD3K00

HVCB2512FDD3K00

ნაწილი საფონდო: 16791

წინააღმდეგობა: 3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FDL330K

HVCB2512FDL330K

ნაწილი საფონდო: 18268

წინააღმდეგობა: 330 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FTD500M

HVCB2512FTD500M

ნაწილი საფონდო: 18404

წინააღმდეგობა: 500 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FKD500M

HVCB2512FKD500M

ნაწილი საფონდო: 18407

წინააღმდეგობა: 500 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FTD100M

HVCB2512FTD100M

ნაწილი საფონდო: 20636

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB0805FDC2M21

HVCB0805FDC2M21

ნაწილი საფონდო: 32305

წინააღმდეგობა: 2.21 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FTC5M11

HVCB2512FTC5M11

ნაწილი საფონდო: 20231

წინააღმდეგობა: 5.11 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB0805FDC75M0

HVCB0805FDC75M0

ნაწილი საფონდო: 4386

წინააღმდეგობა: 75 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206FKD1G00

HVCB1206FKD1G00

ნაწილი საფონდო: 20710

წინააღმდეგობა: 1 GOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FKC5M90

HVCB2512FKC5M90

ნაწილი საფონდო: 20224

წინააღმდეგობა: 5.9 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB0805FDC30M0

HVCB0805FDC30M0

ნაწილი საფონდო: 32315

წინააღმდეგობა: 30 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FTC4M75

HVCB2512FTC4M75

ნაწილი საფონდო: 20234

წინააღმდეგობა: 4.75 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB0805FDC47M0

HVCB0805FDC47M0

ნაწილი საფონდო: 139

წინააღმდეგობა: 47 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB0603FDD22M0

HVCB0603FDD22M0

ნაწილი საფონდო: 22111

წინააღმდეგობა: 22 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.06W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206FDC500K

HVCB1206FDC500K

ნაწილი საფონდო: 20683

წინააღმდეგობა: 500 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FTC499K

HVCB2512FTC499K

ნაწილი საფონდო: 20206

წინააღმდეგობა: 499 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB2010FDC10M0

HVCB2010FDC10M0

ნაწილი საფონდო: 19026

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512DTD4M00

HVCB2512DTD4M00

ნაწილი საფონდო: 19468

წინააღმდეგობა: 4 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206DKC100M

HVCB1206DKC100M

ნაწილი საფონდო: 20235

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB0603FDD33M0

HVCB0603FDD33M0

ნაწილი საფონდო: 19285

წინააღმდეგობა: 33 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.06W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512DTD1M00

HVCB2512DTD1M00

ნაწილი საფონდო: 19465

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი