ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

HPC12JB33R0

HPC12JB33R0

ნაწილი საფონდო: 1726

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
SM4527FTR100

SM4527FTR100

ნაწილი საფონდო: 7225

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM4527JTR180

SM4527JTR180

ნაწილი საფონდო: 7322

წინააღმდეგობა: 180 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM4527JTR120

SM4527JTR120

ნაწილი საფონდო: 7258

წინააღმდეგობა: 120 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HPC12JBR500

HPC12JBR500

ნაწილი საფონდო: 1737

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
HPC12JB100R

HPC12JB100R

ნაწილი საფონდო: 2727

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RNCS0805DTC1R00

RNCS0805DTC1R00

ნაწილი საფონდო: 7284

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Corrosive, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RNCS0402DTC10R0

RNCS0402DTC10R0

ნაწილი საფონდო: 7289

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Corrosive, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HPC12JBR100

HPC12JBR100

ნაწილი საფონდო: 1732

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
SM4527JTR820

SM4527JTR820

ნაწილი საფონდო: 7349

წინააღმდეგობა: 820 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM4527FTR909

SM4527FTR909

ნაწილი საფონდო: 7278

წინააღმდეგობა: 909 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HPC12JT47R0

HPC12JT47R0

ნაწილი საფონდო: 7283

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
SM4527FTR976

SM4527FTR976

ნაწილი საფონდო: 7295

წინააღმდეგობა: 976 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM4527JTR110

SM4527JTR110

ნაწილი საფონდო: 7317

წინააღმდეგობა: 110 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HPC12JT50R0

HPC12JT50R0

ნაწილი საფონდო: 7082

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
SM4527FTR845

SM4527FTR845

ნაწილი საფონდო: 7311

წინააღმდეგობა: 845 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM4527JTR510

SM4527JTR510

ნაწილი საფონდო: 7032

წინააღმდეგობა: 510 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM4527FTR649

SM4527FTR649

ნაწილი საფონდო: 7280

წინააღმდეგობა: 649 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CSRF2010JK7L00

CSRF2010JK7L00

ნაწილი საფონდო: 7053

წინააღმდეგობა: 7 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RNCS2010CTC4R70

RNCS2010CTC4R70

ნაწილი საფონდო: 7094

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Corrosive, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
SM4527FTR750

SM4527FTR750

ნაწილი საფონდო: 1797

წინააღმდეგობა: 750 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HPC12JTR500

HPC12JTR500

ნაწილი საფონდო: 7239

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
SM4527FTR665

SM4527FTR665

ნაწილი საფონდო: 7230

წინააღმდეგობა: 665 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM4527FTR732

SM4527FTR732

ნაწილი საფონდო: 7218

წინააღმდეგობა: 732 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RNCF0603FKE34K0

RNCF0603FKE34K0

ნაწილი საფონდო: 7333

წინააღმდეგობა: 34 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
CSRF2010FK5L00

CSRF2010FK5L00

ნაწილი საფონდო: 7102

წინააღმდეგობა: 5 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM4527JTR300

SM4527JTR300

ნაწილი საფონდო: 7341

წინააღმდეგობა: 300 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512BDE10M0

HVCB2512BDE10M0

ნაწილი საფონდო: 8474

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
HPC12JB50L0

HPC12JB50L0

ნაწილი საფონდო: 7130

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
CSRF2512FK10L0

CSRF2512FK10L0

ნაწილი საფონდო: 7034

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM4527FTR619

SM4527FTR619

ნაწილი საფონდო: 7065

წინააღმდეგობა: 619 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FDD2G00

HVCB2512FDD2G00

ნაწილი საფონდო: 8597

წინააღმდეგობა: 2 GOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512MDM500G

HVCB2512MDM500G

ნაწილი საფონდო: 8900

წინააღმდეგობა: 500 GOhms, ტოლერანტობა: ±20%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
RNCP0805FTD61K9

RNCP0805FTD61K9

ნაწილი საფონდო: 161994

წინააღმდეგობა: 61.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512BDC1M00

HVCB2512BDC1M00

ნაწილი საფონდო: 9199

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512BDC125K

HVCB2512BDC125K

ნაწილი საფონდო: 9621

წინააღმდეგობა: 125 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი