ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

UHVB2010FCD1G00

UHVB2010FCD1G00

ნაწილი საფონდო: 1616

წინააღმდეგობა: 1 GOhms, ტოლერანტობა: ±1%, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
UHVB2010FCD500M

UHVB2010FCD500M

ნაწილი საფონდო: 124

წინააღმდეგობა: 500 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2010BDE50M0

HVCB2010BDE50M0

ნაწილი საფონდო: 9919

წინააღმდეგობა: 50 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
HVCB2010BDE100M

HVCB2010BDE100M

ნაწილი საფონდო: 9938

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FTC1G00

HVCB2512FTC1G00

ნაწილი საფონდო: 10295

წინააღმდეგობა: 1 GOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB0805FDC2G00

HVCB0805FDC2G00

ნაწილი საფონდო: 10117

წინააღმდეგობა: 2 GOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512DTC100M

HVCB2512DTC100M

ნაწილი საფონდო: 11039

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FDC500M

HVCB2512FDC500M

ნაწილი საფონდო: 2700

წინააღმდეგობა: 500 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB2010BDE1M00

HVCB2010BDE1M00

ნაწილი საფონდო: 11018

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
HVCB2010BDE10M0

HVCB2010BDE10M0

ნაწილი საფონდო: 10983

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FDC250M

HVCB2512FDC250M

ნაწილი საფონდო: 2722

წინააღმდეგობა: 250 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FDE100M

HVCB2512FDE100M

ნაწილი საფონდო: 11751

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206BDE100M

HVCB1206BDE100M

ნაწილი საფონდო: 11885

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206BKE100M

HVCB1206BKE100M

ნაწილი საფონდო: 119

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FKD1G00

HVCB2512FKD1G00

ნაწილი საფონდო: 12203

წინააღმდეგობა: 1 GOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206BDE50M0

HVCB1206BDE50M0

ნაწილი საფონდო: 11893

წინააღმდეგობა: 50 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FDC47M0

HVCB2512FDC47M0

ნაწილი საფონდო: 74

წინააღმდეგობა: 47 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206BTE100M

HVCB1206BTE100M

ნაწილი საფონდო: 12225

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FTD1G00

HVCB2512FTD1G00

ნაწილი საფონდო: 12254

წინააღმდეგობა: 1 GOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FKE2M00

HVCB2512FKE2M00

ნაწილი საფონდო: 12725

წინააღმდეგობა: 2 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206DDC120M

HVCB1206DDC120M

ნაწილი საფონდო: 17698

წინააღმდეგობა: 120 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206BDE1M00

HVCB1206BDE1M00

ნაწილი საფონდო: 13752

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FDE75M0

HVCB2512FDE75M0

ნაწილი საფონდო: 13712

წინააღმდეგობა: 75 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206BDE10M0

HVCB1206BDE10M0

ნაწილი საფონდო: 13722

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206BDC10M0

HVCB1206BDC10M0

ნაწილი საფონდო: 14582

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512DTC402K

HVCB2512DTC402K

ნაწილი საფონდო: 15826

წინააღმდეგობა: 402 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB0603FDC75M0

HVCB0603FDC75M0

ნაწილი საფონდო: 2743

წინააღმდეგობა: 75 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.06W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB0603FDD250M

HVCB0603FDD250M

ნაწილი საფონდო: 2652

წინააღმდეგობა: 250 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.06W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB0603FDD200M

HVCB0603FDD200M

ნაწილი საფონდო: 2740

წინააღმდეგობა: 200 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.06W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB0603FDD500M

HVCB0603FDD500M

ნაწილი საფონდო: 2717

წინააღმდეგობა: 500 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.06W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB0603FDC47M0

HVCB0603FDC47M0

ნაწილი საფონდო: 4361

წინააღმდეგობა: 47 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.06W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206BDD30K0

HVCB1206BDD30K0

ნაწილი საფონდო: 14948

წინააღმდეგობა: 30 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512DTC4M02

HVCB2512DTC4M02

ნაწილი საფონდო: 15784

წინააღმდეგობა: 4.02 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FKC1G00

HVCB2512FKC1G00

ნაწილი საფონდო: 16041

წინააღმდეგობა: 1 GOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB2010DDC500M

HVCB2010DDC500M

ნაწილი საფონდო: 14801

წინააღმდეგობა: 500 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206BDC2M00

HVCB1206BDC2M00

ნაწილი საფონდო: 14587

წინააღმდეგობა: 2 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი