ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

SM4527JTR220

SM4527JTR220

ნაწილი საფონდო: 7329

წინააღმდეგობა: 220 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HPC12JB50R0

HPC12JB50R0

ნაწილი საფონდო: 7190

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
SM4527JTR390

SM4527JTR390

ნაწილი საფონდო: 7331

წინააღმდეგობა: 390 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HPC12JT250R

HPC12JT250R

ნაწილი საფონდო: 7186

წინააღმდეგობა: 250 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
HPC12JT10R0

HPC12JT10R0

ნაწილი საფონდო: 7252

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
SM4527FTR953

SM4527FTR953

ნაწილი საფონდო: 7304

წინააღმდეგობა: 953 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HPC12JB8R20

HPC12JB8R20

ნაწილი საფონდო: 7173

წინააღმდეგობა: 8.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
HPC12JB22R0

HPC12JB22R0

ნაწილი საფონდო: 7095

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
HPC12JT5R10

HPC12JT5R10

ნაწილი საფონდო: 7214

წინააღმდეგობა: 5.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
HPC12JB1R00

HPC12JB1R00

ნაწილი საფონდო: 7194

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
HPC12JT33R0

HPC12JT33R0

ნაწილი საფონდო: 7236

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
SM4527JTR160

SM4527JTR160

ნაწილი საფონდო: 1778

წინააღმდეგობა: 160 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HPC12JB1K00

HPC12JB1K00

ნაწილი საფონდო: 7152

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
HPC12JB2R00

HPC12JB2R00

ნაწილი საფონდო: 7155

წინააღმდეგობა: 2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RNCS0603DTC2R00

RNCS0603DTC2R00

ნაწილი საფონდო: 7291

წინააღმდეგობა: 2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Corrosive, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
SM4527FTR768

SM4527FTR768

ნაწილი საფონდო: 1742

წინააღმდეგობა: 768 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RNCS0603CTC4K70

RNCS0603CTC4K70

ნაწილი საფონდო: 7356

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Corrosive, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RNCS0603DTE4R70

RNCS0603DTE4R70

ნაწილი საფონდო: 7037

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Corrosive, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RNCS1206DTE4R70

RNCS1206DTE4R70

ნაწილი საფონდო: 7101

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Corrosive, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
HPC12JB12R0

HPC12JB12R0

ნაწილი საფონდო: 7030

წინააღმდეგობა: 12 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
SM4527FTR634

SM4527FTR634

ნაწილი საფონდო: 7205

წინააღმდეგობა: 634 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HPC12JT50L0

HPC12JT50L0

ნაწილი საფონდო: 1742

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
HPC12JB500R

HPC12JB500R

ნაწილი საფონდო: 7230

წინააღმდეგობა: 500 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
SM4527JTR430

SM4527JTR430

ნაწილი საფონდო: 7030

წინააღმდეგობა: 430 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM4527FTR715

SM4527FTR715

ნაწილი საფონდო: 7273

წინააღმდეგობა: 715 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM4527FTR604

SM4527FTR604

ნაწილი საფონდო: 7198

წინააღმდეგობა: 604 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM4527JTR910

SM4527JTR910

ნაწილი საფონდო: 7018

წინააღმდეგობა: 910 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM4527FTR787

SM4527FTR787

ნაწილი საფონდო: 7256

წინააღმდეგობა: 787 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM4527JTR270

SM4527JTR270

ნაწილი საფონდო: 7286

წინააღმდეგობა: 270 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HPC12JT22R0

HPC12JT22R0

ნაწილი საფონდო: 7270

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
SM4527JTR470

SM4527JTR470

ნაწილი საფონდო: 7036

წინააღმდეგობა: 470 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HPC12JB10R0

HPC12JB10R0

ნაწილი საფონდო: 7172

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
SM4527FTR698

SM4527FTR698

ნაწილი საფონდო: 7210

წინააღმდეგობა: 698 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RNCS0805CTC4R70

RNCS0805CTC4R70

ნაწილი საფონდო: 7368

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Corrosive, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
SM4527JTR680

SM4527JTR680

ნაწილი საფონდო: 7259

წინააღმდეგობა: 680 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM4527JTR620

SM4527JTR620

ნაწილი საფონდო: 7334

წინააღმდეგობა: 620 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი