ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

HVCB2512FTD150K

HVCB2512FTD150K

ნაწილი საფონდო: 24141

წინააღმდეგობა: 150 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206FDL40K2

HVCB1206FDL40K2

ნაწილი საფონდო: 24913

წინააღმდეგობა: 40.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FKD499K

HVCB2512FKD499K

ნაწილი საფონდო: 24076

წინააღმდეგობა: 499 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FTD40K2

HVCB2512FTD40K2

ნაწილი საფონდო: 24068

წინააღმდეგობა: 40.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206DTC150M

HVCB1206DTC150M

ნაწილი საფონდო: 22453

წინააღმდეგობა: 150 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB2010FDC2M00

HVCB2010FDC2M00

ნაწილი საფონდო: 25527

წინააღმდეგობა: 2 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FKD40K2

HVCB2512FKD40K2

ნაწილი საფონდო: 24115

წინააღმდეგობა: 40.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FTD10K0

HVCB2512FTD10K0

ნაწილი საფონდო: 24077

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FKD50K0

HVCB2512FKD50K0

ნაწილი საფონდო: 24067

წინააღმდეგობა: 50 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FDD3M00

HVCB2512FDD3M00

ნაწილი საფონდო: 24208

წინააღმდეგობა: 3 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FKD3M30

HVCB2512FKD3M30

ნაწილი საფონდო: 24057

წინააღმდეგობა: 3.3 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206FDD6K80

HVCB1206FDD6K80

ნაწილი საფონდო: 36779

წინააღმდეგობა: 6.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FKD560R

HVCB2512FKD560R

ნაწილი საფონდო: 24134

წინააღმდეგობა: 560 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FTD60K0

HVCB2512FTD60K0

ნაწილი საფონდო: 24126

წინააღმდეგობა: 60 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FTD1M00

HVCB2512FTD1M00

ნაწილი საფონდო: 24142

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FTD2M00

HVCB2512FTD2M00

ნაწილი საფონდო: 24073

წინააღმდეგობა: 2 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FKD4M00-PB

HVCB2512FKD4M00-PB

ნაწილი საფონდო: 24144

წინააღმდეგობა: 4 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512JKC10M0

HVCB2512JKC10M0

ნაწილი საფონდო: 28154

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512JTC1M00

HVCB2512JTC1M00

ნაწილი საფონდო: 28100

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512KKC10M0

HVCB2512KKC10M0

ნაწილი საფონდო: 30675

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206DTC5M00

HVCB1206DTC5M00

ნაწილი საფონდო: 29777

წინააღმდეგობა: 5 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB2010FDD10K0

HVCB2010FDD10K0

ნაწილი საფონდო: 26987

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206GKC430M

HVCB1206GKC430M

ნაწილი საფონდო: 28908

წინააღმდეგობა: 430 MOhms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB0603FTC220M

HVCB0603FTC220M

ნაწილი საფონდო: 28103

წინააღმდეგობა: 220 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.06W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB2010FTC10M0

HVCB2010FTC10M0

ნაწილი საფონდო: 29714

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB2010FKC301K

HVCB2010FKC301K

ნაწილი საფონდო: 26581

წინააღმდეგობა: 301 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206DKC10M0

HVCB1206DKC10M0

ნაწილი საფონდო: 28127

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512JTC240K

HVCB2512JTC240K

ნაწილი საფონდო: 28150

წინააღმდეგობა: 240 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB2010FKC249K

HVCB2010FKC249K

ნაწილი საფონდო: 26604

წინააღმდეგობა: 249 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FKC100M

HVCB2512FKC100M

ნაწილი საფონდო: 29708

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB2010FTL500M

HVCB2010FTL500M

ნაწილი საფონდო: 29745

წინააღმდეგობა: 500 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
HVCB0603FKC10M0

HVCB0603FKC10M0

ნაწილი საფონდო: 30643

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.06W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206FKC250M

HVCB1206FKC250M

ნაწილი საფონდო: 26586

წინააღმდეგობა: 250 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB0603KDD10M0

HVCB0603KDD10M0

ნაწილი საფონდო: 49386

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.06W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2010FTD400M

HVCB2010FTD400M

ნაწილი საფონდო: 26602

წინააღმდეგობა: 400 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512JTC10M0

HVCB2512JTC10M0

ნაწილი საფონდო: 28074

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი