ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

HVCB1206KDD4M70

HVCB1206KDD4M70

ნაწილი საფონდო: 52312

წინააღმდეგობა: 4.7 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2010FTD100M

HVCB2010FTD100M

ნაწილი საფონდო: 28067

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206DTC1M00

HVCB1206DTC1M00

ნაწილი საფონდო: 29777

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512JTC3M00

HVCB2512JTC3M00

ნაწილი საფონდო: 28067

წინააღმდეგობა: 3 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206FKD330M

HVCB1206FKD330M

ნაწილი საფონდო: 30658

წინააღმდეგობა: 330 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206GDC430M

HVCB1206GDC430M

ნაწილი საფონდო: 26995

წინააღმდეგობა: 430 MOhms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206FKE1M00

HVCB1206FKE1M00

ნაწილი საფონდო: 28082

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206FKD500M

HVCB1206FKD500M

ნაწილი საფონდო: 30673

წინააღმდეგობა: 500 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2010FTC2M00

HVCB2010FTC2M00

ნაწილი საფონდო: 29768

წინააღმდეგობა: 2 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206DKC1M00

HVCB1206DKC1M00

ნაწილი საფონდო: 26640

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB0603FKD300M

HVCB0603FKD300M

ნაწილი საფონდო: 27503

წინააღმდეგობა: 300 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.06W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FKL5M90

HVCB2512FKL5M90

ნაწილი საფონდო: 27347

წინააღმდეგობა: 5.9 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206FKC330M

HVCB1206FKC330M

ნაწილი საფონდო: 26611

წინააღმდეგობა: 330 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206DTC10M0

HVCB1206DTC10M0

ნაწილი საფონდო: 29803

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB2010FKD500K

HVCB2010FKD500K

ნაწილი საფონდო: 29752

წინააღმდეგობა: 500 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206FTC200M

HVCB1206FTC200M

ნაწილი საფონდო: 29715

წინააღმდეგობა: 200 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206FTC121M

HVCB1206FTC121M

ნაწილი საფონდო: 29725

წინააღმდეგობა: 121 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206FKC50M0

HVCB1206FKC50M0

ნაწილი საფონდო: 28086

წინააღმდეგობა: 50 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512JKD200M

HVCB2512JKD200M

ნაწილი საფონდო: 27336

წინააღმდეგობა: 200 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB0805JKL1G00

HVCB0805JKL1G00

ნაწილი საფონდო: 27546

წინააღმდეგობა: 1 GOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206FTC120M

HVCB1206FTC120M

ნაწილი საფონდო: 29727

წინააღმდეგობა: 120 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB0603FKC100K

HVCB0603FKC100K

ნაწილი საფონდო: 30644

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.06W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FKL10M0

HVCB2512FKL10M0

ნაწილი საფონდო: 27355

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
HVCB2010JDL100K

HVCB2010JDL100K

ნაწილი საფონდო: 26904

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
HVCB0805FKC500M

HVCB0805FKC500M

ნაწილი საფონდო: 26909

წინააღმდეგობა: 500 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206JDD100K

HVCB1206JDD100K

ნაწილი საფონდო: 49318

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206FKC22M0

HVCB1206FKC22M0

ნაწილი საფონდო: 32598

წინააღმდეგობა: 22 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206FTC100M

HVCB1206FTC100M

ნაწილი საფონდო: 31566

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206FKC20M0

HVCB1206FKC20M0

ნაწილი საფონდო: 32613

წინააღმდეგობა: 20 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512KKL250M

HVCB2512KKL250M

ნაწილი საფონდო: 32638

წინააღმდეგობა: 250 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206KDL20M0

HVCB1206KDL20M0

ნაწილი საფონდო: 31244

წინააღმდეგობა: 20 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
HVCB2010FKC100M

HVCB2010FKC100M

ნაწილი საფონდო: 31590

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB0603JDD1G00

HVCB0603JDD1G00

ნაწილი საფონდო: 32302

წინააღმდეგობა: 1 GOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.06W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206FKC150K

HVCB1206FKC150K

ნაწილი საფონდო: 32667

წინააღმდეგობა: 150 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB0603KKD10M0

HVCB0603KKD10M0

ნაწილი საფონდო: 31608

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.06W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB0603FTC100M

HVCB0603FTC100M

ნაწილი საფონდო: 31585

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.06W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი